一.判断下列说法是否正确,用"√"和"×"表示判断结果填入空内.
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )
(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )
(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( )
(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )
解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×
二、选择正确答案填入空内。
(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽
(2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 ( )。
UTUT
IeI(e-1) SSA. ISeU B. C.
(3)稳压管的稳压区是其工作在( )。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏
(5)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3
解:UO1≈1.3V,UO2=0,UO3≈-1.3V,UO4≈2V,UO5≈1.3V,UO6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
图T1.4
解:UO1=6V,UO2=5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率PCM=200mW,试画出它的过损耗区。
图T1.5 解图T1.5
解:根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解图T1.5所示。临界过
损耗线的左边为过损耗区。
六、电路如图T1.6所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。试问: (1)Rb=50kΩ时,uO=? (2)若T临界饱和,则Rb≈?
图T1.6
解:(1)Rb=50kΩ时,基极电流、集电极电流和管压降分别为
IB=
VBB-UBE
=26Rb
μA
IC=β IB=2.6mAUCE=VCC-ICRC=2V
所以输出电压UO=UCE=2V。
(2)设临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
IC=IB=Rb=
VCC-UCES
=2.86mA
RcIC
β
=28.6μA
VBB-UBE
≈45.4kΩIB
七.测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示,它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。
表T1.7
解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,如解表T1.7所示。
解表T1.7