适用于MMIC的功率合成器设计
第88卷第1期0期第卷,第10Vol. 8,No.10
电电子子与与封装
ELECTRONICS & PACKAGING
总 第66期2008年10月
电适用于MMIC的功率合成器设计
成海峰,张 斌
(南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室,南京 210016)
摘 要:设计了一种适用于对MMIC功率放大器进行合成的新型功率合成器。采用多端口网络理论对功率合成结构进行分析,结合MMIC功放单片的工作特点总结出该功率合成器最重要的设计指标,设计出工作在5GHz~6GHz的16路辐射线型功率合成器。通过测试发现该功率合成器的驻波<1.5dB,各端口幅度不平衡度<±0.4dB,相位不平衡度<±2°,并具有较好的隔离度,整个功率合成器的直径小于56mm,非常适合用于C波段大功率的合成。最终采用该功率合成器在5GHz~6GHz的工作频率内成功获得160W的合成功率。关键词:合成器;辐射线功率合成结构;多端口网络;大功率
中图分类号:TN402 文献标识码:A 文章编号:1681-1070(2008)10-0010-04
Design of a Power Combiner for MMIC
CHENG Hai-feng, ZHANG Bin
(National Key Laboratory of Monolithic Integrated circuits & modules Nanjing Electronic Devices Institute,
Nanjing 210016, China)
Abstract: This paper shows a design of new power combiner used for combining MMIC power amplifiers. Weanalyzed the power combiner by N ports network theory, summarized the most important figures of a powercombiner, based on the characteristics of the MMIC power amplifiers. And then developed a 16 way radial powercombiner at 5GHz~6GHz which has the VSWRs<1.5dB, the imbalance of the amplitude<±0.4dB, as well asthe phase<±2°among the ports, a high isolations, and also has a small size of 56mm diameter. Finally weobtained 160W combining power using this combiner in the band of operating frequency 5GHz~6GHz.Key words:combiner; radial power combiner structure; N ports network; high power
辐射线型功分功合结构由于体积小、损耗小、
1 引言
近些年来微波大功率合成技术成为了人们关注的焦点。由于微波大功率合成器件具有工作电压低、寿命长、体积小、耐冲击振荡强等优点,所以在军事和空间应用方面特别受到各国的重视。而在大功率合成结构的设计中,合成器的设计是最重要的环节,合成器指标的好坏将直接影响到整个功率合成结构的效率。
端口一致性好、合成效率高等特点,一直受到各国的广泛关注。但是,由于辐射线型结构功率合成器端口驻波较差、隔离度不高等原因,目前并未被正式用于大功率的合成。国外相关辐射线型结构的产品大多用作为信号的分路器,只有较少的文章采用此结构尝试较小功率合成[1]。本文首次针对MMIC功率放大器的特点和微波大功率合成的需求,设计出工作在5GHz~6GHz,适用于大功率合成的16路辐射线型功率合成结构。
收稿日期:2008-04-02
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第8卷第10期成海峰,张斌:适用于MMIC的功率合成器设计
由式(4)可以得出,2端口作为输入端其电压
2 功率合成器的设计分析
反射系数并不等于S22。无论是在仿真还是实际的测量过程中,我们只能得到S22而无法直接得到电压反我们要设计的16路功率合成器,是一个拥有17射系数。由于2端口是输入端,所以端口电压反射个端口的线性无源微波网路。(1)式是多端口网络直接影响到功率合成的效率。在理想的状态下,各的散射参量矩阵。
输入端口的输入信号完全一致,1端口没有激励信号,那么:
(1)
(5)
因为本文设计的功率合成器将用于MMIC功率其中N=16,……为各端口参考面上归一化入射波放大单片的合成,所以我们着重考虑了MMIC功率单电压,归一化反射波电压为……。
片的特性。由于MMIC功率单片之间存在一定程度的这个多端口网络具有一定的特殊性,如图1所不一致性,以及大量功率单片进行合成时会产生串示。在功率合成的时候,是16个端口作为输入,同扰,因此在设计合成器时一定要通过结构上的弥补以时加激励信号(不妨设为2~17端口),剩下的1端口减小信号不一致性对合成效率的影响。当我们考虑输作为输出。而作为功率分路的时候,1端口做输入有入各路信号的不一致性时,式(5)被改写成:
激励,2~17端口作为输出。
(6)
所以要减小信号不一致性对于输入端电压驻波比的影响,S23、S24……S2n需要尽量小,也就是说输入各端口的隔离度要尽可能高。而当S23、S24……S2n减小后,2端口的电压反射系数将主要由S22决定,因此S22对于合成效率也非常重要。
3 功率合成器的仿真及测试
图1 N路合成器的微波网路示意图
辐射线型的功率合成结构本身具有较好的端口一致性,所以在设计的过程中着重考虑了提高隔离在做功率合成时,2~17端口都是输入端口,都有度和输出驻波。我们在原有辐射线型功率合成器[2]激励存在,1端口是输出端。由上述的多端口网络参的基础上进行改进,图2所示的是此结构的电路模量矩阵可以得到功率合成的表达式:
型图。
(2)
根据式(2),考虑在输入各端口的电压一致的情况下,各端口的不平衡性直接影响到合成的效率。一旦出现明显的差异,会带来明显的损耗。所以在设计时,输入端口的一致性是一个很重要的指标。
再来看输入各端口,以2端口为例,首先写出2端口的反射波电压:
(3)
所以2端口的反射系数表达式如下:
(4)
图2 功率合成结构的电路模型图
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第8卷第10期
电子与封装
我们在原有的辐射线型功率合成器各路的末端通过1/4λ阻抗变换分成两支,一共形成16个输入支路。通过这样的结构可以有效增大带宽和优化输出端口的驻波。在每一个分支处都加上了隔离电阻,以增加支路间的隔离度。我们采用HFSS仿真软件对此结构进行建模和仿真,通过对各个参数的调节以获得最佳的尺寸数据。图3是制作完成的功率合成器的实物照片。本功率合成器体积非常小,外部直径为56mm。
小于±2
°。
(a)输出驻波
图3 功率合成器外观照片
对于制作完成的功率合成器的各项数据进行测试,图4是该功率合成器的输出和输入驻波。我们设计的是用于5GHz~6GHz的功率单片的功率合成器,从实测数据看来,此功率合成器的带宽已经超出所需的频段,是一种宽带功率合成器。我们把测试数据和仿真数据进行对比,实际制作的功率合成器频带和仿真的数据基本一致,电压驻波比方面,输入端口驻波<1.7,输出端口驻波<1.5,实测结果比仿真结果略差。图5是将两个功率合成器对接测得插入损耗,我们可以看到单个功率合成器在带内的插入损耗在0.8dB(其中包括接头和连接电缆的损耗)。实际测到的驻波比仿真结果略差以及插入损耗偏大的主要原因为:
(1)仿真时采用的介质和金属敷层的损耗参数设置比较理想化,和实际情况有出入;
(2)功率合成器对接采用同轴电缆,SMA接头和同轴电缆本身具有一定的损耗;
(3)该辐射线性功率合成器结构比较复杂,在加工制作和安装的过程中具有一定的误差。
对于功率合成器的另一个重要指标就是端口幅度和相位的不平衡性。在图6中我们可以看到,测得的16路功率合成器端口不平衡性相当令人满意。各端口的幅度不平衡度小于±0.4dB,相位不平衡度
(b)输入驻波
图4 功率合成器电压驻波比测量结果
图5功率合成器插入损耗测量结果
(a)电压幅度的不平衡性
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的功率合成器设计
4 结论
本文针对MMIC大功率功放的特点,改进了传统的辐射线型功分器,使其能够适用于对大功率单片进行合成,获得了预期的良好效果。本文首次采用辐射线型功率合成结构对MMIC功率芯片进行合成,并获得了大功率。实验结果证明了此功率合成器的可行性。此功率合成器具有体积小、效率高、平
(b) 相位的不平衡性图6 功率合成器的各端口不平衡性
衡性强、隔离度好等特点,可以广泛应用于各类微波大功率组件。参考文献:
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1980.
在端口隔离度方面,从图7我们可以看出,大部分端口之间的隔离度已经达到20dB以上了,略差的一组是处于同一分支的两路之间。对于一个单独一分二的结构,两路之间可以获得很高的隔离度,此处隔离度不理想的主要原因是在两路信号合成的地方,微波信号的传输模式发生了转变。微波开始由微带线的准TEM传输模式转变成辐射波导内的TEM模。但是相比较传统的辐射线型结构[2],本功率合成器的端口隔离度已经有了明显的改善。
作者简介:
成海峰(1983-),男,江苏人,2005
图7 功分器各端口隔离度
年毕业于东南大学无线电工程系,现为南京电子器件研究所在读硕士研究
生,研究方向为微波大功率合成技术。
通过以上数据,我们可以发现本功率合成器已经达到既定要求,可以满足大功率合成的要求。最终,我们采用五十五所生产的12W 5GHz~6GHz的功率放大单片,初步得到160W的合成功率。(上接第9页)
强材料、芯片压焊验证和机台维护后验证,同时采用生产过程重点监控等办法来预防并解决裂纹、弹坑的产生问题。
作者简介:
王义贤(1962-),男,重庆大足人,上海财经大学MBA学历,现就职于华越芯装电子股份有限公司,多年一直从事塑封集成电路封装工艺技术、生
产运营和成本控制工作。
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