激光切割以削减 SiC 晶片成本. 提高产量
2016-09-30阅读：10000+微信志 / 宽禁带半导体技术创新联盟
巴黎-日本晶锭加工设备制造商DISCO公司公开了一种基于激光技术 切割SiC锭片以得到晶片的的新方法。该技术通过减小材料损耗，可以得到超过50%的产率，同时可以把生产时间消减到原来的1/6。
通过采用聚焦激光的方式，使SiC分解成Si和C，以形成SiC非晶层，这是通过解理分离晶片的基础。该技术被称为KABRA(for Key Amorphous-Black Repetitive Absorption)工艺，且正处于专利申请中。
现今的晶片生产，通常是利用多个金刚石线锯，花费几天的时间，从晶锭上切割下来，然而这种方法浪费了大量的材料，每个晶片大约可以损失200μm的材料。而KABRA工艺不仅生产时间短，而且因为这种方法不会像金刚石线锯方法那样，在表面留下一些小的起伏，所以晶片处理步骤更少。
从实用性角度比较，该公司声称，与竞争工艺相比，若采用竞争工艺，从一个4寸SiC晶锭上切割一个晶片通常大约需要两个小时（从一个完整晶锭上切割需要两到三天），而新工艺仅需要25分钟（如：从一个6英寸的SiC晶锭上切割需要30分钟）。
因为线切割工艺会在晶片表面上留下一些起伏不平（大约50μm高）所以还需要进一步的抛光平整化。DISCO公司声称，KABRA工艺可以消除这一额外的步骤，进而降低成本。
该公司总部和其东京的研发中心目前正致力于减小测试成本方面的研究。
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