电容器元件详解

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2. 電容：（Capacitor ）

2.1電容種類：

一般常用的電容有下列幾種：

a. 陶瓷電容 Ceramic Disk Capacitor

b. 鋁電解電容 Aluminum Electrolytic Capacitor c. 鉭質電容 Tantalum Electrolytic Capacitor e. 薄膜電容 Flim Capcitor

f. 積層電容 Multilayer Ceramic Chip Capacitor

2.1.1陶瓷電容：（Cer Cap）

目前所稱的陶瓷電容為PTH 型式的，而SMD 型式的陶瓷電容我們將其分成另一大類為積層電容。陶瓷電容沒有極性，一般陶瓷電容會應用在耐高電壓的場合（1KV 以上）及高頻的場合。

陶瓷電容 陶瓷電容

2.1.2鋁電解容：（Alu Cap，EC Cap， LE EC Cap）

以往我們所用的鋁電解電容都是PTH 型式，近來也有SMD 型式的鋁電解電容問世了。鋁電解電容大多數有極性，在本體上有做負極的標示，除非被指定製作成無極性的NP 系列。 鋁電解電容 NP=NO Polarity

PTH 型式的鋁電解電容 SMD 型式的鋁電解電容 鋁電解電容一般應用在電容值較大的場合，其價格便宜。

2.1.3鉭質電容（TAN Cap）

鉭質電容PTH 型式及SMD 型式皆有。PTH 型式的鉭質電容看起來很像陶瓷

電容，但是外表看起來有光澤。鉭質電容有極性，其標示為正極，一般應用在需要低漏電流及小體積大電容量的場合，經常被使用在的時間常數電路及以電池為電源的卡類上。

PTH 的鉭質電容 SMT 的鉭質電容

2.1.4薄膜電容（分為PE Cap及Metalized Cap）

薄膜電容又可分為塑膠薄膜電容及金屬薄膜電容。

它們有寬廣的頻率特性，一般用在高頻及防止雜訊的領域。 薄膜電容沒有極性。

薄膜電容

2.1.5積層電容：（MUL Cap CHIP Cap）

積層電容是陶瓷電容的一種，只是它是SMD 型式存在，目前絕大部份在主機板及卡類上的電容都是這種電容，它也有像排阻，一般的排容設計。積層電容沒有極性。 2.2電容值：

電容值的基本單位為法拉第：F 換算式：47pF=47*10-12F

47nF=47*10-9F 47uF=47*10-6F

所以1uF=103nF=106pF

電容值一般在積層電容上看不出來，在陶瓷電容、鋁電解電容、鉭質電容及薄膜電容上一般有標示。電容值愈大，電容體積也會愈大，所以到目前為為止SMT 電容並無法完全取代傳統電容。

也有人用代碼標示法標示在電容上，如102=10*102pF=0.001uF。

2.3額定電壓：

額定電壓是一顆電容在此工作電壓下還能正常運作的最大值，額定電壓愈高，電容單價也會愈高。高額定電壓的電容可以拿來取代較低額定電壓的電容。例如：10uF/50V的電容可以用來取代10uF/25V的電容，反之則不行。 一般電容常標示的額定電壓有下列幾種：

6.3V 、10V 、16V 、25V 、35V 、50V 、63V 、100V 、160V 、200V 、250V 、350V 、400V 、450V 、1KV 、2KV 、3KV 。

2.4誤差值：

電容的誤差值可換算如下表，一般在積層電容上無標示任何文字，所以看不出其誤差值，其它種類電容大多有標示在上面，如：K=±10%M=±20%。

誤差值換算表

2.5封裝方式：

2.5.1陶瓷電容：採PTH 封裝方式，如下圖所示。

陶瓷電容

2.5.2鋁電解電容：有採PTH 封裝或SMD 封裝的方式，如下圖：

PTH 封裝方式 SMD 封裝方式

它們的尺寸可由其直徑＊長度來定義，如右圖：

一般的標識6.3*11，即為直徑6.3mm ，長度11mm 之電容。相同電容值及額定電壓的電容其尺寸也可能依各廠商的設計而有所差異。所以在相同電容值

及額定電壓下的鋁電解電容也有各種大小不同的尺寸可供選擇，使用上宜注意。

如：可能有 47u/10V 5*11 及 47u/10V 5*5 這兩種選擇。

一般常用的外徑有4、5、6、3、8、13、16、18、22、25mm ，相同外徑的鋁電解電容，其腳距也會相同。

SMD 鋁電解電容尺寸的定義也是如PTH 的鋁電解電容。

2.5.3鉭質電容：

鉭質電容有PTH 及SMD 兩種封裝方式，目前較常用的為SMD 型式的鉭質電容，如下圖所示：

PTH 鉭質電容 SMD 鉭質電容

SMD 的鉭質電容尺寸規格和一般的積層電容不同，它不是以0603或0805這種EIA code存在的，它是以A case 、B case、 C case………這種尺寸存在，其換算式如下表。D case 和E case在長及寬的尺寸上都相同只有高度不同。

單位：mm

如 C case=6032=6.0mm長*3.2mm寬之鉭質電容。

2.5.4薄膜電容：薄膜電容目前只有PTH 封裝。

2.5.5積層電容：積層電容為SMD 封裝，其尺寸的標示方法和晶片電阻一樣。

2.6材質係數：

因為電容的漏電流，頻率響應特性及電容值易受工作溫度的影響，所以針對不同的電容在材質特性上有一些不同的考量，說明如下：

2.6.1陶瓷電容：

陶瓷電容的材質可由其溫度係數來定義，如下表：

其中等級1的NPO 是最高級的材質，它表示用這種材質做出來的電容，其電容值會隨著溫度變化的程度愈小。一般設定溫度係數和誤差範圍有下列之搭配：

2.6.2鋁電解電容

2.6.2.1耐熱溫度：

一般來說鋁電解電容的耐熱溫度為85ºC ，近來由於技術上的進步，電容的耐熱溫度已大部份採用105ºC ，有些有用到130ºC 了。

2.6.2.2極性：

鋁電解電容亦可製造成無極性的鋁電解電容, 採用須特別註明為NP 系

列。

2.6.2.3低漏電流：

鋁電解電容亦可指定製作成低漏電流系列，常見的標示方法有， Low ESR 或LESR 。 2.6.3鉭質電容：

2.6.3.1低漏電流：

鉭質電容一般來說漏電流本就比其它電容來得低，但也有特別指定要更低漏電池的系列，如sanyo 公司出的pos cap系列即是。

2.6.4薄膜電容：

目前沒有。

2.6.5積層電容：

2.7指定廠牌型號：

有些客戶需指定自己覺得比較信賴的廠牌，或有些電容用在特殊的用途上，如：高溫高電壓的場合，會指定一些大廠的廠牌。