能量色散型X射线荧光光谱仪
能量色散型X 射线荧光光谱仪——演讲稿
什么是能谱仪?
它是一种可以利用X 射线对同时多元素进行快速测定的仪器，可以确定其成份和含量。
帕纳科Epsilon 3XLE能谱仪的介绍
Epsilon 3XLE 是一种台式能量色散 X 射线荧光 (EDXRF) 光谱仪，仪器将最新的激发和探测技术与顶尖的分析软件结合到了一起。最新的硅漂移探测器以及紧凑的光路设计相结合，具有改进的和扩展的轻元素功能（C - Am（锕系 95号 镅）），可对从 C 到 Am 的元素进行分析。而一般的能量色散型X 射线分析仪的分析范围为从Na 到U.
仪器特点
技术先进：
普通能谱仪采用硅掺锂探测器，它采用最新的硅漂移探测技术。而且它的分析软件也是领先的。
测量元素范围广：
具有改进的和扩展的轻元素功能（C - Am（锕系 95号 镅）），可对从 C 到 Am 的元素进行分析，而一般的能量色散型X 射线分析仪的分析范围为从Na 到U. 但对于轻元素的测量不太灵敏。
易于操作，可靠且高度灵活：
他不需要事先标样，对样品直接可以测定。操作步骤简单固定。 连续测试重复性极强，测试数据稳定可靠：
测试结果与各元素的特征X 射线能量标准参照表非常接近，可重复测量，所得的结果都是一样的。
……
工作原理
组织结构
X 射线荧光激发源——硅漂移探测器——信号放大器——多道脉冲高度分析器 X 射线荧光激发源：
激发源采用高性能金属陶瓷 X 射线管。有不同的电压和电流设置，可产生不同的X 射线，用于照射待测样品。
硅漂移探测器：
主要用于探测样品发出的特征X 射线。
信号放大器：
用于脉冲信号的放大
多道脉冲高度分析器
它和相应的分析软件相结合，用于确定样品中各元素的种类和含量。
充液氮的作用：
为了使硅中锂稳定和降低晶体管的热噪声
激发源
什么是X 射线荧光
简单来说，就是由X 射线照射原子所激发的X 射线。
X 射线荧光的产生原理：
当能量高于原子内层电子结合能的高能X 射线与原子发生碰撞时，就能驱逐一个内层电子而出现一个空穴，使整个原子体系处于不稳定的激发态，当较外层的电子跃入内层空穴所释放的能量不在原子内被吸收，而是以辐射形式放出，便产生X 射线荧光，其能量等于两能级之间的能量差。因此，X 射线荧光的能量或波长是特征性的，与元素有一一对应的关系。
硅漂移探测器—一种通过光电效应探测光信号的器件
响应速度：
是指由X 射线荧光所产生的电子移向探测器正极的速度。移动速度越快，测试越灵敏。怎么提高它的移动速度呢？
在PN 型二极管中存在耗尽层，其产生的内电场使光生电子具有漂移速度，大于耗尽层外的扩散速度。所以让光生电子空穴对的过程尽量发生在耗尽层内，并加反向偏置电压。来增强内电场，加快光生电子的移动。
以上所介绍的是普通的探测器所采用的办法，而硅漂移探测器则利用了侧向耗尽原理。它对二极管的结构进行了改造。相当于两块二极管N 段相并，在一段的边缘镀上n+欧姆接触，并加高压，使n 型硅晶片被耗尽，也就是形成完全耗尽层（空间电荷区）在中间就可以形成电子电势低谷，这样光生电子或热电子在该电场的作用下，向收集电极漂移，将电信号传给后面的信号放大器。
硅漂移探测器与普通探测器的区别:
不需要液氮制冷，可以在常温下工作；
其电容小，脉冲成形时间也很短（通常简称其容纳电荷的本领为电容）漂移时间虽然较长，但它的计数率（用计数管测定时，将单位时间内X 射线通过计数管窗口的光子数）比一般的半导体探测器高几十倍，灵敏度大大提高。
莫塞莱定律：√v=K（Z-α）
K 为与靶中元素有关的常数
α为屏蔽常数，与电子所在的壳层有关