电工学(电子技术)课后答案秦曾煌
第14章
晶体管起放大作用的外部条件,发射结必须正向偏置,集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2.晶体管的电流分配关系
晶体管工作在放大区时,其各极电流关系如下:
ICIB
IEIBIC(1)IB
ICIB
ICIB
3.晶体管的特性曲线和三个工作区域 (1)晶体管的输入特性曲线:
晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时,IB和UBE之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时,晶体管才会出现IB,且IB随UBE线性变化。 (2)晶体管的输出特性曲线:
IC随UCE变化的关系曲线。 晶体管的输出特性曲线反映当IB为某个值时,在不同的IB下,
输出特性曲线是一组曲线。IB=0以下区域为截止区,当UCE比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 (3)晶体管的三个区域:
晶体管的发射结正偏,集电结反偏,晶体管工作在放大区。此时,IC=Ib,IC与Ib成线性正比关系,对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压,或者反偏压,集电结反偏压,晶体管处于截止工作状态,对应输出特性曲线的截止区。此时,IB=0,IC=ICEO。
晶体管发射结和集电结都处于正向偏置,即UCE很小时,晶体管工作在饱和区。此时,IC虽然很大,但ICIb。即晶体管处于失控状态,集电极电流IC不受输入基极电流IB的控制。
14.3 典型例题
例14.1 二极管电路如例14.1图所示,试判断二极管是导通还是截止,并确定各电
路的输出电压值。设二极管导通电压UD=0.7V。
256
10V
(a)(b)
D1
(c)(d)
例14.1图
1图(a)电路中的二极管所加正偏压为2V,大于U=0.7V,二极管处于导通状态,解:○D
则输出电压U0=UA—UD=2V—0.7V=1.3V。
2图(b)电路中的二极管所加反偏压为-5V,小于U,二极管处于截止状态,电路中电○D
流为零,电阻R上的压降为零,则输出电压U0=-5V。
3图(c)电路中的二极管D所加反偏压为(-3V)○,二极管D2截止。二极管D1所加正2
偏压为9V,大于UD,二极管D1处于导通状态。二极管D1接在B点和“地”之间,则D1导通后将B点电位箝位在(-0.7V),则U0=UB=-0.7V。
4如果分别断开图(d)电路中的二极管D和D,D处于正偏压为15V,D处于正○1212
偏压为25V,都大于UD。但是,二极管D2所加正偏压远大于D1所加正偏压,D2优先导
通并将A点电位箝位在UA=-10V+0.7V=-9.3V, 实际上,二极管D1处于反偏压,处于截止状态。则输出电压U0=UA=-9.3V。
例14.2 电路如例14.2图所示,已知Ui=5sin(t)(V),二极管导通电压UD=0.7V,试画出Ui与Uo的波形,并标出幅值。
解:在Ui正半周,当Ui大于3.7V时,二极管D1处于正偏压而导通,输出电压箝位在Uo=3.7V,此时的二极管D2截止。
当Ui小于3.7V时,二极管D1和D2均处于反偏压而截止,输出电压Uo=Ui。 在Ui的负半周,当Ui小于(-3.7V),二极管D2处于正偏压而导通,输出电压
Uo=-3.7V,二极管D1截止。
257
当Ui大于(-3.7V)时,二极管D1和D2均处于反偏压而截止,输出电压Uo=Ui。
t
R
t
例14.2图
例14. 3 电路如例14.3(a)图所示,设稳压管的稳定电压U2=10V,试画出 0VUi30V范围内的传输特性曲线Uo=f(Ui)。
解:当Ui
Uo=Ui—10—10=Ui—20V。所以传输特性曲线Uo=f(Ui)如图(b)所示。
+
Ui
t
- (a)
(b)
例14.3
例14.4 晶体管工作在放大区时,要求发射结上加正向电压,集电结上加反向电压。试就NPN型和PNP型两种情况计论。
1U和U的电位哪个高?U○CBCB是正还是负? 2U和U的电位哪个高?U○BEBE是正还是负? 3U和U的电位哪个高?U○CECE是正还是负?
解:先就NPN管来分析。
1U>U, U○CBCB为正。 2U>U,U○BEBE为正。 3U>U,U○CECE为正。
258
PNP管的各项结论同NPN管的各项结论相反。
例14.5 用直流电压表测量某电路三只晶体管的三个电极对地的电压分别如例 14.5图所示。试指出每只晶体管的C、B、E极。
-2.3V-3V-0.7V5V5.7V-6V
例14.5图
1为C级,○2为B极,○3为E极。 解:T1管:○
1为B极,○2为E极,○3为C极。 T2管:○
1为E极,○2为B极,○3为C极。 T3管:○
例14.6 在例14.6图中,晶体管T1、T2、T3的三个电极上的电流分别为:
例14.6图
1 I=0.01mA I=2mA I= —2.01mA ○1232 I=2mA I= —0.02mA I= —1.98mA ○1233 I= —3mA I=3.03mA I= —0.03mA ○123
试指出每只晶体管的B、C、E极。
1为B级,○2为C极,○3为E极。 解:T1管:○
1为E极,○2为B极,○3为C极。 T2管:○
1为C极,○2为E极,○3为B极。 T3管:○
14.4 练习与思考
259
答:电子导电是指在外电场的作用下,自由电子定向运动形成的电子电流。空穴导
电是指在外电场作用下,被原子核束缚的价电子递补空穴形成空穴电流。由此可见,空穴电流不是自由电子递补空穴所形成的。
练习与思考14.1.2 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎样产生的?为什么杂质半导体中少数载流的子的浓度比本征载流子的浓度小?
答:杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由本征激发产生的。本征激发产生电子空穴对,其中有一种载流子和多数载流子相同,归于多数载流子,所以少数载流子的浓度比本征载流子的浓度小。
练习与思考14.1.3 N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体的空穴多于自由电子,是否N型半导体带负电,而P型半导体带正电?
答:整个晶体呈电中性不带电,所以不能说N型半导体带负电和P型半导体带正电。
练习与思考14.3.1 二极管的伏安特性曲线上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压典型值约为多少?
答:当二极管正向偏压很小时,正向电流几乎为零,当正向偏压超过一定数值后,电流随电压增长很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压。硅管死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.1V。
练习与思考14.3.2 为什么二极管的反向饱和电流与外加反向电压基本无关,而当环境温度升高时,又明显增大?
答:当二极管加反向电压时,通过PN结的只有少数载流子的漂移运动所形成的漂移电流。在常温下,由于少数载流子数目极少,在不太大的反向电压下已全部通过PN结,因而,即使反向电压再升高,反向饱和电流仍保持很小的数值不变。当环境温度升高时,少数载流子迅速增多,电流也明显增大。
练习与思考14.3.3 用万用表测量二极管的正向电阻时,用R*100挡测出的电阻值小,而用R*1 k挡测出的大,这是为什么?
答:万用表测电阻是通过测量电阻中的电流而获得其电阻值。指针式万用表测电阻,指针偏转角度越大,读出电阻值越小。在使用R*100挡时,万用表内阻小,加到二极管两端的正偏压大,流过二极管的正向电流大,指针向右偏转角度大,测得的电阻小。在使用R*1 k挡时,万用表内阻大,加到二极管两端的正向偏压小,流过二极管的正向电流小,指针向右偏转角度小,测得的电阻大。
练习与思考14.3.4 怎样用万用表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏? 答:将万用表旋到电阻挡,表笔接在二极管两端,以阻值较小的一次测量为
260
准,黑表笔所接的为正极,红表笔接的一端为负极。当正接时电阻较小,反接时电阻很大表明二极管是好的。
练习与思考14.3.5 把一个1.5V的干电池直接接到(正向接法)二极管的两端,会不会发生什么问题?
答:产生大的电流,烧坏电源。 练习与思考14.3.6 在某电路中,要求通过二极管的正向平均电流为80mA,加在上面的最高反向电压为110V,试从附录C中选用一合适的二极管。
答:选择2CZ52D
练习与思考14.4.1 为什么稳压二极管的动态电阻愈小,则稳压愈好? 答:动态电阻是指稳压二极管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值,动态电阻越小,反向击穿特性曲线越陡,稳压效果越好。
练习与思考14.4.2 利用稳压二极管或者普通的二极管的正向压降,是否也可以稳压?
答:也具有一定的稳压作用,硅管两端保持0.6~0.8V,锗管两端保持0.2~0.3V,其实际意义不大。
练习与思考14.5.1 晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用,为什么?
答:晶体管结构主要特点是:E区的掺杂浓度高,B区的掺杂浓度低且薄,C区结面积较大,因此E极和C极不可调换使用。
练习与思考14.5.2 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时,其电流放大系数和在放大区工作时是否一样大?
答:不一样大,在饱和区,IB的变化对IC影响较小,两者不成正比,放大区的放
大系数不适用于饱和区。
练习与思考14.5.3 晶体管具有电流放大作用,其外部条件和内部条件各为什么?
答:外部条件:晶体管的偏置电压必须满足发射结正向偏置,集电结反向偏置。 内部条件:发射区掺杂浓度高,基区很薄且掺杂浓度低,集电结面积大,且集电压掺杂浓度低。
练习与思考14.5.4 为什么晶体管基区掺杂浓度小且做得很薄? 答:只有这样才可以大大减少电子与基区空穴复合的机会,使绝大部分自由电子都能扩散到集电结边缘,形成集电极电流IC= Ib,使晶体管成为电流控制器件。
261
练习与思考14.5.5 将一PNP型晶体管接成共发射极电路,要使它具有电流放大作用,EC 和EB的正、负极应如何连接,为什么?画出电路图。
答:电路如图所示,这样连接才能保持发射结正向偏置,集电结么向偏置,三极管具有电流放大作用。
练习与思考14.5.5图
练习与思考14.5.6 有两个晶体管,一个管子=50,ICBO=0.5 A;另一个管子
=150,ICBO=2A的晶体管由于ICBO比较大,受温度影响大,影响静态工作点的稳
定性。
练习与思考14.5.7 使用晶体管时,只要1)集电极电流超过ICM值;2)耗损功率PCM值;3)集一射极电压超过U(BR)CEO值,晶体管就必然损坏。上述几种说法是否都是对的?
答:1)会损坏;2)会损坏;3)会损坏,以上几种说法都正确。
练习与思考14.5.8 在附录C中查出晶体管3DG100B的直流参数和极限参数。
答:直流参数:ICBO=0.1 A,IEBO=0.1 A,ICEO=0.1 A,UBE(sat)=1.1V,
hFE()=30
极限参数:U(BR)CBO=40V,U(BR)CEO=30V,U(BR)EBO=4V,ICM=20mA,
PCM=100mV,TjM=150C
练习与思考14.5.9 测得某一晶体管的IB=10 A,IC=1mA,能否确定它的电流放大系数?什么情况下可以,什么情况下不可以?
答:=
ICIC
,,两者的含义是不同的,但在输出特性曲线近于平行等距,
IBIB
并且ICEO较小的情况下,两者数值较为接近,在这种情况下,可以利用IB和IC的值确定,否则不行。
练习与思考14.5.10 晶体管在工作时,基极引线万一断开,为什么有时会导致管
子损坏?
答:当基极断开,加在C极,E极之间的电压UCE>U(BR)CEO时,管子会被损坏。
14.5 习题讲解
习题14.3.1 题14.3.1图是二极管组成的电路和输入电压UI的波形,试画出
262
输出电压u0和电阻R上电压UR的波形。二极管的正向压降可忽略不计。
Ui/V
10
+
5
Ui
3
t
-_
(a)
(b)
分析:在二极管正向压降可忽略不计的条件下,UI5V时,二极管导通,u0=5V+uR。当UI
解:uR与u0波形如下图所示:
Ur/V
10
5v
5
3
t
t
Uo/V
10v
5v5v5v
t
习题14.3.2 在题14.3.2图所示的各电路中,E=5V,Ui=10sin(t)(v),二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压u0的波形。
D
+
+
Uo
_
_
(a)
(b)
263
Ui
(c)
习题14.3.2图
分析:图(a)和图(c)电路中,二极管接在输出回路中,当二极管导通时,u0=E;当二极管截止时,u0=ui。图(b)和图(d)电路中,二极管串接在输入回路中,二极管截止时,
(d)
u0=E;二极管导通时,u0=E+uR=ui。
解:(a):ui为正半周时,当ui>E,D导通,当ui
Ui
Ui
(f)二极管截止
(e)
二极管导通
(b):ui为正半周时,当ui>E,D截止,ui
u
0=E。
Ui
(g)
二极管导通
Ui
(h)二极管截止
(c):图(c)与 图(a)电路比较,二极管反接,导通和截止时间刚好相反。 (d):图(d)与 图(b)电路比较,二极管反接,导通和截止时间刚好相反。
264
wt
wt
图(a)和图(b)电路输出电压的波形图(c)和图(d)电路输出电压的波形
习题14.3.3 在题14.3.3图所示的两个电路中,已知ui=30sin(t)(v),二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压u0的波形。
Ui
Ui
(a)
(b)
习题14.3.3图
解:此题分析同题14.3.2图,其输出波形如下图所示。
Ui/V
Uo/V
wt
wt
图(a)电路输出电压的波形图(b)电路输出电压的波形
265
习题14.3.4 在题
14.3.4图中,试求下列几种情况下输出端Y的电VY及各元件
(R,DA,DB)中通过的电流:(1)VA=VB=0V;(2)VA=+3V,VB=0V;(3)VA=VB=3V。二极管的正向压降忽略不计。
解: (1)VA=VB=0V时,DA 、DB同时导通,正向压降忽略,VA=VB=VY 所以 VY=0V
IRIDA
12
3.08mA;
3.9X103
1
IDBIR1.54mA.
2
(2)VA=+3V,VB=0V时,DB因正偏压而优先导通,使VY=VB=0V,DA截止,故
有:
(3)VA=VB=+3V,DA、DB同时导通,VY=VA=VB=3V
IRIDB
12
3.08mA
3.9X103
IRIDB
123
2.3mA
3.9X103
1
IDAIR1.15mA
2
习题14.3.5 在题14.3.5图中,试求下列几种情况下输出端电位VY及各元件中通过的电
1VA=+10V,VB=0V;○2VA=+6V,VB=+5.8;○3VA=VB=+5V。设二极管的正向电阻为零,反流:○
向电阻无穷大。
1二极管DA优先导通,则 解:○
VaVb
习题14.3.4图
VY9IDA
10
V9V19
VA103
IR1mA
19
6V5.59V5.8V
2假设DA、DB都能导通,由结点电压法得: ○
VY
由此可知,DB管可以导通。
Va
Vb
IDA
65.59
A0.41mA
1103
习题14.3.5图
IDB
5.85.59
0.21mA3
110 5.59
A0.62mA
9103
266-270
IR
③DA、DB都可以导通:
VYIR
5/15/1
V4.74V
1/11/11/9
VY4.74A0.53mA 3R910
IR
mA0.26mA 2
IDAIDB
习题14.3.6 在习题14.3.6图中,E=10V,e30sintV。试用波形图表示二极管上的电压uD。
解: 假定可忽略二极管的正向压降。
当Ee1030sint0时,D导通,D两端电压为0;
当Ee1030sint0时,D截止,D两端压降为1030sint。 信号e和电源E的波形如图(a)所示,二极管D上的电压如图(b)所示:
E
D
u/20(a)
-10-20-30u(b)
-20V
习题14.4.1 在题14.4.1图中,E=20V,R1=900,R2=1100 。稳压二极管DZ的稳定电压uZ=10V,最大稳定电流IZM=8mA。试求稳压二极管中通过的电流IZ是否超过IZM?如果超过,怎么办?
解 ①求IZ:设流过R1的电流为I1,流过R2的电流为I2,则I1=I2+IZ。 由于 I1
2010
11.11mA 90010I29.09mA
1100
IZ11.119.092.02mAIZM8mA,即没超过IZM。
②如果超过了IZM,说明R1取值太小,可根据IZ
2010
确定:
R1
E
z
R1
201010
1.25K即R11.25K时,就不会超过IZM了。 3
IZM810
习题14.4.2 有两个稳压二极管DZ1和DZ2,其稳定电压分别为5.5V和8.5V,正向压降都
是0.5V。如果要得到0.5V,3V,6V,9V,和14V几种稳定电压,这两个稳压二极管(还有限流电阻)应该如何连接?画出各个电路图。
解: ①要得到0.5V,取任何一个使其正向导通即可。
②要得到3V,引出DZ1和DZ2的两端子,即8.5-5.5=3V。
③要得到6V,使DZ1和DZ2串联,DZ2正向导通,DZ1稳压状态。 ④要得到9V,使DZ1和DZ2串联,DZ2稳压,DZ1正向导通。 ⑤要得到14V,DZ1和DZ2均处于稳压状态,即5.5+8.5=14V,电路图分别为下图(a)、
图(b)、图(c)、图(d)、图(e)。
ui
-
(a) (b)
(c)
(d) (e)
习题14.5.1 有两个晶体管分别接在电路中,今测得它们管脚的电位(对“地”)分别如下表所列,试判别管子的三个管脚,并说明是硅管还是锗管?是NPN型还是PNP型? 晶体管Ⅰ
解: 对于NPN型:集电极电位最高,发射极电位低,Ube>0; 对于PNP型:发射极电位最高,集电极电位最低,Ube
由分析可知:晶体管Ⅰ为NPN型硅管,1,2,3管脚分别对应b、e、c极。
晶体管Ⅱ为PNP型锗管,1,2,3管脚分别对应b、e、c极。
习题14.5.2 某一晶体管的PCM=100mW,ICM=20mA,u(BR)CEO=15V,试问:在下列几种情况下,那种是正常工作?
① uCE=3V,IC=10mA;②uCE=2V,IC=40mA。③uCE=6V,IC=20mA。 解: 只有第①种情况下是正常工作的。
第②种情况中,IC=40mA,超过了集电极最大允许电流20mA。
低③种情况中,实际PCMuCEIC120mW,超过了集电极最大允许耗散功率100mW,所以②、③种情况不正常。
习题14.5.3 如何用万用表判断一个晶体管是NPN型还是PNP型?如何判断出管子的三个管脚?又如何通过实验来区分是锗管还是硅管? 解: ①判断基极及类型:
将插入万用表“-”插孔的测试笔轮流接任一管脚,而将另一测试笔分别接另外两个管脚,如果两次测得的管脚间的电阻均为低电阻,BE间和BC间的PN结为正向压降,为NPN管,且接万用表“-”插孔的是基极。如果两次测得的管脚间的电阻为高电阻,BE和BC的PN结上为反向电压,为PNP型管,且接万用表“-”插孔的是基极。
② 判断集电极:对已知的NPN型管和PNP型管分别按如下两种方式连接。
(+)
(+)
100K
12
B
(+)12
10(-)
-)
(a)NPN型 (b)PNP型
将未知管脚1和2分别接万用表的“+”,“-”插孔(“-”插孔接内电源的正极)。 对于NPN型管,若1,2脚间的电阻较低时接“-”孔的为集电极。 对于PNP型管,若1,2脚间的电阻较低时接“+”孔的集电极。
③判断是锗管还是硅管。
B、E极间正向压降为0.6-0.7V时为硅管,在0.2-0.3V时为锗管。
习题14.5.4 在题14.5.4图所示的各个电路中,试问晶体管处于何种状态?
12V5kΩ
+1
T
-6V
(a) (b) (c) 习题14.5.4图 解: 假设
uBE=0.6V,对于图(a):IC(sat)
uCC12V
312mA。RC10
I
'
B
IC(sat)
12mA60.6'
II0.24mA。IB。故A0.11mAB 晶体管处于放B3
505010
大状态。
对于图(b):IC(sat)
IC(sat)uCC128
,mA8mA,I'BmA0.2mA RC1.540
IB
120.6
mA0.24mA。故IBI'B 处于饱和状态。 47
对于图(c):由图可知IB0,所以是截止状态。
习题14.5.5 题14.5.5图是一自动关灯电路(例如用于走廊或楼道照明)。在晶体管集电极电路接入JZC型直流电磁继电器的线圈KA,线圈的功率和电压分别为0.36W和6V。晶体管9013的电流放大系数为200。当将按钮SB按一下后,
继电器的动合触点闭合,40W、220V的照明灯EL点亮,经过
一定时间自动熄灭。试说明其工作原理。
解: 按下按钮SB后,对C充电,晶体管导通,KA合,灯亮,松开SB后,电容C放电,晶体管继续导通。当放电到C端电压于开启电压时,晶体管截止,KA断开,灯灭。
习题14.5.6 题14.5.6图中所示的是一声光报警电路。在
正常情况下,B端电位为0V;若前接装置发生故障时,B端电位上升到+5V。试分析,并说明电阻R1和R2起何作用? 解: 当前接装置发生故障时,B端电位为5V。则发光二极管导通,同时晶体管T导通,蜂鸣器发出响声,二极管亮,实现报警。 R1和R2分别起限流作用,保护发光二极管和晶体管。
EL
278-283
(2)性能指标:
表15.1 四种差分放大器的性能指标
4互补对称功率放大电路
互补对称功率放大电路如图15.7所示。互补对称功率放大电路工作在乙类或甲乙类工作状态。IB0,IC0。
其主要性能指标计算如15.2.1节。
图15.7
15.3典型例题
例15.1 西安电子科技大学2004年硕士研究入学考试试题:
某放大器如例15.1图(a)所示,输入和输出电阻均为2K,电压放大倍数
uo
50。若ui
输入接上电源内阻RS
2K的电压源,输出接上负载电阻RL2K,如图(b)所示。 试求:Aus
uo
? ui
(a) (b) 解: 由
uo
50可知该放大器为共基极的放大器,则输出接上负载RL后: ui
'RLro//RL2//21K
故 A'u
1
5025 2
因在输入端接上的是带内阻RS2K的电压源,则: Aus例15.2
uori2A'u2512.5 uiriRS22
西安电子科技大学2004年硕士研究入学考试试题:
某放大电路原理图如例15.2图所示,已知晶体管的rbe2K,100,试回答一下问题:
(1)电路正常工作时,若ui10sint(mV),uo? (2)若电路出现下列三种情况:①直流(静态电压)
UB0V,UC12V;
②ui10sint(mV)时,uo5sint(mV); ③ui10sint(mV)时,uo比正常输出值大了一倍。 试分别说明是什么原因?
uoR'L100(2//2)
50 解: (1)正常工作时Auuirbe2
则: uo500sint(mV)
(2)①UB0,UC12V,则RB1断路,没有提供合适的基极电流;
uRL100111
可知,此时电容CE为开路②此时Auo,由
rbe(1)Re210122ui2
'
'
了; ③此时A
RL
100,则R'L2K,此时负载RL为开路。 100,可知
rbe
'
15.4练习与思考
练习与思考15.2.1 改变RC和UCC对放大电路的直流负载线有什么影响?
答: 当UCC不变时,RC增大,直流负载线斜率(绝对值)减小,RC减小,直流负载线斜率(绝对值)增大;当RC不变时,UCC增大,直流负载线向右平行移动,UCC减小,直流负载线向左平行移动。
练习与思考15.2.2 分析练习与思考15.2.2图,设UCC和RC为定值,①当IB增加时,IC
是否成正比的增加?最后接近何值?这时UCE的大小如何?②当IB减小时,IC作何变化?最后达到何值?这时UCE约等于多少?
I答: ①当晶体管工作在放大区时,IB增加,IC成比例增加,当IB不断增加,
Ucc/Rc晶体管工作在饱和区,IC最后接近
UCC
,UCE的值很小,接近于0。 RC
②IB减小时,IC也减小,最后晶体管进入到截止区,IC接近于0,UCE接近于UCC。 练习与思考15.2.3 在教材例15.2.3
中,如果(1)RC不是4K,而是40K或0.4K,(2)RB不是300K,而是3M或者30K,试分别说明对静态工作点的影响,放大电路能否正常工作? 答: ①RC的改变会导致直流负载线斜率的改变,当RC增大到40K时,直流负载斜率(绝对值)减小,而IB未变,故静态工作点将向左移,进入饱和区,放大电路不能正常工作,当RC减小到0.4K时,同理静态工作点将右移。
②RB改变会导致IB的变化,当RB增大到3M时,IB减小到4A,静态工作点沿静态负载线下移,接近截止区,放大电路不能正常工作,当RB减小到30K时,IB增大到400A,静态工作点上移,接近饱和区,放大电路不能正常工作。
练习与思考15.2.4 在练习与思考15.2.4图所示电路中,如果调节RB使基极电位升高,试问此时IC,UCE以及集电极电位VC将如何变化?
答: 调节RB使VB升高,IB也随之升高,导致IC被放大增加,因为UCEUCCRCIC,所以IC增大,VCE减小,VC也随之减小。
练习与思考15.3.1 区别交流放大电路的①静态工作与动态工作;②直流通路与交流通路;③直流负载线与交流负载线;④电压和电流的直流分量与交流分量。 答: ①静态工作是当放大电路没有输入信号时的工作状态;动态工作是指有输入信号时的工作状态。②直流通路是进行静态分析的电路,它是将放大电路中的电容看作开路,电感看作短路后得出的电路。交流通路是进行动态分析的电路,是交流电流流通的路径,它是将放大电路中的直流电源和电容作短路处理后所得电路。③由直流通路得出的IC和UCE的关系曲线称直流负载线;由交流通路得出的ic和uce的变化关系曲线称交流负载线。④在直流通路中电路的电压和电流的值为直流分量,在交流通路中电压和电流的值为交流分量。 练习与思考15.3.2 在练习与思考5.3.2图中,电容C1和
C2两端的直流电压和交流电压各等于多少?并说明其上直流
电压的极性。
答 C1两端的直流电压为UBE,C2两端直流电压为UCE。C1和+uC2两端的交流电压为ui。直流电压极性如图。
oRS
-
e
练习与思考15.3.3 在上题图中,用直流电压表测得的集电极对“地”电压和负载电阻RL上的电压是否一样?用示波器观察集电极对“地”的交流电压波形和集电极电阻RC及负载RL上的交流电压波形是否一样?分析原因。
答: 用直流电压表测得的UCE 和负载电阻RL上的电压不一样,RL上电流为零,电压降也为零。用示波器观察的集电极对地的交流电压波形ube与RL和RC上的交流电压一样,因为RL通过C2并接在晶体管的集电极与“地”之间,而电容C2对交流信号短路。RC对交流信号而言,也是并接在晶体管的集电极与“地”之间。
练习与思考15.3.4 晶体管用微变等效电路来代替,条件是什么?
答: 条件是:输入信号幅度很小,动态工作点只在一个小范围内摆动。 练习与思考15.3.5 电压放大倍数Au是不是与成正比?
答: 不是的,随的增大,Au增大的愈来愈少,当足够大时,Au几乎与无关。 练习与思考15.3.6 为什么说当一定时通过增大IE来提高电压放大倍数是有限制的?试从IC和rbe两个方面来说明。
答: 当IE增大,IC随之增大,致使静态工作点接近饱和区,易导致饱和失真,IE增大,rbe减小,输入电阻rirbe,ri随之减小,增加了信号源负担。
练习与思考15.3.7 能否增大RC来提高放大电路的电压放大倍数?当RC过大时对放大电路的工作有何影响?设IB不变。
答: 适当增大RC使交流负载RL增大,有利于放大倍数的提高,但当RC过大时静态工作点向饱和区移动,易出现饱和失真。
练习与思考15.3.8 rbe,rce,ro是交流电阻还是直流电阻?它们各是什么电阻?在ro中包括不包括负载电阻RL?
答: 都是交流电阻。rbe为晶体管输入电阻,rce为晶体管输出电阻,ri是放大电路的输入电阻,ro是放大电路输出电阻。Ro不包括负载电阻RL。
练习与思考15.3.9 通常希望放大电路和输入电阻高一些好,还是低一些好?对输出电阻呢?放大电路的带负载能力是指什么?
答: 通常希望放大电路的输入电阻高一些,输出电阻低一些。当负载变化时,输出电压变化小,则带负载能力好,输出电压变化和输出电阻ro有关,ro小,放大电路负载能力好。 练习与思考15.3.10 在练习与思考15.3.2图所示放大电路在工作时用示波器观察,发现输出波形严重失真,当用直流电压表测量时:
① 若测得UCEUCC,试分析管子工作在什么状态?怎样调节RB才能使电路正常工作? ② 若测得UCEUBE,这时管子又是工作在什么状态?怎样调节RB才能使电路正常工作?
答: ①晶体管工作在截止区,减小RB的值,电路正常工作。 ②晶体管工作在饱和区,增大RB的值,电路正常工作。
练习与思考15.3.11 发现输出波形失真,是否说明静态工作点一定不合适? 答: 不一定,有时是因为输入信号幅值过大而引起的失真,称为大信号失真。
练习与思考15.4.1 在放大电路中,静态工作点不稳定对放大电路的工作有何影响?
'
答: 静态工作点不稳定会使放大电路的增益发生改变,严重时会使输出信号超出电路的输出动态范围,造成输出信号的严重失真。
练习与思考15.4.2 对分压式偏置电路而言,为什么只要满足I2IB和VBUBE两个条件,静态工作点能得以基本稳定?
答: 当I2IB,VBUBE时,基极电位VB与晶体管参数无关,不受温度影响,而仅为RB1和 RB2的分压电路所决定。
练习与思考15.4.3 对分压式偏置电路而言,当更换晶体管时,对放大电路的静态值有无影响?试说明之。
答: 更换晶体管,对放大电路的静态值无影响。当满足I2IB,VBUBE这两个条件后,VB
RB2V
VCC,UBEVBREIE,ICIEB,从上可知静态工作点与
RB1RB2RE
晶体管参数无关。
练习与思考15.4.4 在实际中调整分压式偏置电路的静态工作点时,应调节哪个元件的参数比较方便?接上发射极电阻的旁路电容CE后是否影响静态工作点?
答: 调节RB1比较方便,因为RB2数值一般比较小,改变RB2对静态工作点影响较大。接上发射极电阻的旁路电容CE对静态工作点无影响,因为在直流通路里CE视作断路,对电路无影响。
练习与思考15.5.1 从放大电路的幅频特性上看,高频段和低频段放大倍数的下降主要因为受到了什么影响?
答: 低频段放大倍数下降主要受旁路电容的影响,高频段的放大倍数下降主要受极间电容的影响。
练习与思考15.5.2 为什么通常要求低频放大电路的通频带要宽些,而在上册讲到串联谐振时又希望通频带要窄一些?
答: 低频放大电路通频带宽,这样非正弦型号中各次谐波的频率失真就小,不同频率信号放大倍数也一致,误差就小。而串联谐振电路中通频带越窄,频率选择性愈好,而串联谐振电路主要用于选频电路。
练习与思考15.6.1 何谓共集电极电路?如何看出射极输出器是共集电极电路。 答: 集电极是输入、输出回路的公共端,这种放大电路称为共集电极电路。射极输出器的交流通路中,VCC 相当于短路,其集电极成为输入、输出电路的公共端,所以射极输出器是共集电极电路。
练习与思考15.6.2 射极输出器有何特点?有何用途?
答: 射极输出器的特点有:输入电阻高,输出电阻很低,电压放大倍数接近1且为同相放大器。用途有:可用来作多级放大电路的输入级、输出级、缓冲级和隔离级。
练习与思考15.6.3 为什么射极输出器又称为射极跟随器,跟随什么?
答: 因为输入电压与输出电压大小基本相等,输出信号相位跟输入信号相位相同,所以称为射极跟随器。
练习与思考15.7.1 差分放大电路在结构上有何特点? 答: 差分放大电路在结构上的特点是电路的对称性。
练习与思考15.7.2 什么是共模信号和差模信号?差分放大电路对这两种输入信号是如何区别对待?
答:共模信号是指两个输入信号电压大小相等,极性相同,差分放大电路对共模信号抑制,差模信号是指两个输入信号电压大小相等,极性相反,差分放大电路对差模信号有放大作用。
练习与思考15.7.3 双端输入—双端输出差分放大电路为什么能抑制零点漂移?为什么共模抑制电阻RE能提高抑制零点漂移的效果?是不是RE越大越好?为什么RE不影响差模信号的放大效果?
答: ①双端输出差分放大电路所以能抑制零点漂移,是由于电路的对称性。
②RE的主要作用是限制每个管子的漂移范围,进一步减小零点漂移。对零点漂移和共模信号,RE引入电流串联负反馈,抑制零点漂移和共模信号。例如当温度升高使IC1和IC2均增加时,则有如下过程。
P284
IC1IC1
温度
IC2IC2
可见,由于RE上电压URE的增高,使每个管子的漂移得到抑制。
③RE并不是愈大愈好,当UCC一定时,过大的RE会使集电极电流过小,影响静态工作和电压放大倍数。
④由于差模信号使两管的集电极电流产生异向变化,只要电路的对称性足够好,两管电流一增一减,其变化量相等,通过RE中的电流就近于不变,RE对差模信号不存在负反馈作用。因此,RE不影响差模信号的放大效果。
练习与思考15.7.4 在练习与思考15.7.4(a)途中有RB2,而在(b)图中将它去掉,这样是否还能得到偏流?
CC
+
ui2
-
2
练习与思考15.7.4
答: 在图(b)中没有RB2也可得到偏流,因为采用了正、负双电源供电。
练习与思考15.8.1 从放大电路的甲类,甲乙类和乙类三种工作状态分析效率和失真。
答: 甲类放大电路:静态工作点大致在交流负载线中点,工作在不失真状态,效率低,最高只能达到50%;甲乙类放大电路:将静态工作点沿负载线下移,工作在截止失真状态,效率较高;
乙类放大电路:将静态工作点下移到IC≈0处,工作在更严重截止失真状态,效率会更高。
练习与思考15.8.2 在OTL电路中,为什么CL的电容量必须足够大?
答: 为了使输出波形对称,在CL放电过程中,其上电压不能下降过多,因此CL的电容量必须足够大。
P285
练习与思考15.9.1 场效晶体管和双极型晶体管比较有何特点? 答: 双极型晶体管是电流控制元件,通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的,因此它的输入电阻较低。而场效应管是电压控制元件,它的输出电流决定于输入端电压的大小,它的输入电阻很高。
练习与思考15.9.2 说明场效晶体管的夹断电压UGS(off)和开启电压UGS(th)的意义。试画出:①N沟道绝缘栅增强型;②N沟道绝缘栅耗尽型;③P沟道绝缘栅增强型;④P沟道绝缘栅耗尽型四种场效晶体管的转移特性曲线,并总结出何者具有夹断电压和何者具有开启电压以及它们正负。耗尽型和增强型区别在哪里?
答: ①对于增强型绝缘栅场效应管,在一定额漏源电压UDS下,使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称开启电压UGS(th)。
②四种场效应管的转移特性曲线和练习与思考15.9.2图(a)、图(b)、图(c)、图(d)。
GS
(c)P沟道增强型
(d)P沟道耗尽型
GS
GS练习与思考15.9.2图
③增强型绝缘栅场效应管有开启电压UGS(th),N沟道增强型开启电压UGS(th)为正,P沟道增强型UGS(th)为负。耗尽型绝缘场效应管有夹断电压UGS(th),N沟道耗尽型UGS(th)为负,P沟道耗尽型UGS(th)为正。
P286
④增强型场效应管只有当UGS>UGS(th) 时才形成导电沟道,耗尽型场效应管具有一个原始导电沟道。
练习与思考15.9.3 试解释为什么N沟道增强型绝缘栅场效晶体管中,靠近漏极的导电沟道较窄,而靠近源极的较宽?
答: 导电沟道形成后,在UDS的作用下,漏极电流ID沿沟道产生的电压降使沟道内各点与栅极间的电压不再相等,靠近源极一端的电压最大,沟道最宽,而漏极一端电压最小,沟道最窄。
练习与思考15.9.4 绝缘栅场效应晶体管的栅极为什么不能开路?
答: 因为栅极是绝缘的,感应电荷不易泄放,而且绝缘层很高,极易击穿,所以栅极不能开路,存放时应将各极短路。
15.5习题详解
习题15.2.1 晶体管放大电路如题15.2.1(a)图所示,已知UCC=12V,RC=3kΩ,RB=240 kΩ,晶体管的β=40。①试用直流通路估算各静态值IB,IC,UCE;②如晶体管的输出特性如题图15.2.1(b)所示,试用图解法作放大电路的静态工作点;③在静态时(ui = 0)C1和C2上的电压各为多少?并标出极性。
CC
o
(b)
CECC
uoC
习题15.2.1图
P287
解: ①估算静态值: IB
UCCUBEUCC12
50A
RBRB240
ICIB40502mA,UCEUCCICRC12236V
②做直流负载线L,求静态工作点Q:
在题15.2.1(b)图中,连接点(UCC,0)、(0,UCC/RC),即点(12V,0)、(0,4mA)得L,L与特性曲线的交点Q(6V,2mA)即为静态工作点。
③C1、C2的极性如题图15.2.1(c)所示,静态时,UC1=UBE=0.6V
UC2UCE6V
习题15.2.2 在上题中,如何改变RB,使UCE=3V,试用直流通路求RB的大小;如改变RB,使IC=1.5mA,RB又等于多少?并分别用图解法作出静态工作点。
解: 在上题中,如不改变和,则直流负载线L不变,见题15.2.2图 当UCE=3V时,IC=3mA,IB=75uA UCC12
RB160k IB
75
当IC=1.5mA时,UCE=7.5V,IB=3.75uA
U12RBCC320k
IB37.5
习题15.2.3 在题图15.2.1(a)中,若U
=10V,今要求UCE=5V,IC=2mA,试求RC和RB的阻值。设晶体管的β=40。
解:
RC
习题15.2.2图
CEUCC
UCE105I2
2.5k,IBC50A 2分
IC240UCC10200k 2分 IB50
RB
rbe200(1)
2626
200(120)473 2分 IE2
RL
7.52.5
1.875
7.52.5
2分
RL401.875
Au158
rbe0.473
rirbe473,roRC2.5K 2分
RB
UCC10200k IB50
习题15.2.4 在题15.2.4图中,晶体管是PNP型锗管。①UCC和C1,C2的极性如何考虑?请在图上标出;②设UCC=-12V,RC=3kΩ,β=75如果要将静态值IC调到1.5mA,问RB应调到多大?③在调整静态工作点时,如不慎将RB调到零,对晶体管有无影响?为什么?通常采取何种措施来防止发生这种情况?
解: ①对PNP管,UCC和C1,C2的极性如
图15.2.4所示。
P288
②若UCC=-12V,RC=3kΩ,
β=75,IC=1.5mA 则 RB
UCC12
600k IC75
③将RB调到零,晶体管T将损坏。可在RB支路串联电阻以防止T损坏。
习题15.2.5 试判断题15.2.5图中各个电路能不能放大交流信号?为什么?
习题15.2.5图 解: 题15.2.5图中,电路图(a)、图(c)能放大交流信号,图(a)有负反馈,而电路(b)、(d)则不能。因为电路(b)中输出信号被短路,电路(d)中输入信号被短路(且静态时晶体管已经饱和),故也不能放大交流信号。
习题15.3.1 利用微变等效电路计算题15.3.1的放大电路的电压放大倍数Au。①输出端开路;②RL=6kΩ。设rbe=0.8 kΩ。
IIou
-
+
习题15.3.1图
P289
解: 微变等效电路如题15.3.1图所示。
① 输出端开路时:
Au
RC403
150 rbe0.8
=RC∥RL=3∥6=2 kΩ ②当RL=6 kΩ时,RL
Au
RL402
100 rbe0.8
习题15.3.2 在题15.2.1(a)图所示的固定偏置放大电路中,Ucc=9V,晶体管 ,
β=20,IC=1mA。今要求|Au|≤100,试计算RC,RB及UCE。
解: IB
LC
U91
180k 50A,RLC
IB5020
rbe200(1)
2626
200(120)746 IE1
|Au|=
RC
rbe
100时,RC
100rbe
3.73k,取标称值3.6 kΩ
UCE=UCC-ICRC=9-1×3.6=5.4V
习题15.3.3 有一放大器如题15.3.3(a)图所示,其晶体管的输出特性以及放大电路的交、直流负载线如题15.3.3(b)所示。试问:①RB,RC,RL各为多少?②不产生失真的最大输入电压UiM为多少?③若不断增加输入电压的幅值,该电路首先出现何种性质的失真?调节电路中哪个电阻能消除失真?将阻值调大还是调小?④将RL电阻调大,对交、直流负载线会产生什么影响?⑤若电路中其他参数不变,只将晶体管换一个β值小一半的管子,这时IB,IC,UCC,|Au|将如何变化?
CC
习题15.3.3
CE(b)
解: ①由图(b)知:UCC=10V,UCC/RC=4mA RC=UCC/4=10/4=2.5 kΩ 交、直流负载线的交点Q(5V,2mA)处,IB=40uA P290
RBUCCIB40250k
IC122交流负载线的斜率: 8UCE853RL
RCRLRL
3
1.5k,RL=3.75 kΩ 2
② 最大不失真输入电压Uim: ICIB4050
(1 rbe200
RLrbe
26
IE
26
200(10)
2
k0. 863
Au
501.5
87
0.863
21.53V 最大不失真输出幅度:UomICRL
所以 Uim
Uom334.5mV AU87
③ 不断加大输入电压的幅值,该电路首先出现截止失真。
21.53V u0正半周幅值:ICRL
u0正半周幅值:UCEUCES50.54.5V
④RL增大,不影响直流负载线。交流负载线的斜率tan大。
⑤若换一个0.5的管子
1
,RL增大,tan变RL
IB
UCC
不变,ICIB减小一半,UCEUCCICRC变大 RB
RL2626
减小一半 200 不变, AU
IEIBrbe
rbe200(1)
习题15.3.4 已知某放大电路的输出电阻为3.3 kΩ,输出端的开路电压的有效值
UOC=2V,试问该放大电路接有负载电阻RL=5.1 kΩ时,输出电压将下降到多少?
解: 下降到U0
RL5.1
U0C21.2V
r0RL3.35.1
习题15.3.5 在题15.3.5图中,UCC=12V,RC=2kΩ,RB=300kΩ,晶体管的β=50。
UU01
电路有两个输出端,试求:①电压放大倍数Au1和Au202;②输出电阻r01和r02。
UUii
P291
CC
o1
习题15.3.5图
解: 1)求电压放大倍数Au1,Au2:
IB
UCCUBE
RB(1)RE
=
120.6
28.4A
300(150)2
IE(1)IB1.45mA
rbe200(1
26
IE
26
200(1)
1.45
k 1.1
Au1
U01UiU02Ui
...
.
Rc502
0.97
rbe(1)RE1.1(150)2
(1)RE(150)2
0.99
rbe(1)RE1.1(150)2
Au2
2)输出电阻: r01RC2k
r02RE//
RS//RBrberr1.1
RE//bebe22(设Rs=0)
150
习题15.4.1 在题15.4.1图的分压式偏置放大电路中,已知UCC=15V,RC=3k,
RE=2k,IC=1.55mA, =50,试估算RB1和RB2(取附录H标幺值)。
e+
uo-习题15.4.1图
P292
03A1 解: IBIC1.55
Aus
取I2=10IB,则:
ri0.72
Au183.776.9
RSri10.72
RB2
RB2取标称值12 kΩ
VB3.711.9k I21031
又 RB1
UCCUBUCCUB153.7
36.5k,取标称值36 kΩ。
I2IBI21031
习题15.4.2 在题15.4.2(a)图的分压式偏置放大电路中,已知UCC=24V,RC =3.3
kΩ,RE=1.5 kΩ,RB1=33 kΩ,RB2 =10 kΩ,RL =5.1 kΩ,晶体管的β=66,并设RS0。①试求静态值IB,IC和UCE;②画出微变等效电路;③计算晶体管的输入电阻rbe;④计算电压放大倍数Au;⑤计算放大电路输出端开路时的电压放大倍数,并说明负载电阻RL对电压放大倍数的影响;⑥估算放大电路的输入电阻和输出电阻。
e+
uo-RB2
RCC
习题15.4.2图
解: ①UB
UCC24
RB210V5.58V
RB1RB23310
VBVBE5.580.6
mA3.32mA RE1.5
ICIE
IB
IC
3.32
mA0.05mA 66
UCEUCCRCREIC243.31.53.32V8.06V ②画微变等效电路图如下:
P293
③rbe2001
26mV
26
2001660.72k
IEmA3.32
④ Au
RL3.35.1166183.7 rbe3.35.10.72
⑤ Au
RC3.3
66302.5 rbe0.72
⑥ rirbeRB1RB2rbe0.72k r0RC3.3k
习题15.4.3 在上题中,设RS=1kΩ,试计算输出端接有负载时的电压放大倍数
和AUE,并说明信号源内阻RS对电压放大倍数的影响。 AuUoiusos
解: ①Au
RLrbe
RCRL3.35.1
66
RCRL183.7 rbe0.72
②Aus
ri0.72
Au183.776.9
RSri10.72
信号源内阻将使电压放大倍数降低,信号源内阻越大,Aus就降低得越多。
习题15.4.4 在题中15.4.2中,如将图(a)中的发射极交流旁电容CE除去,①试问静态值有无变化?②画出微变等效电路;③计算电压放大倍数Au,并说明发射极电阻RE对电压放大倍数的影响;④计算放大电路的输入电阻和输出电阻。 解:①除去CE后,静态值没有变化。
②微变等效电路如下图所示,图中RB=RB1//RB2
uo
1
P294
③电压放大倍数:
RL
RcRL3.35.1
2k
RcRL3.35.1
Au
RL662
1.3
rbe(1)RE0.72(166)1.5
说明RE在除去CE后,将产生强的负反馈,致使电压放大倍数大为降低。 ④riRB1//RB2//rbe(1)RE
33//10//0.72(166)1.5
7.67//1017.1k
r0RC3.3k
习题15.4.5 设计一单晶体管放大电路,已知RL3k,要求: Au60,ri1k,
r03k,工作点稳定。建议选用高频小功率管3GD100,其技术数据见附录C,β值可选
在50~100之间,最后核查静态工作点是否合适。求得的各电阻值均采用标称值(查附录H)。
解:①要求工作点稳定,可选用分压偏置放大电路
选 UCC12V,3GD100晶体管,设β=50
Au60,ri1k
②参数计算:
由 rbe200(1)
26
ri IE
可求 ICIE
26(1)2651
mA1.66mA
ri2001000200
由 Au
RLrbe
可得:
RLRL
601
k1.2k 50RCRL
RCRL
RLRL1.23
k2k 31.2RLRL
RC
设UB4V,有:
RE
UBUBE40.6k2k IE1.66
基极电流 IB
IC
1.66
mA0.033mA 50
设I210IB,即:I2100.033mA0.33mAI1
RB2
VB4k12.12k(取12k) I20.33
UCCVB124
k24.24k(取24k) I10.33
RB2
③ 由UCEUCC(RCRE)IC做直流负载线(见下图):
3
Q
1.66
5.4
12
IC0,UCEUCC12V
UCE0 IC
UCC12
mA3mA
RCRE22
UCE12(22)1.66V5.4V 静态工作点合适,在小信号情况下不会产生失真。
习题15.6.1 在题15.6.1图的射极输出器中,已知RS50,RB1100k,
RB230k,RE1k,晶体管的50,rbe1k,试求Au,ri和ro。
Es
+
-
习题图15.6.1
解:Au
(1)RE(150)1
0.98
rbe(1)RE1(150)1
riRB1//RB2//rbe(1)RE 100//30//1(150)1
15.9k r0
RS//RB1//RB2rbeRr501000
//RESbe21
150
习题15.6.2 两级放大电路如题图15.6.2(a)所示,晶体管的1240,
rbe11.37k,rbe20.89k。①画出直流通路,并估算各级电路的静态值(计算UCE1时
忽略IB2);②画出微变等效电路,并计算Au1,Au2和Au;③计算ri和ro。
+
习题15.6.2图
解:①各级电路的静态值:
前级:UB
RB28.2
UCC203.98V
RB1RB2338.2RBRB1//RB233//8.26.57k
IB1
UBUBE13.980.6
23A
1RE1)6.57(140)(0.393)RB(11)(RE
IC11IB10.92mA
1RE2)200.92(100.393)7.7V UCE1UCCIC1(RC1RE
后级:UCC(IC1IB2)RC1UBE2(12)IB2RE2
IB2
UCCUBE2IC1RC1200.60.9210
47A
RC1(12)RE210(140)5.1
IE2(12)IB2(140)471.93mA UCE2UCCIE2RE2201.935.110.2V
若采用估算法,则:UB1
RB28.2
UCC203.98V
RB1RB2338.2
IC1IE1
IUB1UBE13.980.61
25A 1mA,IB1C1
1RE1140RE30.39
1RE2)201(100.393)6.6V UCE1UCC(RC1RE
IC2IE2
UCCIC1RC1UBE2201100.6
1.84mA
RE25.1
IB2
IE21.8445A,UCE2UCCIC2RE2201.845.110.6V, 12140
②微变等效电路如下图所示:
-
习题15.6.2图
后级:
20.89(140)2.55105.44k ri2rbe2(12)RL
2RE2//RL5.1//5.12.55k RL
Au2
2(12)RL(140)2.55
0.992 rbe2(12)RL20.89(140)2.55
1RC1//ri210//105.449.13k 前级: RL
Au1
11RL409.13
21 1rbe1(11)RE1.37(140)0.39
AuAu1Au2210.99220.8
1 ③ riRB1//RB2//rbe1(11)RE
33//8.2//1.37(140)0.39
4.77
r0
RC1rbe2
100.89
272 40
2
习题15.7.1 在例15.7.1中,①RE5k时,估算静态值;②UEE6V时,估算静态值;③UCC9V时,估算静态值。通过分析计算说明电路的静态值与RE,UEE和UCC关系。
解:静态值估算 IC
IUEE
, IBC, UCEUCCICRC 2RE
①RE5k时:
IC
IUEE121.2
1.2mA,IBC24A 2RE2550
UCEUCCICRC121.2100V
②UEE6V时:
IC
IUEE60.3
0.3mA,IBC6A 2RE21050
UCEUCCICRC120.3109V
③UCC9V时:
IC
IUEE120.6
0.6mA,IBC12A 2RE21050
UCEUCCICRC90.6103V
静态值与RE,UEE和UCC的关系:
(UEE,UCC一定)REICUCE;
(RE,UCC一定)UEEICUCE;
(RE,UEE一定)UCCUCE(IC不变)
习题15.7.2 在题15.7.2(a)图的差分放大电路中,设ui1ui2uic,是共模输入信号。试证明两管集电极中任一个对“地”的共模输出电压与共模输入电压之比,即单端输出共模
电压放大倍数为:
AC
uoc1uoc2RCR
C uicuicRBrbe2(1)RE2RE
RP比较小,可忽略不计,并在一般情况下,RBrbe2(1)RE。
-
(a) (b)
习题15.7.2图
解:单管共模信号通道如同(b)所示。
Uoc1ibRC,若忽略RP,则:
uicib(RBrbe)2(1)ibRE
AC
uoc1RCR
C uicRBrbe2(1)RE2RE
一般RBrbe2(1)RE,1。
习题15.7.3 在题15.7.3图所示的差分放大电路中,50,UBE0.7V,输入电压
ui17mV,ui23mV。UC和UB;①计算放大电路的静态值IB,IC及各电极的电位UE,
②把输入电压ui1,ui2分解为共模分量uic1,uic2和差模分量uid1,uid2;③求单端共模输出
uoc1和uoc2;④求单端差模输出uod1和uod2;⑤求单端总输出uo1和uo2;⑥求双端共模输出uoc,双端差模输出uod和双端总输出uo。
-6V
习题15.7.3图
解:①静态值:IB
UEEUBE60.7
10A
RB2(1)RE102(150)5.1
ICIB50100.5mA
UCUCCICRC60.55.13.45V
UEUEE2IERE62(0.50.01)5.10.798V UBIBRB0.01100.1V
②共模输入 uic
ui1ui273
5mV 22
差模输入 uidui1ui2734mV
所以 ui1uic0.5,uid52,ui2uic0.5,uid52
即 uic15mV,uid12mV,uic25mV,uid22mV
③共模电压放大倍数:AC
RC5.1
0.5 2RE25.1
单端共模输出: uoc1uoc2ACuic0.552.5mV
若较精确计算: rbe200(1
26
IE
200(1
260)0.5
852k2.
AC
RC
RBrbe2(1)RE
505.1
0.478
102.8522(150)5.1
uoc1uoc2ACuic0.47852.39mV
④单端差模输出时:Ad1Ad2
RC
RBrbe
505.1
19.84
102.852
uod1Ad1uid119.84239.7mV uod2Ad2uid219.84(2)39.7mV
⑤单端总输出: uo1uoc1uod12.539.742.2mV
uo2uoc2uod22.539.737.2mV
⑥双端输出时:Ad
uodRC
Ad119.84 uidRBrbe
uodAduid19.84479.4mV,uocuoc1uoc20
uouoduoc79.4mV
习题15.7.4 题15.7.4图所示的是单端输入一双端输出差分放大电路,已知50,
UBE0.7V,试计算电压放大倍数Ad
Uo
。 ui
+Ucc
-Ee(-15V)
习题15.7.4图
解:IE
UEUEE0.715
0.5mA
2RE214.3
rbe200(1)
2626
200(150)2.852k IE0.5
Ad
uoR5010
C175.3 uirbe2.852
习题15.8.1 题15.8.1图是什么电路?T4和T5是如何连接的,起什么作用?在静态时,
UA0,这时T3的集电极电位UC3应调到多少?设各管的发射结电压为0.6V。
--15V
习题15.8.1图
解:①题图15.8.1是无输出电容(OCL)的互补对称放大电路。
②T4,T5是连接成二极管,再串联接在T1,T2两基极之间,静态时T4,T5两端的压降为T1,T2提供了一个合适的正向偏压,从而避免产生交越失真;同时也起温度补偿作用。
③UC3应调到0.6V。
习题15.9.1 在题15.9.1图所示的场效应管放大电路中,已知RL30k,
RG12M,RG247k,RG10M,RD30k,RS2k,UDD18V,C1C20.01F,CS10F,管子为3DO1。试计算:①静态值ID和UDS;②ri,ro
和Au;③如将旁路电容CS除去,计算Auf。设静态值UGS0.2V,gm1.2mA/V,
rdsRD。
习题15.9.1图
解:①静态值:UG
RG247
UDD180.413V 3
RG1RG221047
ID
UGUGS0.413(0.2)
0.3mA RS2
UDSUDDID(RDRS)180.3(302)8.4V
②riRGRG1//RG2102//0.04710M
roRD30k (rdsRD) AugmRD1.23036
③除去CS:
UgmRD1.230Auf010.6
Ui(1gmRS)11.22
习题15.9.2 在题图15.9.2的源极输出器中,已知UDD12V,RS12k,
RG11M,RG2500k,RG1M。试求静态值,电压放大倍数,输入和输出电阻。
设USUG,gm0.9mA/V。
习题15.9.2图
解:①UG
RG20.5
UDD124V
RG1RG210.5
USUGUGSUG
ID
USUG41
mA RSRS123
UDSUDDUS1248V
② Au
gmRS0.912
0.92
1gmRS10.912
③ riRGRG1//RG211//0.51.33M
ro
11//RS//121.02k gm0.9
习题15.9.3 场效应管差分放大电路如题图15.9.3所示,已知gm1.5mA/V,求电压放大倍数Au
uo
。
ui
Ui
-15V
习题15.9.3图
解:因为uo与ui反相,所以有:
Au
uo11
gmRD1.51511.25 ui22
截止频率 o
1 RC
其传递函数的模 T
j
其幅角 arctan
0
16.3 典型例题
例16.1 西安电子科技大学2004年硕士研究生入学考试试题
理想运放电路如例图16.1(a)所示,已知两稳压管参数相同,正向导通电压为0.7V,反向击穿电压UZ5.3V,设电容C的初始电压uc0
0。若u
i
3cos210
3
tV,波
形如例图16.1(b)所示。试画出uo1,uo2和uo的波形。
Ui
t
例16.1图
解:由图知A1是一个同相比例放大器,则uo11
R320
uui3ui,即i1R210
3
uo19cos210t(V)。
A2为一个滞回比较器,由条件可知则由两个稳压管稳定的输出uo2为
10(0.75.3)V6V,同相端电压即参考电压为6V3V和3V。
1010
P312