单晶硅生产工艺
加工工艺
单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片
单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造，其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域，在军事电子设备中也占有重要地位。
在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。北京2008年奥运会将把“绿色奥运”做为重要展示面向全世界展现，单晶硅的利用在其中将是非常重要的一环。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。
单晶硅产品包括φ3”----φ6”单晶硅圆形棒、片及方形棒、片，适合各种半导体、电子类产品的生产需要，其产品质量经过当前世界上最先进的检测仪器进行检验，达到世界先进水平。
相对多晶硅是在单籽晶为生长核，生长的而得的。单晶硅原子以三维空间模式周期形成的长程有序的晶体。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。 多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片
加工工艺：
加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
（１）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的Ｎ或Ｐ型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（２）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（１４２０℃）以上，将多晶硅原料熔化。
（３）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（４－６ｍｍ）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
（４）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。
（５）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负２ｍｍ之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。
（６）尾部生长：在长完等径部分之后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室
冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。
单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片
加工流程：
单晶生长—→切断—→外径滚磨—→平边或Ｖ型槽处理—→切片
倒角—→研磨 腐蚀—→抛光—→清洗—→包装
切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。
切断的设备：内园切割机或外园切割机
切断用主要进口材料：刀片
外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。
外径滚磨的设备：磨床
平边或Ｖ型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅棒上的特定结晶方向平边或Ｖ型。
处理的设备：磨床及Ｘ－ＲＡＹ绕射仪。
切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。
切片的设备：内园切割机或线切割机
倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。
倒角的主要设备：倒角机
研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。
研磨的设备：研磨机（双面研磨）
主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。
腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。
腐蚀的方式：（Ａ）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（ＨＮＯ3），氢氟酸（ＨＦ），及一些缓冲酸（ＣＨ3ＣＯＣＨ，Ｈ3ＰＯ4）组成。
（Ｂ）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由ＫＯＨ或ＮａＯＨ加纯水组成。
抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。
抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。
抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在１０－２０ｕｍ； 精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量１ｕｍ以下
主要原料：抛光液由具有ＳｉＯ2的微细悬硅酸胶及ＮａＯＨ（或ＫＯＨ或ＮＨ4ＯＨ）组成，分为粗抛浆和精抛浆。
清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。
清洗的方式：主要是传统的ＲＣＡ湿式化学洗净技术。
主要原料：Ｈ2ＳＯ4，Ｈ2Ｏ2，ＨＦ，ＮＨ4ＯＨ，ＨＣＬ
（３）损耗产生的原因
Ａ．多晶硅——单晶硅棒
多晶硅加工成单晶硅棒过程中：如产生损耗是重掺埚底料、头尾料则无法再利用，只能当成冶金行业如炼铁、炼铝等用作添加剂；如产生损耗是非重掺埚底料、头尾料可利用制成低档次的硅产品，此部分应按边角料征税。
重掺料是指将多晶硅原料及接近饱和量的杂质（种类有硼，磷，锑，砷。杂质的种类依电阻的Ｎ或Ｐ型）放入石英坩埚内溶化而成的料。
重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜０．０１１欧姆／厘米）的硅片。 损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约１５％。
单晶硅棒整形过程中的头尾料约２０％。
单晶整形过程中（外径磨削工序）由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径磨削可以获得较为精确的直径。损耗约１０％－１３％。
例：
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
｜ ｜ ４英寸 ｜ ５英寸 ｜
｜－－－－－－｜－－－－－－－－｜－－－－－－－｜
｜ 标称直径 ｜ １００ｍｍ ｜ １２５ｍｍ ｜-
｜－－－－－－｜－－－－－－－－｜－－－－－－－｜
｜ 拉晶直径 ｜ １０６ｍｍ ｜ １３１ｍｍ ｜
｜－－－－－－｜－－－－－－－－｜－－－－－－－｜ ｜ 磨削损耗 ｜ １２．３６％ ｜ ９．８３％ ｜
｜－－－－－－｜－－－－－－－－｜－－－－－－－｜
｜拉制参考损耗｜ ０．７％ ｜ ０．８％ ｜
｜－－－－－－｜－－－－－－－－｜－－－－－－－｜
｜ 合计损耗 ｜ １３．０６％ ｜ １０．６３％｜
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－