电子元器件知识:IC封装大全宝典
电子元器件知识:CI封装全宝典大
1、BA(Gballgidarray)r
球触点陈列形,面表装型封贴之一。在装印刷板基的面按背列陈式方制作球出凸形点用以替代脚引,印在刷板的正面基配L装IS芯,然片后用模压脂或灌树封方法行密封。也称进为凸点列陈载体P(A)C引脚。可超过200,是多引LSI用的一脚种装封。
封装本体也可做得
QFP比四侧(脚扁平引装)小。例如,引封中心距脚为.15m的m36引脚0GA仅为3B1mm见方而引脚;心距中为.50mm3的40脚引FP为4Qm0见m方而。且GBA不担用心QPF那样的引变形脚题。 问
封该装美国是Mootolra司开发的公,首在先携式电便等话备中被采设用今后,在美有可国能在人个计算机中普及。最,初GBA的引脚(点)凸中心距1.为m5m,引脚数为25。现2在有一些也SL厂I正家在开发500引的脚GA。BBAG的题问是回焊流的后外观查检现在。尚不清楚是有效的否观外检方查。法的认为有由于焊接的,中距较心大,接可连以看是作定稳的只,通过功能能检来处理。查
美 Mo国ortoal公司用模压把树脂封的密装封称为MOAP,C把灌封方法密封的而封称为 装
GPA
C(O见PAMC和GAPC) 。
2
B、FQP(qudalftaapcagkeiwhtbupmre)
缓带冲垫四的引脚扁侧封平装。FP封Q装之一,在封装体的本四个角设置突起(缓冲垫以防)止运在过程送引中脚发生曲弯形变。国半美体厂家导主在微处要理器和SAIC电路等采用 中
此装封引脚。心距0.中65mm,引脚3从84数到96左1(见Q右FP)
。
、碰焊P3AG(ubttjonipitnridgraay)r
表 面贴装型GPA别的称(见表贴装面型PG)A 。
4、C(c-ramei)c
表示陶瓷封装的号记例。,CDI如P示表的是陶瓷DI。是P在际中经常使用实记的号。
5Cer、dip
玻用璃封密陶瓷双列直插的封装式,用E于CLARM,SP(D数信字处号器)等理电。带路玻璃窗有的口eCdir用p于外紫擦线型E除POM以R及内带部E有ROP的微M电机路等。引脚中距2心.5m4,引m脚从数842到在。本,日封装表示为此DPIG(G-玻即密封的意璃)。思
6、Cequrd a
表贴装面型装封一之即用,密封的陶瓷下QP,F于用装DSP封等逻的LSI辑路。电带窗有口的eCrqaud用封装E于RPO电M路散。热比塑料性QPF好,自然在冷空条件可容许1下.5~2W功的率。但装成封本塑比料QF高P~5倍。3引脚中距有心127.mm、.0mm80.6、mm50.、5m、m.40mm等多种规。格脚数引3从到362。8
7
C、CLCc(reamcleadiedhcpiarriec)r
带脚引的陶瓷芯片载,表面贴体装封装之一,型引脚从装的封个侧面四出,引呈丁形字。
带
有口窗的用封于紫装线擦除外E型ROP以M及有EP带ROM微的电机路等。封装也此为
称Q
F、JFQ-G(见JQF)。J
、C8BO(hcpinobardo)
板
上芯封装,是片芯裸贴片技装术之,半导一芯片交接体装贴在印线路板刷上,芯与片板基的电连气用接引缝合线法方现,芯实与基片的电气连板接用线缝引合方实现,法并树用覆脂盖以保确可靠性虽。CO然是B简单最的裸片芯贴技术装但它,的装密度远不如封TA和B倒焊技术。片
9、DF
P(duaflatpacklgae)
双侧引
扁脚封平。是装OS的别P(称见OS)。P前以有此称曾法现在已基,本上不。
用
10D、CI(udailn-liecnearimpaccake) g
陶瓷IPD含玻(璃封)密的称别见D(I)P.
1
、DIL(d1alui-lnni)e
D
I的别P称(D见PI。欧)洲导体半家厂多此用名。称
2、D1P(dIalinu-inelapcakeg)
双直插列封装式。装型封插装一之,脚引封装两侧引从,出封材料有装料和塑陶瓷种。两IDP最普是的及装插封装,型用应范包括围准标逻辑I,存C器贮SL,I机电路等。引微中脚距心.25m4,m引脚从6到数46封装。宽度通常1为.52mm。有的宽度为7.5把m2和10.m16m的m装分别封称为siknyDnPIs和lmiIDP(体窄型DPI)但多。情数况下不加区分,只简并单统地为称IDP另外。,低用点熔璃密封的玻陶D瓷IP称为也ercidp见c(edrpi) 。
1、3DOS(dulamallsotu-lnt)
i
双引脚侧外小封形。SOP的装别(见S称P)。部分半O体导厂采家用此称。名
14D、CI(Puadtlapcarrieeracpagke )
双侧
引带脚载封。TC装P带(载封装)一。之脚制作在引缘带绝上从并装两侧封出引由。于利
用的T是AB自(动带焊载)接术,技装外封形常薄。非用于液常显示驱动LSI晶但,数为定制多品另外。,.0m5m的存储器厚LSI形封装簿处正于发阶段。在开日本,按EIAJ照日本电子(机工业械会标)规定准,D将IC命P名为DPT 。
15
、DP(dIualapetarriecpackarge )
上。同
本电子日机工械会业标对准DCT的命P名(见TDCP。)
6、1PF(flaptckagea)
平封装。扁表贴面型装装之封。一FQ或PSP(见OQPFSO和)P的称别。分半导体部厂采家用名称此
。
7、1lfpi-chpi
倒焊芯。裸芯片片封装术之技一,LSI在芯片的极区电制作金好凸属点,后把金然属点与印刷凸板上的基电区进行压焊极接连封。装占有面的基积本上芯片与尺寸同。相是所封装有技术体积最小、中薄最的一。但如果种基板热的胀膨系与数LS芯片I同不,会就接合在处生反产应从,而响连影的可接性。因此靠须用必脂来树固加LS芯片,并使用I热膨胀系基数相同的基板本料。 材
18、QFFPfine(ptchiqudflatpacakgea
)引脚小中距心QPF。常通指脚引中距心于小06.m5mQ的FP(Q见F)P部。导导分厂体采用此名家。称
9、CP1ACg(obltopepdaraaryacrier)r
美国Mtorolao司公B对G的A别称见(BA)G。
2
、0QFPC(qudafiapackategithguwrdarni)g
带
保护环四的侧脚扁引平装。封塑料QF之P,引一用树脂保护脚环蔽,以防止弯掩曲形。变
在
L把S组装在I刷基板上之前,印从护保环处断切脚并使引其为海鸥成翼(状L状形)这。封种在美国装oMotorl公司a批已生量。引产中脚心0距5.mm,引数脚多为2最80左右 。
21、-Hw(tiheahtsnk)i
示带散表热的标记器。如例,SOH表示P散带热的SO器P 。
2、p2nirgdairar(surfayemocunttpe) y
表贴面型P装GA通常。GP为插A装封型装,引长约3脚4mm.。表贴装型面GA在封装的P底面有陈状的引脚,列长其度从15mm.到.20mm。装采用与贴刷印基板焊的方碰,因法而称也碰焊为PG。A因引为脚心距中只1有.72mm,比装插P型G小一半A所,封以装体可本制得作不么怎大,引脚而数插装比多型(25~0285),大是规模逻L辑I用的S装。封封的基材装多有陶瓷层板基玻和璃环树氧印刷脂基。以多数层瓷陶材制基封作已装经用化实 。
2
3JL、C(CJ-elaedchdipcrriera
)
J引脚形芯载片。体带窗指口LCCC和带口窗的陶瓷QF的J别(称C见LCCQ和FJ。部分)导体半厂采用家的名。称
42LC、(CLaeledscsihpcrarer)i
引无芯脚载体片指。瓷陶基的板四个侧只有面极电触而无接引脚的表贴装面型装封。是高速
高频和I用C装,也称封陶瓷QF为NQ或N-FC见QFN() 。
52L、A(lanGdrigdraar)y
点触列封陈装即。在面制底作阵有列状态坦电触点极的封。装装时插配插入座即可。现实用已有2的27点(触1.2mm7心中距和4)47点触2(5.m4m中心)的距瓷陶GAL应用,高于速逻辑
SLI路。L电GA与FP相Q比,能以比较小的够封容装纳多更输入的输引脚。另外,出由引线的于阻小抗对于,速高LIS很是用的。适由但于插座制作复杂成本,高,现在基本上怎么使用。预计今后不其对求需会有所增。加
2
、L6OC(ladoenhcpi)
芯
上引线封装片。SLI封装技术之一,引线架的框前端于芯片处方上的种结构一芯,的中片心近附作制凸焊有,点引线缝用进合行电气接连与原。来引把线架布置框芯在片面附近的结侧相构,比相在同大的小封装容纳的芯片达1m中左m右度。宽
2 、7QLF(loPwprfoiequaldfltpackage) a
薄型QFP
指。封装体本厚度为1.4mm的FQ,P是日电本子机械业工会据制定根的QF新外形规P格所用名的。称
8、L-QUAD 2
陶瓷QFP之。封一装板基用化铝,基导热氮比氧率化高7~8铝,倍具有较好的散性。热封装框的架用氧铝化,芯用灌片封密法封,从而制了成本。是抑逻为辑SI开L的发种封装,在一然空冷自条下可件容W许的功率3现已开。发出了02引8(脚0.mm5心中距和)60引1脚0.65m(中m距心的)SL逻I辑用封装并于,193年190开月始投批量生入。
产
2、9CM(Mmu
lti-chimpdole)u
多芯片
组件将。块半多体导裸芯片组在一装布线块基上板一的封种装。根基板据材料分可为CMM-,MCML-C和CM-D三M类大 。
MMC-L使用是通的常玻璃氧环树多脂印刷层基的组板件布线密。不怎度高,么本较低成。
MC
-M是用厚膜技C术形多层布线,以成瓷陶(化铝氧玻或陶瓷)作为基璃的组板,件与使
用多层瓷陶基板厚膜混合的IC类。两者似明显差别。布线无密高于M度C-ML 。
M
C-MD用是膜技术薄形多成层线,以陶布(氧化瓷铝氮或化铝或S)、Ali为基作板的件组 。
线密布谋三在种组中件最是高,的成但也本高 。