大高宽比.高线密度X射线透射光栅的制作
第１７卷第１期
２００９年１月
光学精密工程
ＯｐｔｉｃｓａｎｄＰｒｅｃｉｓｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ
Ｖ０１．１７Ｎｏ．１
Ｊａｎ．２００９
文章编号１００４—９２４Ｘ（２００９）０１—００７２—０６
大局冤比、高线密度Ｘ射线透射光栅的制作大高宽
柳龙华，刘
刚，熊
瑛，黄新龙，陈
洁，李文杰，田金萍，田扬超
（中国科学技术大学国家同步辐射实验室，安徽合肥２３００２９）
摘要：利用电子柬光刻、Ｘ射线光刻和微电镀技术，成功制作了面积为１
ｍｍ×１
ｍｌＴｌ，周期为３００ｎｍ．金吸收体厚度为
１“ｍ的用于Ｘ射线显微成像的透射光栅。首先，利用电子束光刻和微电镀技术在Ｓｉ３Ｎａ薄膜上制作周期为３００ｎｍ・厚
度为２５０ａｍ的高线密度光栅掩模；然后．利用Ｘ射线光刻和微电镀技术复制厚度为１肛ｍ，占空比接近ｌ：１。高宽比为７
的Ｘ射线透射光栅。整个工艺流程充分利用了电子束光刻技术制作高分辨率图形和Ｘ射线光刻技术制作大高宽比结构的优点，实现了大高宽比、纳米尺度、侧壁陡直的Ｘ射线透射光栅的制作。
关
键
词：Ｘ射线透射光栅；电子束光刻；Ｘ射线光刻；Ｘ射线显微成像技术
文献标识码：Ａ
中图分类号：０４３６．１；ＴＮ３０５．７
Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆｈｉｇｈ－－ａｓｐｅｃｔ－・ｒａｔｉｏａｎｄｈｉｇｈ－＿ｄｅｎｓｉｔｙ
Ｘ—ｒａｙｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｇｒａｔｉｎｇ
ＬＩＵＬｏｎｇ—ｈｕａ。ＬＩＵＧａｎｇ，ＸＩＯＮＧＹｉｎｇ，ＨＵＡＮＧＸｉｎ－ｌｏｎｇ，ＣＨＥＮＪｉｅ，ＬＩＷｅｎ－ｊｉｅ，ＴＩＡＮＪｉｎ－ｐｉｎｇ，ＴＩＡＮＹａｎｇ—ｃｈａｏ
（ＮａｔｉｏｎａｌＳｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎＲａｄｉａｔｉｏｎＬａｂｏｒａｔｏｒｙ，ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄ
ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏＪ’Ｃｈｉｎａ，Ｈｅｆｅｉ２３００２９，Ｃｈｉｎａ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｇｒａｔｉｎｇｗｉｔｈ
ｎｅｓｓ
ａｎａｒｅａ
ｏｆ１ｍｍＸ１ｍｍ，ａｐｉｔｃｈｏｆ３００ｎｍ，ａｎｄ
ａ
ｇｏｌｄｔｈｉｃｋ—
ｏｆ１ｕｍｆｏｒＸ—ｒａｙｉｍａｇｉｎｇａｎｄｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙｉｓｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｙｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙｃｏｍｂｉｎｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍ
ｎｍ
ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ。Ｘ—ｒａｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，ａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ．Ｆｉｒｓｔｌｙ，ａｈｉｇｈ—ｄｅｎｓｉｔｙｍａｓｋｉｎｐｉｔｃｈｏｆ３００ａｎｄｇｏｌｄｔｈｉｃｋｎｅｓｏｆ２５０ｎｍｆｏｒｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｇｒａｔｉｎｇｉｓｏｒｉｇｉｎａｌｌｙｐａｔｔｅｒｎｅｄ
ｏｎ
ｔｈｅＳｉ３Ｎ４ｍｅｍｂｒａｎｅｓ
ａｒｅ
ｂｙｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ．Ｔｈｅｎ，ｔｈｅＸ—ｒａｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇｕｓｅｄ
ｔｏ
ｒｅｐｌｉｃａｔｅｔｈｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｇｒａｔｉｎｇｗｉｔｈｔｈｅｐｒｏｆｉｌｅｔｈｉｃｋｎｅｓｓＯｆｌⅡｍ，ａｓｐｅｃｔｒａｔｉｏｏｆ７，ａｎｄｔｈｅ
ｄｕｔｙｃｙｃｌｅａｂｏｕｔ１：１．Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄｃｏｍｂｉｎｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，Ｘ—ｒａｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇｈａｓａｄｖａｎｔａｇｅｓ
ｏｖｅｒ
ｏｔｈｅｒｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄｓｉｎｂｉｇ
ｐｉｔｃｈ，ｎａｎｏｍｅｔｅｒｓｃａｌｅａｎｄｓｔｒａｉｇｈｔｓｉｄｅｗｅｌｌｆｏｒｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｇｒａｔｉｎｇ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：Ｘ—ｒａｙｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｇｒａｔｉｎｇ；ｅ－ｂｅａｍｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ；Ｘ—ｒａｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ；Ｘ－ｒａｙｉｍａｇｉｎｇａｎｄ
ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ
收稿日期：２００８—０９－０１；修订日期：２００８—１２—１６．
基金项目：国家自然科学基金资助项目（Ｎｏ．１０６７５１１３ＩＮｏ．１０７３４０７０）
万方数据
第１期
柳龙华，等：大高宽比、高线密度Ｘ射线透射光栅的制作
７３
引言
Ｘ射线显微成像技术具有高分辨率、高穿透性等优点，可实现厚物质的内部三维结构的观察，在生物医学和纳米材料领域有广泛的应用［１’４］。当前，利用Ｘ射线透射光栅进行Ｘ射线显微成像的研究已成为研究热点［５］。一般光栅的制作方法有机械刻划和全息光刻两种【６。７］。机械刻划需要复杂的精密机械控制系统，制作难度大、成本高。
全息光刻是利用激光的干涉条纹对光刻胶进行曝
光，然后用刻蚀的方法将光刻胶图形转移到下面
的基底上，或者通过微电镀的方法形成金属结构。
但是，全息光刻是利用光的干涉形成正弦分布的光强对光刻胶图形曝光获得光刻胶结构，图形的
边缘并不光滑。这种不光滑的图形会在随后进行
的刻蚀或微电镀工艺中被精确地转移到了基底或金属结构上。另外，利用刻蚀技术得到的截面呈梯形或者倒梯形形状，很难得到侧壁陡直的光栅截面［Ｂ］。根据理论模拟的结果，光栅的衍射效率取决于栅线条的截面和漫散射程度。所以，采用全息光刻制作的透射光栅在一定程度上降低了其衍射效率。此外，人们也对光栅的其他加工技术进行了研究，例如Ｘ射线全息光刻、纳米压印、电子柬光刻和Ｘ射线光刻等［９。１１‘。中科院微电子研
究所的研究人员用电子束光刻和Ｘ射线光刻相
结合的方法，成功制作了一系列５
０００、３３３３和
２０００
ｌｉｎｅ／ｒａｍ的Ｘ射线透射光栅，并用于激光惯性约束核聚变装置上［１２１３｜，但是这种Ｘ射线透射光栅线条厚度不大（～４００ｎｍ）。Ｘ射线显微成像技术中的Ｘ射线透射光栅要获得较高的衍
射效率，光栅线条的厚度需要微米量级，高宽比＞
５，其制作难度很大。
本文介绍采用电子束光刻、Ｘ射线光刻和微电镀技术制作大高宽比、高线密度Ｘ射线透射光栅。尽管电子束光刻因为其串行的加工方式具有极低的效率，但是它具有图形发生能力和最高的分辨率（～３ｎｍ），在微电子工业和纳米加工领域一直发挥着重要的作用。Ｘ射线光刻的优点在于较高的效率、纳米级的分辨率和极强的穿透能力，在制作具有陡直剖面的纳米级图形方面具有独一无二的优势。微电镀技术的优点是可以将图形精确转移到金属层，而且金属层的厚度可以和光刻
万
方数据胶的厚度一样，这更是普通蒸发剥离技术做不到
的。高线密度Ｘ射线透射光栅对纳米加工技术提出的要求是：纳米级的分辨能力、较高的衍射效率和陡直剖面、大高宽比结构，因而特别适合采用
电子束光刻、Ｘ射线光刻和微电镀技术进行制作。
首先，利用电子束光刻和微电镀技术在Ｓｉ。Ｎ。薄膜上制作面积为１
ｍｍ×１ｍｍ，周期为３００ｎｍ．
占空比为ｌ：１，厚度为２５０ＩｌｌＴｌ的高线密度光栅
掩模。然后，利用Ｘ射线光刻和微电镀技术复制厚度为１肛ｍ，对应高宽比为７的Ｘ射线透射光栅。整个工艺流程充分利用了电子束光刻技术制作高分辨率图形和Ｘ射线光刻技术制作大高宽
比结构的优点。
２
Ｘ射线光刻掩模的制作
大高宽比、高线密度Ｘ射线透射光栅制作在
厚度为１Ｉ￡ｍ的Ｓｉ。Ｎ。薄膜上，图形区由１００个长
和宽分别为ｉ００弘ｍ的单元图形组成，整个光栅的长和宽都为１ｍｍ。为了满足Ｘ射线成像对透射光栅的要求，栅线条宽度和厚度分别为１５０
ｒｌｍ
和＞８３３ｎｍ。
在电子束光刻中，人们广泛使用的是ＰＭＭＡ光刻胶，它具有最高的分辨率。采用电子束光刻和微电镀技术制作Ｘ射线光刻母光栅掩模版的工艺流程如图１所示。（１）采用离子溅射的方法
在Ｓｉ３Ｎ。薄膜上先后溅射５ｎｍ的铬和１０ｎｍ的
金，作为微电镀的种子层，然后旋涂３００ｎｍ厚的ＰＭＭＡ光刻胶，在１８０℃的热台上烘烤９０ｓ，去
图１
电子柬光刻制作Ｘ射线光刻光栅掩模工艺流程图
Ｆｉｇ．１
Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ
ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ
ｏｆ
ｇｒａｔｉｎｇｍａｓｋ
ｂｙ
ｅ．
ｂｅａｍ
ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
７４
光学精密工程
第１７卷
除光刻胶的溶剂；（２）采用ＲａｉｔｈＥ—ＬＩＮＥ电子束曝光系统进行电子束曝光，加速电压为ｌｏｋＶ。然后使用ＭＩＢＫ：ＩＰＡ＝ｌ：３和异丙醇（ＩＰＡ）分别作为显影液和定影液进行显影。得到光栅胶图形；（３）利用反应离子刻蚀去除显影区域的残胶。将衬底装好放入亚硫酸盐金电镀液进行电镀，电镀后的金吸收体厚度为２５０Ｅｌｍ，然后去除ＰＭＭＡ光刻胶；（４）利用离子束刻蚀技术，把种子层刻掉，完成整个Ｘ射线光刻掩模制作的工艺流程。图２是用电子束光刻和微电镀技术制作的光栅结构的ＰＭＭＡ胶图形。从电镜照片中可以看出，ＰＭ—ＭＡ胶图形结构很好，占空比接近１：１。图３是经过微电镀和去胶之后的光栅掩模的ＳＥＭ照片，图中较亮的部分材料为金。从ＳＥＭ照片中可以看出，光栅线条的宽度约为１５０ｎｌＴＩ，占空比接近１：ｌ，由此可以看出微电镀技术可以进行纳米图形的精确复制。用台阶仪测量，掩模厚度大
约为２５０ｎｍ，可以阻挡住曝光实验中的Ｘ射线，
进行大高宽比图形的复制。
图２用电子束光刻技术制作的光栅结构的ＰＭＭＡ
胶图形
Ｆｉｇ．２
ＳＥＭｍｉｃｒｏｇｒａｐｈｏｆＰＭＭＡｒｅｓｉｓｔ
ｐａｔｔｅｒｎｂｙ
Ｅ—ｂｅａｍｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
图３电镀金之后的光栅掩模，可以用作Ｘ射线曝光实验
Ｆｉｇ．３
ＳＥＭｍｉｃｒｏｇｒａｐｈ
ｏｆ
ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｅｄｇｒａｔｉｎｇ
ｍａｓｋｆｏｒＸ－ｒａｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ
万
方数据３
Ｘ射线光刻复制大高宽比透射光栅
为了满足Ｘ射线透射光栅在Ｘ射线领域的
应用，采用Ｓｉ３Ｎ。薄膜作为自支撑薄膜。Ｘ射线光刻和微电镀技术复制Ｘ射线透射光栅的工艺过程与电子束曝光制作光栅掩模的过程相似，只是在旋涂ＰＭＭＡ光刻胶的时候要更厚一些，以获得大高宽比的ＰＭＭＡ结构，在曝光的时候用Ｘ射线曝光代替了电子束曝光。图４是利用Ｘ射线光刻技术复制大高宽比Ｘ射线透射光栅的
工艺流程图。
图４
Ｘ射线光刻制作大高宽比Ｘ射线透射光栅工
艺流程图
Ｆｉｇ．４
Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ
ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ
ｏｆｈｉｇｈ－ａｓｐｅｃｔ—ｒａｔｉｏＸ－
ｒａｙ
ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ
ｇｒａｔｉｎｇｂｙ
Ｘ－ｒａｙｌｉｔｈｏｇｒａ—
ｐｈｙ
Ｘ射线曝光实验是在国家同步辐射实验室的光刻站上进行的。合肥光源的加速电压为８００
ＭｅＶ，特征波长为２．４ｎｍ，特别适合进行Ｘ射线
曝光。众所周知，在制作大高宽比结构中遇到的塌，而无法进行之后电镀等工艺。为此，本文采用
的方法是“全水电镀”，即在结构显影之后立即电免了大高宽比结构的倒塌。图５给出了上述工艺ｎｍ，金吸收体厚度
最主要的问题就是由于表面张力引起的结构倒镀，在整个过程中样品不离开水的环境，这样就避
过程得到的大高宽比、高线密度透射光栅的ＳＥＭ照片，金栅线条的宽度为１５０为ｌ，ｕｍ，对应高宽比约为７。因为所使用Ｘ射线
波长远远小于曝光的线条宽度，因而Ｘ射线透过
掩模时的衍射效应可以忽略，可以认为Ｘ射线是
第ｌ期
柳龙华，等：大高宽比、高线密度Ｘ射线透射光栅的制作
７５
图５用Ｘ射线光刻和微电镀技术复制的Ｘ射线透
射光栅的ＳＥＭ照片，其光栅周期为３００ｎｍ，占空比接近１：１
Ｆｉｇ．５
ＳＥＭｐｉｃｔｕｒｅｏｆＸ—ｒａｙｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｇｒａｔｉｎｇ
ｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙＸ－ｒａｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙａｎｄｍｉｃｒｏ－ｅ－ｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅ．Ｔｈｅｐｉｔｃｈａｎｄ
ｔｈｅ
ｄｕｔｙｃｙｃｌｅ
ａｒｅ
３００ｎｍａｎｄｌ：１。ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ．
图６光栅高度测量图。该电镜照片倾斜的角度为
４５。，因此透射光栅的厚度为７３０ｎｍ／ｓｉｎ４５。一
１０３０
ｎｍ，对应的高宽比大约为７
Ｆｉｇ．６
Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ
ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ
ｍｉｃｒｏｇｒａｐｈ
ｂｙ
ＳＥＭ．Ｔｈｅｍｉｃｒｏｇｒａｐｈｉｓｃａｐｔｕｒｅｄｂｙ４５。
ｔｉｔｌｅｄ．ＳＯｔｈｅｔｈｉｃｋｎｅｓｓｏｆＸ—ｒａｙｔｒａｎｓｍｉｓ—
ｓｉｏｎｇｒａｔｉｎｇｉｓ７３０
ｎｍ／ｓｉｎ４５。＝１０３０ｎｍ。
ａｎｄｔｈｅｈｉｇｈ—ａｓｐｅｃｔ－ｒａｔｉｏｉｓ７
精确沿直线传播的，可以得到剖面陡直的截面。后续的微电镀技术使得光刻胶图形被精确转移到金电镀层上。图６给出了透射光栅金线条的厚度
参考文献：
１－１３
ＣＨＡＯ
ＷＬ。ＨＡＲＴＥＮＥＣＫ
ＢＤ，ＬＩＤＤＬＥ
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１２１３．
万
方数据测量图，扫描电镜倾转了４５。，因此光栅线条的厚
度为７３０ｎｍ／ｓｉｎ４５。一ｌ０３０ｎｍ。Ｘ射线透射光
栅的衍射效率与栅形状有很大的关系，剖面陡直的栅线条具有理想的矩形横截面，可以精确地利用相对简单的矩形模型的透射光栅效率模拟程序对光栅的衍射特性进行研究，并与实验结果比较。采用电子束光刻、Ｘ射线光刻和微电镀技术制备高线密度Ｘ射线透射光栅，充分利用了电子柬光
刻的高分辨率和同步辐射Ｘ射线光刻的短波长、高穿透性、高亮度的特点。可以高效率地实现大高宽比、纳米尺度、侧壁陡直的Ｘ射线透射光栅
的制作。
４
结论
结合电子束光刻、Ｘ射线光刻和微电镀技术，成功制备了大高宽比、纳米尺度、３
３３３ｌｉｎｅ／
ｍｍ的Ｘ射线透射光栅。为了制作高分辨率、大面积母光栅，采用高分辨率的ＰＭＭＡ电子束光刻胶，利用电子束光刻和微电镀技术制备了面积
为１ｍｍ×１ｍｍ，线密度为３３３３．１ｉｎｅ／ｍｍ，厚度
为２５０ｎｍ的Ｘ射线光刻光栅掩模；采用Ｘ射线光刻，结合可以精确转移光刻胶图形的微电镀技
术，复制出了剖面陡直、金吸收体厚度为ｌ肛ｍ，对应高宽比为７的Ｘ射线透射光栅。可以满足Ｘ射线显微成像实验的要求。整个工艺流程充分利用了电子束光刻制作高分辨率图形和Ｘ射线光刻技术制作大高宽比结构的优点；一旦利用成本高昂的电子束光刻技术做出一两个高分辨率的掩模版，即可利用Ｘ射线光刻复制出多个具有大高宽比、剖面陡直的性能优良的Ｘ射线透射光栅。和众多的制作方法相比，电子束光刻、Ｘ射线光刻和微电镀技术相结合的方法是制作Ｘ射线透射光栅的最有优势的技术之一。
［２］ＣＨＵ
ＹＳ，ＹＩＪＭ，ＣＡＲＬＯＦＤ，ｅｔａ１．．Ｈａｒｄ・Ｘ—
ｒａｙ
ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅｗｉｔｈＦｒｅｓｎｅｌ
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ａ
ｃｏｍｐｌｅｘｃｏｎｃａｖｅｄ
ｃｕｈｏｃｔａｈｅ—
７６
光学精密工程
第１７卷
ｄｒｏｎｃｏｐｐｅｒｓｕｌｆｉｄｅｃｒｙｓｔａｌｂｙＸ－ｒａｙｎａｎｏｔｏｍｏｇｒａ—
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［８３吴文娟，王占山，秦树基，等．窄光谱带宽ｘ射线刻蚀多层膜光栅［Ｊ］．光学精密工程，２００４，１２
作者简介：
柳龙华（１９８１一），男，山东人，博士研究生，主要从事微纳米加工技术和Ｘ射线衍射光学元件的制作与应用研究。
Ｅ－ｍａｉｌ：ｌｉｕｌｈ＠ｍａｉｌ．ｕｓｔｅ．ｅｄｕ．ｅｆｔ
刘刚（１９７２一），男，安徽人，副研究员，硕士生导师，主要从事Ｘ射线显微技术，微纳米加工技术等领域的研究。
Ｅ—ｍａｉｌ：ｌｉｕｇａｎｇ＠ｕｓｔｅ．ｅｄｕ．ｅｎ
万
方数据（２）：２２６—２３０．
ＷＵＷＪ，ＷＡＮＧＺＨＳＨ，ＱＩＮＳＨＪ，ｅｔａ１．．
Ｅｔｃｈｉｎｇｏｆｍｕｈｉｐｌａｙｅｒｇｒａｔｉｎｇｕｓｉｎｇ
ａ
ｎａｒｒｏｗ
ｓｐｅｃ—
ｔｒａｌｂａｎｄ
Ｘ－ｒａｙ［Ｊ］．ｏｐｔ．Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ
Ｅｎｇ．，２００４，１２
（２）：２２６—２３０．（ｉｎＣｈｉｎｅｓｅ）
一
［９３
ＸＵＸＤ，ＨＯＮＧＹＬ，ＴＩＡＮＹＣ，ｅｔａｌ．．Ｆａｂｒｉｃａ—ｔｉｏｎ
ｏｆ
ｓｅｌｆ－ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇ
ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ
ｇｒａｔｉｎｇｓ
ｆｏｒ
ｐｌａｓｍａｄｉａｇｎｏｓｔｉｃｓ［Ｊ］．ＳＰＩＥ，１９９９，３７６６：３８０—
３８５．
［１０］
ＫＩ。ＥＹ
ＥＢ，ＰＡＲＲＩＡＵＸＯ．Ｅ－ｂｅａｍ
ｔａｎｄｅｍ
ｗｒｉｔｅｓｓｈｏｒｔ—ｐｉｔｃｈＤＯＥｓａｎｄｇｒａｔｉｎｇｓｆｏｒＥＵ２９２２ＦＯＴＡ
ａｎｄ
ｏｔｈｅｒｏｐｔｉｃａｌ
Ｍｉｃｒｏｓｙｓｔｅｍｓ［Ｊ］．
ＳＰＩＥ，１９９６，２７８３：１４６－１５３．
［】１３
ＳＯＬＡＫＨＨ，ＤＡＶＩＤＣ，ＧＯＢＲＥＣＨＴＪ，ｅｔａｌ．．
Ｓｕｂ－５０ｎｍｐｅｒｉｏｄ
ｐａｔｔｅｒｎｓ
ｗｉｔｈＥＵＶｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ
ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ［Ｊ］．ＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎＥｎｇ，２００３，６７／
６８：５６—６２．
［１２３
ＺＨＵｘＬ．ＷＡＮＧＤＱ，ＸＩＥＣＱ，鲋ａ１．．Ｆａｂｒｉ—
ｃａｔｉｏｎ
ｏｆ
Ｘ－ｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅｏｐｔｉｃａｌｅｌｅｍｅｎｔｓ
ｆｏｒ
ＩＣＦｔａｒｇｅｔｄｉａｇｎｏｓｉｓ［Ｊ］．ＳＰＩＥ，２００７，６７２２：
６７２２０８．
［１３］ＺＨＵＸＬ，ＸＩＥＣＱ，ＹＥＴＣ，ｅｔａｌ．．Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ
ｏｆ２００ｎｍｐｅｒｉｏｄＸ—ｒａｙｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｇｒａｔｉｎｇｓ
ｕ—
ｓｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ［Ｊ］．ＳＰＩＥ，２００７，
６８３２：６８３２０Ｖ．
熊瑛（１９７７一），女．江西人，工程师，主要从事微纳米加工技术的研究。Ｅ－ｍａｉｌ：ｘｙｗｃｈ＠ｕｓｔｃ．ｅｄｕ．ｅｆｔ
黄新龙（１９８０一），男，福建人，博士研究
生，主要从事微纳米加工技术和ＭＥＭＳ器件的制作与应用研究。Ｅ－
ｍａｉｌ：ｘｌｈｕａｎｇ：＠ｍａｉｌ．ｕｓｔｃ．ｅｄｕ．ｅｌｌ
第１期
柳龙华，等：大高宽比、高线密度Ｘ射线透射光栅的制作
７７
陈洁（１９８３一），男，广西人，博士研究生。主要从事Ｘ射线显微成像技术的研究。Ｅ—ｍａｉｌ：ｃｈｅｎｊｉｅ２＠ｍａｉｌ．ｕｓｔｃ．
ｅｄｕ．ｃｎ
田金萍（１９８３一），女，山东人，硕士研究生，主要从事Ｘ射线显微成像技术的研究。Ｅ－ｍａｉｌ：ｊｐｔｉａｎ＠ｍａｉｌ．ｕｓｔｃ．ｅｄｕ．
ｃｎ
李文杰（１９８４一），男，福建人，博士研究田扬超（１９６３一），男，安徽人，研究员．
博士生导师，主要从事Ｘ射线显微技
生，主要从事Ｘ射线显微成像技术的
研究。Ｅ－ｍａｉｌ：１ｗｊｉｅ＠ｍａｉｌ．ｕｓｔｃ．ｅｄｕ，
Ｃｎ
术，微纳米加工技术等领域的研究。Ｅ＿
ｍａｉｌ：ｙｃｈｔｉａｎ＠ｕｓｔｃ．ｅｄｕ．ｃｎ
●下期预告
椭圆型晶体谱仪谱测量的解谱
王瑞荣１’２，陈伟民１
（１．重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室，重庆４０００４４；２．上海激光等离子体研究所高功率激光物理国家重点实验室，上海２０１８００）
简要描述了椭圆型晶体谱仪配Ｘ射线ＣＣＤ相机的Ｘ射线谱测量系统（ＥＢＣ孓ＸＣＣＤ），并研究了ＣＣＤ相机记录信号的解谱处理方法，推出了对实测原始谱曲线辨认或标识值的计算公式及激光等离子体辐射Ｘ射线在某一波长光谱强度的公式，使之应用在激光打靶产生的等离子体源辐射Ｘ射线谱的回推，辨认出了激光等离子体Ｘ射线源能谱，并与文献［１］的结果进行了比较，结果基本一致。这一事实有力地佐证了解谱方法的可行性，也表明Ｘ射线ＣＣＤ相机是适宜于椭圆型晶体谱仪的光谱测量记录。在已知晶体的积分反射率、滤片透射率和ＣＣＤ探测效率的条件下，还可以获得Ｘ射线源光谱强度，可为下一步诊断激光等离子体的电子温度和离子密度的空间分布轮廓和进一步细化Ｘ激光研究奠定了
更深厚的基础。
万方数据
大高宽比、高线密度X射线透射光栅的制作
作者：
柳龙华， 刘刚， 熊瑛， 黄新龙， 陈洁， 李文杰， 田金萍， 田扬超， LIU Long-hua， LIU Gang， XIONG Ying， HUANG Xin-long， CHEN Jie， LI Wen-jie， TIAN Jin-ping ， TIAN Yang-chao
中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,安徽,合肥,230029光学精密工程
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING2009,17(1)1次
作者单位：刊名：英文刊名：年，卷(期)：被引用次数：
参考文献(13条)
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3. CHAO W L;HARTENECK B D;LIDDLE J A Soft X-ray microscopy at a spatial resolution better than 15nm[外文期刊] 2005(7046)
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5. ZHU X L;WANG D Q;XIE C Q Fabrication of X-ray diffractive optical elements for ICF targetdiagnosis 2007
6. SOLAK H H;DAVID C;GOBRECHT J Sub-50nm period patterns with EUV interference lithography 20037. KLEY E B;PARRIAUX O E-beam tandem writes short-pitch DOEs and gratings for EU2922 FOTA and otheroptical Microsystems 1996
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引证文献(1条)
1. 陈国太. 谢常青. 胡昕. 潘一鸣. 朱效立. 刘明. 吴秀龙. 陈军宁 多能点X射线透射光栅的制作技术[期刊论文]-微纳电子技术 2010(1)
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