表面自由基链转移反应制备润湿性可控聚合离子液体薄膜
西北师范大学学报(自然科学版)
50
第46卷2010年第5期
V01.46
2010
No.5
JournalofNorthwestNormalUniversity(NaturalScience)
表面自由基链转移反应制备润湿性
可控聚合离子液体薄膜
杨
武,张
洁,郭
昊,赵秀丽,于艳,裴奔
(西北师范大学化学化工学院,甘肃兰州730070)
摘要:采用分子自组装技术在羟基化的单晶硅表面制备了3一巯丙基三甲氧基硅烷单分子层,然后以偶氮二异丁腈为引发剂,通过表面自由基链转移反应在基底表面引发了离子液体单体1一烯丙基一3一甲基咪唑氯化物([AMIMqCl)的原位聚合,通过“直接离子交换”法改变了薄膜表面的对阴离子.用x射线光电子能谱仪(XPS)分析了聚合物薄膜表面典型元素的化学状态,用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,用椭圆偏光仪测量了薄膜的厚度,并用接触角仪对薄膜表面的静态水接触角进行了测量.结果表明,聚合离子液体薄膜成功接枝到了硅片表面,通过对离子的交换
实现了薄膜表面润湿性的可控转变.
关键词:表面引发聚合;自由基链转移反应;聚合离子液体膜;可控润湿性中图分类号:O647.11
文献标识码:A
文章编号:1001-988X(2010)05一0050—05
Preparationofpoly(ionicliquid)filmswithtunablewettability
throughsurfaceradicalchain—transferreaction
YANG
Wu,ZHANGJie,GUOHao,ZHAOXiu—li,YUYan,PEIBen
NormalUniversity,Lanzhou730070,Gansu,China)
(CollegeofChemistryandChemicalEngineering,Northwest
Abstract:Theself-assembled
monolayer
of
3一mercaptopropyl
atO
trimethoxysilane
isfabricated
on
hydroxylatedmonocrystallinemethylimidazolium
siliconsubstratesby
initiated
molecularself—assemblytechnique.Then1一allyl一3一polymerize
on
chloride(1-AMIM]C1)isthesiliconsubstratesin-situbyusing
azobisisobutyronitrile(AIBN)asinitiatorthroughsurfaceradicalchain—transferreaction.Theanionsinthefilms
are
exchanged
are
by“directanionexchange”.Thechemical
states
ofsometypical
elementsinthe
polymerfilms
analyzedusingX—rayphotoelectronspectroscopy(XPS),the
an
morphologyofthethin
are
filmsisobservedusingwith
a
atomicforcemicroscope(AFM),andthethicknessesofthefilms
contact
measured
water
on
spectroscopic
ellipsometer.Thestaticwater
angles
are
determinedusingstatic
are
contact
anglegoniometer.Theresultsshowthatthepoly(ionicliquid)films
can
successfullygrafted
the
siliconsubstrates.Moreover,controllablewettabilityofthefilmscounteranions.
Keywords:surfaceinitiatedtunablewettability
beachievedbyexchangingtheir
polymerization;radiealchaintransfer
reaction;poly(ionicliquid)films;
表面润湿性是固体表面的重要特性之一,也是一种重要的界面现象,对自然界中动植物的各种生
收稿日期:2010—05—17;修改稿收到日期:2010—07—10
命活动,人类的日常生活及工农业生产都产生重要的影响,受到了研究者们的广泛关注‘卜21.而表面
基金项目:国家自然科学基金资助项目(20873101);甘肃省高等学校基本科研业务费资助项目
作者简介:杨武(1966~),男,甘肃西和人,教授,博士,博士研究生导师.主要研究方向为表面功能材料.
E-mail.yangw@nwnu.edu.en
万方数据
2010年第5期
2010
No.5
杨
武等:表面自由基链转移反应制备润湿性可控聚合离子液体薄膜
Preparationofpoly(ionieliquid)filmswithtunablewettabilitythroughsurfaceradicalchain-transferreaction
润湿性动态可控的疏水/亲水可逆转换智能材料在精确表面设计、化学传感器、自清洁表面[3]、液体微球操纵器及变焦镜头[‘3方面则具有更加巨大的潜在应用价值.在固体材料表面上键合聚合物[5。]是一种改变基底表面性质的有效方法.通过表面修饰聚合物可以显著地改变基底的表面润湿性、粘附性、润滑性、摩擦性、生物相容性以及表面活性等等.基底表面上接枝聚合物一般有两种方法,即“接枝到(graftingto)”法和“由表面接枝
(grafting
from)”法.前者是指具有端基活性基团
的聚合物通过物理吸附或化学键合作用“接枝到”基底表面形成聚合物膜.但是随着反应的进行,由于空间位阻作用,已接枝到表面的聚合物链会阻碍更多的聚合物分子继续接枝到基底表面,而使反应变得非常困难,得到的聚合物层很薄,从而影响聚合物膜的质量;后者则采用表面引发聚合反应
(surfaceinitiatedpolymerization,siP)在基底表面
原位形成聚合物膜来实现表面接枝.其原理是首先利用分子自组装技术在基底表面固定聚合反应所需的引发点,接着溶液中的单体小分子在引发剂作用下原位(in-situ)引发聚合.由于原位聚合时,只有小分子量的单体靠近增长链端,从而有效克服了“接枝到”法中聚合物链靠近基底时的空间立体障碍,可得到高度伸展,择优取向,接枝密度高,分布均匀,表面覆盖度高的聚合物链层,厚度甚至接
近100am.在基底表面键合链转移剂后,利用表
面自由基链转移反应可原位接枝聚合物膜,将传统的自由基聚合反应转移到基底表面进行.刘淑娟等[8]通过表面自由基链转移反应,制备了聚合物修饰的色谱固定相.周峰等[93利用表面自由基链转移反应,将苯乙烯/丙烯酸和丙烯腈/甲基丙烯酸甲酯共聚至单晶硅表面,并通过改变单体对的组成,得到了不同亲水亲油性质的表面.
已经实现的表面引发聚合反应要么需要合成结构复杂的自组装引发剂D03,要么需要多步复杂反应方可在基底表面形成反应所需的活性引发点,故限制了它的推广及应用.本文采用常见的巯基有机硅烷偶联剂,只需一步反应即可得到端巯基自组装膜修饰的基底,为自由基链转移反应及离子液体在基底上的聚合提供了反应引发点.由于巯基化合物是大多数单体自由基聚合时极为有效的链转移剂,可以实现广泛单体的表面引发聚合,且具有试剂常规、反应步骤简单、条件温和等诸多优点.
万方数据
离子液体又称室温熔盐,具有熔点低、热稳定性好、溶解能力强、蒸汽压接近零、黏度适中、电导率高、催化活性高等诸多优点,因而作为高效绿色溶剂已经成为当代绿色化学的研究热点之一[111.更为重要的是离子液体结构具有可设计性,而使其成为实现表面润湿性可逆调节的首选单元之一.已有研究表明,带电荷的高分子表面的润湿性可通过
选择适当的对离子(counteranoins)来调节[12-161.
鉴于上述原因,本文采用具有重要用途的半导体材料单晶硅为基底,首先利用3一巯丙基三甲氧
基硅烷在羟基化的基底上自组装形成含有端巯基的
自组装单分子层,然后以偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,研究了初生自由基向巯基的链转移,从而在表面引发了1一烯丙基一3一甲基咪唑氯化物([AMIM]C1)的聚合,通过对离子的交换实现了基底表面润湿性的动态可控.合成路线见图1-
SH
SH
、0\
OH
0H—‘囊si,、。、sH—u
●—●■-
Tolucne
喹奎
≥≥
■■—■——■————■
弋/恩?一
^I尉.DMF
褡釜
图1硅表面自由基链转移反应制备聚合
[AMIM]CI的反应示意
Fig1
PreparationstepsofP[AMIM]C1
on
thesilicon
sudaceviaradicalchaintransferreaction
1
实验部分
1.1材料与仪器
单晶硅(III,上海晶纯试剂有限公司);偶氮二异丁腈(分析纯,上海四赫维化工有限公司)在乙醇中重结晶2次后,冷藏备用;氯丙烯(98%,上海晶纯试剂有限公司);N一甲基咪唑(95%,常州中凯化工有限公司);3一巯丙基三甲氧基硅烷(MPTS,95%,上海晶纯试剂有限公司);甲苯(分析纯,天津化学试剂有限公司)重蒸后备用;无水乙醇,二氯甲烷均为分析纯;二次蒸馏水由实验室自制;1-烯丙基一3一甲基咪唑氯化物([AMIM]CI)参考文献[17]合成.
集热式恒温磁力搅拌器(DF-101S型,郑州长城科工贸有限公司);数控超声波清洗器(KQS200D型,昆山市超声仪器有限公司).
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1.2硅片表面的羟基化
将适当大小的单晶硅片分别在乙醇、二次水中超声清洗15min,干燥后置人体积比为7:3的浓硫酸/30%过氧化氢混合液(Piranha)中,90℃保
温2h,将基底取出,用大量二次蒸馏水冲洗,高
纯氮气吹干,得到羟基化的基底,记为Silicon一1.1.3端巯基自组装膜的制备
将Silicon-1迅速浸入体积分数为0.1%的MPTS/无水甲苯溶液中,氮气保护,70℃反应
24
h,取出后用二氯甲烷tb,b提取24h,即得到端巯基自组装膜修饰的硅基底,记为Silicon一2.
1.4
表面引发聚合反应制备聚合[AMlM]Cl薄膜将Silicon-2浸入[-AMIM]Cl/乙醇体积比为1:2,
[AMIM]CI/偶氮二异丁腈的摩尔比为100:1的混合液中,80℃反应一定时间后,用二氯甲烷提取
24
h,充分除去基底表面物理吸附的聚合物,得到
聚合离子液体薄膜修饰的基底,记为Silicon一3.1.5对离子交换改变聚合物薄膜的表面润湿性
参考文献[18],经过简单的对离子交换即可实现表面从亲水性向疏水性的转变.将Silicon-3浸
入0.1mol・L-1NH。PF。水溶液中,室温静置6h,
然后用二次水及乙醇冲洗,高纯氮气吹干,聚合物上
的Cl一即被PK置换,薄膜即由亲水转变为疏水,
记为Silicon-4.同样薄膜的润湿性由疏水性转换为亲水性可由如下方法获得:将Silicon-4浸入一定量的DMF中几分钟后,取出再次浸入0.2mol・L-1的NaCl水溶液中lh,取出后用二次水反复冲洗,并用二次水索氏提取12h.
1.6测试方法
用SL200B型静态接触角测量仪测定薄膜与水的静态接触角,检测液为二次蒸馏水,测试条件为室温;膜厚用GaertnermodelL116C椭圆偏光仪测量,He-Ne激光光源(A=632.8nm),掠射角为70。,接触角与膜厚度的测量均在表面不同区域进行,取至少5次的平均值作为最终的结果;用SPl3800-N型原子力显微镜观察薄膜的表面形貌,tapping模式;用PHI-5702型X射线光电子能谱仪分析薄膜表面典型元素的化学状态,以Mg的K。作为激光光源.
2结果与讨论
2.1
薄膜表面的XPS表征
表面引发反应能否顺利进行,在反应基底上引
万方数据
入高键合密度的引发剂至关重要.图2~4分别为修饰前后基底的XPS全波谱及典型元素的高分辨谱图.其中图2为基底表面键合上引发剂后的XPS图谱,从图中可以看出在结合能284.8,532.3
及163.6eV处分别出现了C15’O。。及S。,的吸收信
号,表明Silicon-1表面已经成功组装了表面引发聚合反应所需的引发剂一巯基有机硅烷薄膜.
BindingEnergy|eV
◆争图2
Silicon-2的XPS全波谱及C,0,S三元素的
XPS高分辨谱图
Fig2XPS
survey
spectrumandhigh-resolutionelement
scan
ofC,O,SofSilicon-2
Survey
o。
卜o-}-㈣芦fc.吐
儿忒N
..II
州‰瓜
290
285
280
410405400
395
200195
Bindin¥Energy|eV
图3Silicon-3的XPS全波谱及C,N,Cl三元素的XPS高分辨谱图
Fig3
XPS
survey
spectrumandhigh-resolutionelement
scan
ofC,N,ClofSilicon-3
图3为通过表面引发链转移反应接枝上聚合[AMIM]CI薄膜的基底的XPS图谱.结果显示在结合能为401.8和197.2eV处分别出现了N-。和Cl:。的吸收信号,表明[AMIM]Cl已成功聚合到了基底表面.
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杨武等:表面自由基链转移反应制备润湿性可控聚合离子液体薄膜
Preparationofpoly(ionicliquid)filmswithtunablewettabilitythroughsurfaceradicalchain-transferreaction
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在基底上通过自组装形成巯基有机硅烷薄膜后接触角上升为70。左右,与相关文献报道的接触角一
致[9’19。.当以AIBN为反应引发剂,在适当的反应
温度及溶剂作用下,即可引起[AMIM]C1在基底表面的自由基链转移聚合反应.经过不同的反应时间,水在薄膜表面的接触角及薄膜厚度也在不断发生改变(图6).研究发现,在表面引发反应的初始
BindingEnergy/eV
图4Silicon-4的XPS全波谱及F,P,C1三元素的XPS高分辨谱图
Fig4
XPS
survey
spectrumandhigh-resolutionelement
scan
ofF,P,C1ofSilicon-4
图4为通过对离子交换后将聚合物膜上的Cl一置换为PF;后基底的XPS图谱.从图中可以明显地看出在结合能为136.7和686.7eV处分别出现了P。。和F。。的信号,并且Cl元素的信号完全消失,
说明Cl-已经被PK完全置换.
2.2薄膜表面的微观形貌分析
图5为聚合[AMIM]C1薄膜修饰后基底的AFM表面形貌.从图5可以清楚地看到,当聚合反应发生后,基底表面出现了形貌规整有序,且致密、均匀的圆形凸体.说明聚合离子液体成功地接枝到了基底表面,聚合物接枝密度较高且分布较为均匀,同时也很好地体现了“接枝到”法的优势所
在.
图5
Silicon-3的AFM形貌(聚合时间:48Ii)
Fig5
AFMtopograghyofSilicon-3
(Polymerizationtime:48h)
2.3
薄膜表面的润湿性及膜厚度表征
单晶硅表面经浓硫酸/双氧水处理后,可以得
到高羟基密度的表面,接触角小于10。呈现亲水性,为引发剂的引入提供了反应活性表面.MPTS
万方数据
阶段薄膜厚度迅速增加,24h后,膜厚继续增加,
但增加的幅度大大减小,聚合48h后,经椭圆偏光仪测定聚合膜的厚度约为69.4nm,与AFM测
试结果相一致.当基底表面接枝上聚合[AMIM]C1薄膜后,静态水接触角大致维持在53。左右,且随着反应的进行变化不明显.当薄膜表面的Cl一完全
置换为PK后,基底表面的润湿性发生了明显的
改变,接触角达到了106.4。,材料表面由亲水性转变为疏水性.有趣的是,如图7所示,将这种疏
水性表面用0.2mol・L-1的NaCl水溶液处理1h
后,又会由疏水性转变为亲水性.这种润湿性的转变可以重复可逆地进行.图8给出了水珠在薄膜表面上的形状(a为Silicon-3,b为Silicon-4).从图中可以明显地看出材料表面润湿性的转变.这是聚合物薄膜成功接枝到基底表面的又一有力证据.
量
:器互
.2
l宝
Polymerizationtime/h
图6Silicon-3膜厚度和接触角随时间的变化关系
Fig6
Filmthicknessand
contact
angle
versus
polymerizationtimeofsilicon-3
g岛名
、!∞
_
昌譬
苦
o
U
图7硅片表面润湿性的可逆转变
Fig7
Reversiblechangeofwettabilityonsilicon
surface
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图8
薄膜表面上的水珠形状(聚合时间:48
h;
a:Silicon-3;b:Silicon-4)
Fig8Photographsofwaterdropletson
thethinfilms
(Polymerizationtime:48h)
2.4引发机理
表面引发自由基链转移聚合反应与一般溶液中进行的自由基链转移聚合反应机理相似[9’20’:引发剂受热分解,产生的自由基首先与溶液中的单体加成引发聚合反应,产生初级增长的自由基链(R・),其吸收巯基氢,产生与基底键合的自由基(---S・),此自由基重新引发单体的聚合反应,产生通过自组装膜与基底化学键合的聚合物链(图9).但是,在溶液中链转移剂存在下的自由基聚合,链转移基团的流动性和浓度相对较大,所以会由于增长自由基链向游离链转移剂的再转移而使聚合反应终止.本文研究的表面引发聚合,由于溶液中不存在游离的链转移剂,表面增长的自由基链可能以歧化或偶合方式终止[211.
2R●
迅咚逮u
迅恶旷吣§
一一~一专墨髻匙暴送怒旷~~~~
生睡墓;
通过表面自由基链转移反应成功地实现了离子万方数据
制,且通过对离子的连续交换实现了基底表面疏水与亲水性的连续转化,得到了润湿性可控的刺激响应性材料.该材料稳定性较好,常温下曝露在空气中数月后表面性质仍未发生明显改变.
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(下转第67页)
3结论
液体[AMIM]CI在硅基底表面的聚合.所得聚合物薄膜采用XPS、AFM、接触角仪及椭圆偏光测厚仪等手段进行了表征.结果表明,薄膜的形貌规整,其表面润湿性可以通过交换表面对离子进行控
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(责任缡辑陆采芳)
万方数据
表面自由基链转移反应制备润湿性可控聚合离子液体薄膜
作者:作者单位:刊名:英文刊名:年,卷(期):被引用次数:
杨武, 张洁, 郭昊, 赵秀丽, 于艳, 裴奔, YANG Wu, ZHANG Jie, GUO Hao,ZHAO Xiu-li, YU Yan, PEI Ben
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