双极型晶体管特性的测量与分析
微电器件子实报告验
实验名称：一双 极晶体型管特性测的与量分
析业专班、 学级、姓名 学号、号姓名 号学、姓 学名、号姓 学号名姓、名
0132
年
月
日
、一实验容内含（实验理原介绍 ： ）．XJ18140 半体管特性图导仪的基本示理方框图原XJ48 1 图0示仪基本的原方框图如图理1-3 所 。其示部分的作各用如。 下（）1极基阶梯号信发器生供提须的基必极入电注流 （2）。集电极描扫压发电器生提从供开始、可变零集电极电源的压电。（3 ）同脉冲步发生器来用使极基阶信梯和号集极电扫描压电保持步，以便同正确稳而地显定 示性特线 （当集曲电扫极电描压接直由电市全波整流取得，时 同脉步冲生器可由 50H发z 市代电） 。替 （4测试转）开关是换于测试不同用接法和不类同晶型管体的性特曲线和数的转参换开。 关5（）放大显示和路电用于显示测被的特管曲线。性（ ）电6源图中（未出）画为部各分路提电供电源电。
图压一 X481J0 图示仪原理的方图 2框读测方法（．以901 5 np 管n例为） 1（）输特性入曲线输和电入阻 i R共射在体晶电路管，输中出流交路短时输，入电压输和入电之流比为 iR即
，
R i
V BE IB
V C
E 常数
图
晶二管接体
图三
晶法体管输入特的曲性线
（2）
输出特性曲、转移特线曲线和性、βFEh、 共射在路电中输出，交短流路，时输出流和电输电流增量入之为比射共晶体交管电流流放大系数β 在。共电路射，输中端短路时，出输电流出输和入电流之为共射晶比体管直电流放大流数 h系FE。晶 管体接如图四法示所
。节峰调值电压得到图 -6 1所示射晶共体管出特性曲线输并。可得读另（元外件参考数的据
I ）C 01 Am I C10hF E V 1 0V I 0. 11 0 0CE B I C 1 0 Am I C .22 V 01V I 00.2 110 C B
E图
4
射共晶管输体特性出读测
图5
的共射晶管的体
移转特性此 ，在外射共体管输出晶特性曲中线，当 I B为一某值可读测时出共射小讯输出号电导 ，g是它IB 为某时值出曲线的输斜，即
率g
c I VC
E
IB 数
常当
地选接打到择“极基地接”，阶梯极性改为 （—） ，阶负选梯改为 2择A/m（级这注入电流时，图 仪上示显则出示基共体管晶出输特性并，读测可出 值 以：为 E）I
ICI
E
CVB 常
数
（4）反击向穿电压B CVBOBVCEO、 和BVE OB外 片制延的双作极体管的晶反向穿击电压 （一V般指 VCBOE或 BVCB ） O与外延层既电率阻c ρ关有，B 也与的结曲半率径和面状表 况因等素有关当。阻高电区集 厚 度Wc小于 VCBOB 对应的势所宽 度垒x B m，V时 还与BWC 有 。关以所提
高晶体管反耐向压可取采 提ρ高、Wc，C小二减氧化硅表中面 电荷密，采用圆角基度图区形 ，深扩散、甚至结采用面
台
（
）4向反电 IC流O、BCEIO 和IEBO 体管的晶反电向 I流CO、ICBE O和I EO B也叫向反止截流或反向电电流漏。中其I EC 又O叫向穿透反电流。反向 电流晶体管的对大放作没有用献贡，白白耗消一分电部功源率影响晶体，管作的稳工 性。因此，定反电向流愈愈小。 好体晶管反的向流电通包常括向反散扩电 流D、I垒区产生电势流 IG和表面 漏流 电I。S在温室， 硅管的 下I＞＞ID，G锗管则 IDI＞。G般一管的硅向电流远小于反管的反向锗电流。于 X由4J810 示 图仪测试的度所限，精绝大分中小部功率管的反硅向流电不用 XJ481能 0图示读测仪，而只用专用 能仪（如器J 2SB 体三极管反晶向止电流测截仪）试测。量流 电CIBO，IEO、IEBOC 的义定下如： IBCO—发—射极路开，—B 间C反为规定压值时反向电的； ICE流O—基—极开路， C—E间 反压为规值时的定反向流电 ；IEBO——集极电开， 路EB—间 反压规为值定时反的向电流锗。的管反向流，在图电仪上有 示能观察可。到
、实二验的目：1 ．清弄极双型晶体管主要数参物理意的和义用图示使仪基的本法。 方．测试2样为 品DK4D3J，清弄两这器件类类的和引型。脚 ．3量测该晶管体输出特的性曲线， 在CVE为 10 、第六V级线处曲电求流大放数倍β交(流)、HFE直 流)。(用转移性曲特线再次测量两个这参，将数次结两果进对比。行4 测．量晶管体的限参极数BV eb、BVoeoc、VBcb。 5.o 将试测结和测试果条件列表表示并与标准数进行参较,比看所测看器件的否是格。合 、三涉及实的验相情关介况绍（含使包软用或实验设备件等情）况 XJ4：10 8半导管特体性图示仪 9105三 极管
、实验四果结含（序程数据记录、分析及和实总结等，验附可页） （一）实验步骤与要求 1．：验器实 （1）X材4J80 1型半导体特管图示性仪一台及用使说书一明。 （份）2导体半器 90件1．仪5器节调测试要求 （1与开）电启，源热 15预mn 后使i用（ 2）波管示部 分①调度，辉以中适度为亮宜 。②调 聚焦和辅助焦，使光点聚晰清。测npn 时管点光至移左下，测角p pn管时光点 移右至上 角 （3）。集电极描 扫集将电扫描的极全旋钮部都调到预见需的要范，围一峰般值压范电先置围于 01~V，0值峰压（旋钮电）调最小至 。4（）y轴 作 将用安毫—伏/与度率调倍需到测读的围。范 5）x（ 作用轴 伏将/度调到读需测的范。围 6）（基阶极信号 通常梯进行阶梯调零（方先法见X J810 图示仪4使说用明）书。 阶调零梯后，根据 需要，极将，串性电联阻阶、梯选（择毫安级/或
伏/）调级，阶好作梯用置“于重复”。 （）7试测部台 按面分板指操示。 测作试应时注意 ①每测次时试应把点调光到和坐标点原合重，测 VCESVB、E 时尤S其注要意 。 每②次试测应前峰把电值压调最小到，要慢进行缓调，节免损坏仪以部件器 ③。测 高反压管反的耐向压和反向电流时，耗电功应选阻些大以免，坏烧被管。测 ④在功满附耗测量近射共晶体管出输性时，扫描时特不间能长，以免过坏被损测，管未加对散热器的大 功率管试测尤要注意。其⑤ 用XJ 840 1图示鉴仪晶体管别型类pnp 或np n 管脚和性时，应极用不会损坏被测选的低 管电压小和流电。如 VC例E=.3V0、CI=mA1。 9（）据根9 10 的测5试件条测参数出hFE、 β、VBBC、BOCVOEBVEBO、ICB、、OCIE O和I EO，B下测试记 数据画出波和。 （形二）验结实果
测
条试：功耗限件制电阻5：0
Ω入电压 10V输
峰
电压百值分比4：%0