微机原理第五章习题参考答案
一、
ROM ：即只读存储器，数据写入存储单元后不能改写，但读取数据永远有效。ROM 为非易失性存储器，掉电后数据将保持。
RAM ：即随机存取存储器，能对存储器的存储空间中的某一存储单元随机寻找，即由给定的地址定位完成该单元的数据的存取操作。RAM 为易失性存储器，调电后数据将丢失。 二、
SRAM ：即静态RAM ，相对集成度较低，外围控制电路简单，多用于单板机的数据存储。 DRAM ：即动态RAM ，相对集成度较高，外围控制电路复杂，多用于系统级的数据、程序存储。 六、
1． 线选法：
优点：片选方法简单，不需要另外的电路。
缺点：需要较多的片选地址线；在多片存储器芯片构成的存储器系统中，会造成芯片
间的地址不连续；仅用部分片选地址线，存储单元由重复地址；不能扩展内存储器。
2． 部分译码法：
优点：仅用存储器系统所需的作少的片选地址线；仅需最小的译码器电路。
缺点：如果片选地址线选择不当，会使存储芯片地址范围不连续；会产生地址重叠；
不能扩展内存储器。
3． 全译码法：
优点：保证每个存储单元只有唯一的地址，便于内存储器系统的扩展。 缺点：需要较多的译码电路，译码电路复杂。 九、
十二、 6116（1）：
地址范围：2000H ～27FFH ；2800H ～2FFFH ； 3000H ～37FFH ；3800H ～3FFFH ；
9000H ～97FFH ；9800H ～9FFFH ； B9000H ～B7FFH ；B800H ～BFFFH ；
6116(2):
地址范围：4000H ～47FFH ；4800H ～4FFFH ； 5000H ～57FFH ；5800H ～5FFFH ；
C000H ～C7FFH ；C800H ～CFFFH ； D9000H ～D7FFH ；D800H ～DFFFH ；
十三、 6116（1）
1000H ～17FFH ；1800H ～1FFFH ；
4000H ～47FFH ；4800H ～4FFFH ；
5000H ～57FFH ；5800H ～5FFFH ；
8000H ～87FFH ；8800H ～8FFFH ；
9000H ～97FFH ；9800H ～9FFFH ；
C000H ～C7FFH ；C800H ～CFFFH ； D9000H ～D7FFH ；D800H ～DFFFH ；
6116（2）
地址范围：2000H ～27FFH ；2800H ～2FFFH ； 3000H ～37FFH ；3800H ～3FFFH ；
6000H ～67FFH ；6800H ～6FFFH ；
7000H ～77FFH ；7800H ～7FFFH ；
A000H ～A7FFH ；A8800H ～AFFFH ；
B000H ～B7FFH ；B800H ～BFFFH ；
E000H ～E7FFH ；E800H ～EFFFH ； F9000H ～F7FFH ；F800H ～FFFFH ；
每个重叠地址16个
十五、
首先：需要两片2732（4K ×8）和五片6264（8K ×8）；2732需要12根地址线，6264需要13根地址线。