多晶硅与单晶的扩散比较
05-06
多晶硅与单晶硅扩散工艺的比较 祝飞 多晶电池与单晶电池的比较
⏹ 多晶硅硅片可以用纯度相对较低的原材料，且有更大的装填量；多晶硅太阳电池是标准正方形，在组件封装
中有更高的占空比；制备多晶硅锭的耗能少，生产效率高（相同时间内可冷凝更多的多晶硅晶锭）；多晶硅和单晶硅太阳电池内在品质、在同一环境下的使用寿命相同；单晶硅太阳电池较多晶易实现薄片制备。 多晶硅的特点
⏹ 多晶硅片由很多晶向不同、形状不规则的单晶晶粒组成，不同晶向的晶粒间存在晶界。
⏹ 多晶硅单独看某一晶粒，其内部原子排列呈周期性和有序性；而晶粒间（晶界）结构复杂，硅原子无序排列，且可能存在深能级缺陷的杂质。
⏹ 晶界是一个强大的复合中心。第一，晶界附近的载流子由于被耗尽而形成一定宽度的耗尽层和势垒
，阻碍载
流子的传输，增大串联电阻；第二，晶界的复合增加暗电流，对填充因子、开路电压和短路电流不利。第三，晶界处的漏电电流降低并联电阻。
⏹ 增大多晶硅晶粒尺寸可以减少晶界的数量从而提高其性能。 也不同；晶片之间的晶粒分布存在差异。
⏹ 单晶硅和多晶硅的方阻随扩散温度升高而降低。原因：D=D0exp(E0/KT)。随温度升高，扩散系数增大（结深
变大）、P 在Si 中固溶度也增大（电阻率变小），因此方阻变小。
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多晶硅的方阻较单晶硅对扩散温度更敏感。原因：多晶硅晶界和晶粒上的扩散系数不同，二者均是温度的
函数，并存在关系：D B =DL exp(E1/KT)，即D B /DL 随T 升高呈指数减小，结果：一是晶界中的源向晶粒中流动；二是扩散至硅片表面的源，被晶粒吸收的部分增加； 三是温度升高使晶界、晶粒整体吸收更多的源。