什么是超级电容

电子知识

超级电容是近几年才批量生产的一种无源器件，介于电池与普通电容之间，具有电容的大电流快速充放电特性，同时也有电池的储能特性，并且重复使用寿命长，放电时利用移动导体间的电子（而不依靠化学反应）释放电流，从而为设备提供电源。

超级电容的特性

一、超级电容器特性：

a. 体积小，容量大，电容量比同体积电解电容容量大30~40倍； b. 充电速度快，10秒内达到额定容量的95%； c. 充放电能力强；

d. 失效开路，过电压不击穿，安全可靠；

e. 超长寿命，可长达40万小时以上；

f. 充放电线路简单，无需充电电池那样的充电电路，真正免维护；

g. 电压类型：2.7v---12.0v

h. 容量范围：0.1F--1000F

二、超级电容与电池比较，有如下特性：

a. 超低串联等效电阻（LOW ESR ），功率密度(Power Density) 是锂离子电池的数十倍以上，适合大电流放电，（一枚4.7F 电容能释放瞬间电流18A 以上）。

b. 超长寿命，充放电大于50万次，是Li-Ion 电池的500倍，是Ni-MH 和Ni-Cd 电池的1000倍，如果对超级电容每天充放电20次，连续使用可达68年。

c. 可以大电流充电，充放电时间短，对充电电路要求简单，无记忆效应。

d. 免维护，可密封。

e. 温度范围宽-40℃～+70℃，一般电池是-20℃～60℃

IBIS 模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方法，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。

IBIS 本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS 文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并不说明这些被记录参数如何使用，这些参数需要由使用IBIS 模型仿真工具来读取。欲使用IBIS 进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS 格式方法；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS 和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。

IBIS 模型优点可以概括为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD 结构；提供比结构化方法更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。可用IBIS 模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。IBIS 尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界广泛仿真平台。

IBIS 模型核由一个包含电流、电压和时序方面信息列表组成。IBIS 模型仿真速度比SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是SPICE 模型和仿真器一个问题，而在IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，

并且它们都很简便易用。 大多数器件IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

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了这个问题。实际上，所有EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

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成。IBIS 模型仿真速度比SPICE 快很多，而精度只是稍有下降。 非会聚是SPICE 模型和仿真器一个问题，而在IBIS 仿真中消除了这个问题。实际上，所有EDA 供应商现在都支持IBIS 模型，并且它们都很简便易用。 大多数器件IBIS 模型均可从互联网上免费获得。可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。

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