Si_C相图的研究及碳对硅单晶质量的影响
一
相
图的研 究及 碳 对硅 单晶质 量的 响
影梁 吾 邓礼 骏生
郑红
军国 中 科学 半 院 体导 究所研本
文用 气 渗相 杂得 法到 低 氧 区 硅 晶熔 体熔点中附近碳 的 固 度 溶为同
的 碳 量 含 对 体结晶构缺 陷 产 生 的 影 响
・
’
,一
。
并
指出 不
。
当
一京
《
《
。
时
,
二
碳 的 固 溶度表达 式 为 〕
王 〔
”
一
亡
一
’
。求出
相图
的硅
侧
它
、
盗
‘
新
施主 用 〔〕
,
。道 报 说 对 新碳施 主的形 成 有 核 作
,化
高
硅纯单 晶 中 般杂质一 浓度 可 降 至以
“’ ’ 。
总之
研究 碳 的 害有作
,用
,
研硅究单晶
。
一
”,
而碳然
、
氧元
素 含 量 却
’较
热 处 中 理碳的 行 为 必 然要 了 解 碳的溶解 度
高。
。
。直
硅拉单 晶 中碳 含 量一 般
区熔为单 硅 中晶 碳含 量 达
。
。
”
“
然 文 而 中 献 关 碳有 硅 在熔 附点 近的 溶解 度 数
“一
‘ “
值十
分 一不 致
见
等表 〔 〕
和。
一
“
碳 硅在单 晶 中是有 害 杂质
‘ “
。
当碳 含
等的失 重
量
,
〔〕 将
是量
为影 响 明显很 质性
。
一
“
对功时率 件 器的 利
,
不浸入 液
硅 后 求 出
液 硅中碳的 溶 度
〔
解, ,
然后求 出
’〕 。了
,
响影中 子 擅 变 掺杂单晶 的 退
火
再乘, 以 碳的 分 凝 数
一系“
〕 碳 的〔 淀 沉 物降 低 器的 击 穿件 电压
别 分得 到 表 所列的
‘ 了
使
级
对一
曲线
变
,软
〔〕
。
在 锢 掺硅的 单 晶中
族元 素能 形也
〕成
。
,
和人
・
一
。
位代 和 代 位碳锢 结 合 形成
〕 〔 碳和 其余 的。
的
受 主能一
是 人等〔 〕 将 胶 石 墨体 在 涂硅 棒表面 上 ,
、
后然 进 区 行熔
,
当 熔区出
现”
。
。碳 还
降会 低太 能阳电池 的 效 率
,
文
献
时,
测 量
硅 碳中 含量 为
,
一
,
它被
〔
〕 认为 现发
,
当
氧、
碳同 时存 在时
。
碳 会作,为
为 硅 定 熔点 附近碳 的固 溶
人度引们用
此 数
值 经常
,为
氧沉
淀 的 核心形成氧 漩 涡有
对 应 系 关增大
心‘曰
的
我所的 作工〔
但 是 在熔 过区程
中 ,,
局 部硅
的
熔。
拉 硅直单 晶中 的 体 错 密 层度 与 碳 量含,
化时 是 间较 比短 的
很 难
保证 固 碳体 粒颗充
碳当 量含增 时
,
大体层 错密
,
度分
解
溶
,
如
溶果解 饱 不和
。
测 则定值偏 小 〔
〕
。
直
拉硅晶 体
经
,℃
热 理 处时 会产 生
卜
,和
是口 含碳 将量刊卜‘
,网门 八护 ‘
口‘
闷叭
曰
卜川 口 口‘
闷日‘卜一卜口门
毋
‘刁卜
,
一
川
卜
洲
闷口
一目
寸‘
刁口
卜
,一‘
, 口刁
心闷
卜日
一
甲
州
门
一
自门卜叫日
翻
心, 一护
护口 口
加叫卜卜户
司 喇 护
口电流密度
为“
,
脉 镀对改
冲
,
考参
,
文
献
,
善 镀层性 能利有系
阳中
、
,但
使 效 降低 电很多 ,
、
体 球
, 本,
阴极 ・ 反 应电效 小 于
。
这 由 于是 阴碱极 间
,氧
切
,,
属金析 出 或 中 间 价态 化 合 在 物阳化 还 循原 环 致所
力
”
雄
・
,扭
,
・
・
,
・
・・
,
・
年
月
收日到
小蔡
初
稀,有金 属
,
,
。,
较 的多 直拉 硅 单晶 进行 处热
以理下 固相的线 ”
。一 ’
・
,
出求
℃人 引 碳或用 为定测
。
加入钳 祸 测里得 解 溶度,
。
,
外推 熔至 附点近 到
。
得‘,
直硅拉 的 氧含 很 大量 因
,而
,
溶的 度解
・值
要考虑 氧 影的 响〔
“ 直 〕在
必
须在 无 氧 样的 品中 进 行
自
等拉
炉 气中
衰
相熔
附近点 在破 中的硅固 溶
固 度 溶度‘
一
实
验 者
〔〕
”’
,
,
液 按硅 中溶 解度 准标同上
熔硅区 固体 杂 渗
荆,
等〔 〕等
〕
。’ ・,‘
等〔〕 等
〔〕 等 〔 〕”
推 值外直拉
晶 体 据 数外值
,推
”
’,
正值
等校〔为
〕
求得
固 度 溶 的 温度关 系式
一 △ 一“
便
时同 掺 人 氧 和碳 分 千 之一
。
,
也用氢 气 稀释 到含型 区 熔单
。
晶
区 熔是炉 国产
中其△
了‘ 。
。
由
此外推 得到 熔点 时
。
。炉
,
采 用
单 匝 感应 线圈 ,
‘
是北 京 氧气
厂
,一
”
的解溶 度 校正值 算换系数 后
,一
配
定
。
制经 氢气稀释 含量
为
,
入通炉膛 进
‘ 。
为,
这
值数 显 明 低
的一
步释稀
其浓 度 用本所 气 相 色 谱 分 析
,
测
根 以据上 所述
数 值十 不 一分
。致
碳 在 硅 中固 度溶的 文
献此外 碳 单对晶 完 整 性的
影。
晶 体 生长 方向
晶 棒 高多 不纯掺
。
・响
也 是很有 意 的义 题
问
本文是用 气 相方
法的影,
杂
,
体 电阻率为
,晶
对 区熔 。 掺 碳 硅
响性,
,研 究了 碳 含量 对硅 单晶 整
、
完型
采 用缩 细颈 生长 无 位错硅 单晶
,,
熔
。
区
即现 位 错出
漩 涡陷 以 及 多 晶缺
得 测碳 的溶 固度曲 线宜
一
移
动 度为 速 碳 含量位后测 量
,
,转为速
测 定 了 熔点 附近 在碳硅 中 的固 度
溶
,
并
在
固。
用红外 分 光光 度 计 在 室温 下 量测硅 中
代进行
温热处 等理 此 基础上 绘 出
了 相线 固 及 度线溶
。
样 品厚
“约
,
经
磨抛 清 洁处 理,
相
的硅图液 相侧
线、
一
由无碳
”
样
品 作参 比
按下式
,
并 对 此 数进值 行了 讨 论
计
算碳 的 度
浓〕
二
、
实 验方法
式中
显 示
,后
一
考 虑其它 杂 质 碳 在对 硅 溶 解中 的 影度响
,
〕
为
碳浓 度
用
,
为吸
收系
数或
。尤
直其 单拉 晶有
,
‘中。
一
的
氧
样 。品的 完性整用 品
表面 必
用腐蚀剂
。
可
能 会影响 测量
所以 我们 使 区用 熔
考
我法
甲
光
学显 微 镜 观 察 多型 用途 能谱 仪 析分,
,。
样
虑 固 体
碳 粒 或颗们
采用
‘
颗粒 溶速 度 解 较慢
气相掺 杂 法
方,。
,
十
‘为
了 确 定 碳 固 的 溶 曲度线在 硅 对碳沉中淀 影 响的 理
。
同时
阐 明
氧烷
液硅在面表热 分 解
’
碳 进人 熔区
,
样
这
我们 采 用 不同 含 均 用 碳 外红方 法 量
测长生 的晶 体 氧 量 含 均小于 外红检 测 灵 敏
一度
,“
。
的直量 硅拉 品样 及 以 区样熔 进 品 行等热 处温
样
热处品 理 和前
后碳量含。
为,了 较
比
们我 又 用
采
为掺 剂 以
杂
,
氧
热、处 理
前,
样 品 经
化学清 洗 后
送 入 散扩炉 进 行内 热处 理
。
用 高 氢气 纯 氮
、 或 、
时。 晶表结面 虽 然发 灰
,
单但 晶仍 然 常 正生
后以。
气为护气体保淀核 心后
高
,
温
。
热处
理 后将表 面 新磨 抛重、
长
含。 量 加 到
增 ,
,
,熔硅
,
表
洗清 后 再 行进 侧量
碳氧 量含
为了 形 成沉
以上
,
面 出 一 现层膜
并 逐
布渐 熔满区 表面
电 子分谱析
、此
时
样使品 先 在低
,温
℃处
,
理
单晶被 破坏
长 生成多 晶
℃ 处 理〕
热处理
时间直 碳 浓 度到
对
表面 膜进行
,
果结
,
为在
某一 温 度处
。
理,
如图 所
。
示由
。
可 以看 图出
掺 , 碳和不
不再下降 为止
掺 碳
晶表 单 的面
、
线 组 谱本 相基同
然 而 膜 表 上面碳的
,
三显一
验结 实
果 潜分
析
示,出微 弱 的 碳峰组〔
。
〕谱 组 与线前 不者
同,
呈现 典型的
。
型 线谱
表面膜 的 ,
膜 。的出 现 说明液 硅里 的 碳浓 度 已饱
熔区 立
的建合混气体
正
移动 以 常
通后含入,
和
,这
有
。
二 第相 产生
以浮
渣呈 现 的 膜 是
室 里炉 甲 含烷量
约一万 】
林
一
巡吐 七
一
沐射
戳
咯
已 戮对
各
含
七
、,
。
丫
于
电子
云熊峰 的 置位和 形
状,峰
、
图、
硅
面表
,、
高纯 无位 错 硅 晶体 面 表
的
掺 碳 峰 无 错 硅晶 位表体 面的
掺
碳 晶 表面 膜多 的
峰
。
二
无
错 位单昌 和 有 位 错单 昌 与碳 含中 细缩 颈 生长无
,
分
,其
碳含 量
。
由
,到,
,
一
附
的关皿系 碳含的 硅 体 晶在纯
近
,
, 此时液 硅 表 面 现出 渣
浮一。
有位单错晶
被
坏
破‘’
多 部分 晶含碳 量 最 高达 到
所 区得熔 体 晶含中 氧量一 律 于
一
。
位小 错 单晶 通 人区,
当
无 位错 体 稳晶 后定
。
继续向
熔体 中晶
的气
体。
,
随
着 熔区移
动
,碳 向
端尾富 集中含 碳 量 约
为
当 长 晶 生体内含 碳 量 达 一
,到
在掺
度,
过
程 要中 恰 选 当
。
择
的 浓
‘值定时 就 导致 无位错 单 被晶 破 坏 相应 体晶、
’了
一。
有
位 单错 部晶
以致
表面 反 应 生 成 的 来碳不 及 到溶 液硅 去 在 中 液 硅 表
面 ,,
即
不 使
要浓
度太高
形
成
破膜坏晶单
,‘
这 时多晶硅 里 碳 含 量 一“
。
般一为
,
显然
不 能认 这为
‘是
裹样
号品一 一 一
一
宜
拉硅 单舀尾 部 权 碳 含氧含
。量
、
硅 中 碳 的 饱和溶 解
度
如使果 低用的 多次 区 熔 掺
,
。
杂浓
,
一
注
度三
次
,,
一
另一般方
碳
量
含
。
,一
一 方
使 碳面 分充溶 于 硅
中
,‘吕
面
使溶 解 的碳 靠分 作凝用 在 尾部 富集所 得晶体 从 无 位 错 分部 开始
那么
。
。
。
。宜
日
。
中
间 是有位 错
。
部吕
分
,
部尾 现出多 晶 部 分。
。
如图 示 所这样
求 得就 上述 值数
由
表 可 以看出 直在 拉单硅 中晶,
,
当
一氧
含
量高时
,
含碳 量可 以 高
,达
‘
’不而 致 破坏 单 晶
就是 这氧的 响影,
。
生产。
这二 种影 响 的 原 因 似 乎可 考以 虑硅中 氧 和碳 反
应产
〔生
〕一合 物从 而 响碳影的 溶解 度 〕复 物 在 合高 温 不时 易 形 复
。成
几
然 而
〔
,一
所以
这用种 复 物合 来解 不释太 可
能碳
的溶 解度
,
的
提高 可 以 解释 为二 杂质对 晶格畸 变 抵的
消
氧是间 隙 位 会导 致晶 膨格 胀
,
子半 原径
几图
小
碳的 代位是
导 致晶格 缩收
。,
二
互者相 补
偿
硅 掺
晶碳 体 剖纵 化经 腐蚀 显学 照片示无
位
,
错解度得到提溶
高。
然
而,
这
不 是纯硅中
碳
的 固 溶度四
含破
对
无位 错 单 昌徽涡缺 的
’ ’
陷有位错
晶
多影
响 碳当 量 含在
一
范围
“三
区
熔 单晶
用价
碳 和 与宜 叙
,拉
内,
无
位 单错 中 晶 漩的 缺涡陷 与单 中晶 含碳
。
单使用过
,
外红分 析 的结 果
量是
无 关的 我
。
只们要 控 好制拉 减 速 回 熔少 等条
,
为
研了 究含氧晶 体 中碳的 溶 解度
杂掺 剂区熔
。
件
〔晶。
, 〕
即 使 碳量含高 也可 得 以到 无 涡漩 单即 使 是 低 碳 体晶 有也漩
。在
氧化气 氛中 生 无长 气 氛要中困
难如
果控制 不 好 五
位
错 晶单比 在 在 。
不涡 缺
陷
浓为
度无
位错被破 坏 时
,
时
,
“,
长 了无 出位 错一
。
碳在“ 硅中 的 落 固 度 线曲
,
晶单,
碳, 含达 量 到这数值一比
一
。
典 “型的样 退品 后 火 红吸外收谱 如图所 示样 经品
火以后过一
’
氧含 约 为 量气 氛中得 到 的
℃
。
和℃
和
,
退
说
这‘了
要
低
,
处
的吸收 大 大 峰少 减处的碳沉 淀峰
,而
晶 体的中微 缺陷 密度 比
‘中
熔
区,
溶 解 态 的 碳明 浓 度下降 同 括
,
时溶
解 碳 浓度 降 的下
中图 未
包
。 单高晶
掺氧
时
的
。,
并
现 出漩 涡 花
纹。
显然,
由于气
相现出,
拼
成生 防碍 晶生单 长
所以用此 法
同时
样品 的中 隙 氧间 量含也 下 降。
实来
察观 含 碳量 硅 对体 晶 构 的 影 响结 是 不利
了为比
较
,
验证 明直 拉 硅单 晶 碳中 容易沉 淀在
测 法 碳 量 在 硅中的 溶 固
。度
℃范
围 内 用等 温 热处 理 方
,我 们
分析了 直 拉 硅单 晶 部
尾所
得 度温 关如系
含碳 量
,部分
典型 高碳 样 品的 数 据 表如
所图
所示我 们 得 碳到 在 硅中固 溶 度 的 表 式示
为
〔
〕丫
,长’
’
’
一
一
“
民
盯竹
卜
女丈,
宁育卜
一二
,卜 泥
厦
比 原生图,
冲
矛
℃ ℃热℃处 理
,
硅晶体 中碳 的 红外 吸收峰 经
偷
。
‘ 含
图再经
热理
处砍浓度
一
,
‘也
闷
式
中乡乡
,
。
由 此 推外 硅到
熔了‘
相
图硅
’侧
。
。
点时 碳 的固溶 度是
一
“。
这
一 数值
等人
,
口 刃’ 一
,
住
等
‘
一,
固 度 线溶
’“
与 前 三第节一 致
近。
〔〕〔 得 〕 到的 果 结 相 图和 也中绘 出 。
比
’等
。
一
口为
了对 比。
,
以及
等 。 ’〕 者后
。是
一
本工 作
和
的等 。 〕 数据
“ 一
。前
外 者推到 熔时点的
溶,’
解度数 值是
‘
“,
六取 分 凝数 系的溶 解 度 为
一
相 圈 的侧 硅
, 图,
这 些
数 都 值太低
了由 求 所熔 点 附 近的 固溶 度
,
。一“
求 得 液硅 在 点熔附 近
,
。
一
”
,
‘ 护内
盆
按
点熔降
二一,
公低
。式
一
△
求
得熔
点 降 低
相 线为 固和 相线入
中图斑
举 愁 勺侧
。。
由
此 得到
一
相 的图液
,
为 了比 较〔
一
’
,
将 文数 献值也 列
,
图还中有 碳 硅 中 在 的 固度 溶 曲线
。为此 下的
,
座标 取
纵
横座 标 取碳 浓
度
的 数
对种标度
。
在 点熔 以 上
的。
标度和 熔点 以
见图,
标
度 不一样的
是座标 两
喘纵
,
图
…
,
四及户
名
、
。
讨论
工 作是的用
一破在
硅中 的固 度
落、
碳
固的 溶 度线曲七
早
期
。
及
工 作,
工本作
一
一
— 等人工
作浸 人液硅 中
的求失 重 而量 求得 碳 在
硅的 中溶 度 由于
解硅
原中有的 碳 及
加热 过 程 中炉 子入引的
失重碳,
〔〕 会
降。
低
的内,
‘
之间
一,
。
我 们
的实 验表 明。
,
在
此范围
所 这以 种 数据 低偏
,
与 漩碳涡 没 有 对应 的关 系 然 而
。用
等
人 的实验 是用 胶 体 墨 涂石
在棒表硅
面
・掺 杂
的 品样 较比容 出易 现 漩、
经一 次熔区
,
取 在 表面 出现膜 ,
缺陷
涡
乎似
氧
。碳
时 同 存 就 在有 于利微 当 硅 中缺 碳 含 量
为,
时 硅的 含 中 量 作 碳 为固溶 度 实验 得 知 ,
但是
我 们从的
,陷
的成
形了
在出 膜 的 现多 硅 晶
中 用红 外吸。
位
错 生产的 原 因 时 ,
收 法测 碳 的 浓 度有 可能 于 低固溶 得 到 多度 晶 硅中 含 为碳值 与 ,
我
们 也
“
一无 位 错体晶 被破 坏
而 成 。为有
人。
‘
了 的
数,
位错 单 的晶代了
碳共的 价 半 径
,为
,
它取
,
等人
的
‘了
“一
一 相致
人
的
硅,、
、
,
会 导致晶格 收 缩、
在
晶体 如图
但是 这 数值 明显 地 于小 我们 得到 的固 溶数 值度。
断面 横 内所
示。
区 熔硅
中碳 分 布 不 均 匀
,
,
,
其 原 因 能可是 固 碳 体颗粒来 不 及溶 解
。于
硅之 中液
分解 为
,则
一一 一 一 这种 不 均匀产 生 的 变 应 是“
,
。
,
二
书 二暴〔
△
目
甲 烷高温 分解 分十 完
‘全
,甲烷
按 下式
,
一“,
一
”
一今‘
,
按文 献〔 〕 在在
〔士贵
,〕
‘一
〕
时
。
二,
时
和‘
分
别 是 碳 和硅的 价半共 径。
△
分、一
。
即反应 基 本 完全甲烷 一 接 触 到
别 为 晶格 数常变 化 量 和晶 格 常数
“一
碳浓
度
,为
液 硅表 面就 几乎 全完分 解
分解 来出 原 的子,
时
产 生 的应变 为 ,
状
态的 碳 比较 容 易 溶 液于硅 之 中 不 能也用 太 大
的是 经次三 右 左熔 碳区的 正真饱 和 和 一
”
。
即 使如 此。
果如是 错位均 匀成核
为 硅的变切量
模。
则, 要求 力 为
应浓度
,
,
以
免表 面上有 而过
失
配 力不应 以足 产生
位,
多
碳的元 素 来不 及溶解 而 坏 破单晶生 长
错
均 核 匀化 需所 量
之 即 位 产 生错不 是碳分 。
把 碳集富 尾 部到 以达 到
布不 均 匀 生 产的失 配 引起
验 也看 到 沉淀 物
很。可 能
是。
颗
粒 在 生长 界 上 面引 的起 位 错在讨论 们 的 它固溶 度 ‘
’我
们 的 电 实
镜曲 线时也 认 为它们 的 推外值 即
是 太 了低一
△ ,
,
二他 们释解说 能 可 〔 〕
这 是 关一 系到 近 熔 点接
时
丫
州 日 尸舀 移 侧
卜
摇
不就成立 了
从我们
的 果看结。
,
这一关 系
一直到 点熔仍 是然 立成 二
的
”我 求 得们的 固 相线。
…
图
’
‘
熔和点时 碳 的 固溶 度 正好衔 接
丫
五
、
丫
扮,距离 皿也
碳
单晶质
对
的影,
,
晌 碳在硅 中溶解时 是 代 位 式
形仍
然
,
杂为化轨
道‘ ”
所一以 一 般 散扩 很慢。
。
,二
硅晶
休碳内的 径 向 度浓 布
测 分半一径 距离
碳 不 容极 沉易淀
,
。
所
以 果如一 旦用 高速 成 晶结 下来淀下来
,碳 和点缺 陷 都速迅冻
,碳 于 难 由 淀沉
。 不就会 影 微响 陷
,
缺
生成的
,而
氧等
〔
、 同时碳 存 时
。
在二
者能 沉
共
,
结
论
”“
”
。
微
缺陷 就容易 出 现
〕,
用气 相 掺 杂 求法 得低 区氧熔 体晶中
为认 碳 漩与涡 有 关
仔 考
,
细熔
附点 近碳 的 固 溶 度 为
察
其 数
据碳
浓度变 是 在化
碳
在 中含 量 硅 于小
一
时
,钻
在锰
合金 、中的 作用 其及浸 润 机 理 的探
讨周 安
一国
一
赖和恰
北 京 铁 钢学
院
吴青莲
用 浸仪测 定润了
一
卜氏
、
一、。
一
一
一
、
。一
一 液等体 合 金对 的钨 固表
面 浸体 角 并润用 电 理 子 计论 和 解算 释 浸了润 角 改 善 的 因
,原
侧
定 了 镍
、、
铁
、
钻、
锰
四种合 金的 熔
点
,
分
了
析
一凡卜及 加入
、
钻锰以后 的 断口 貌
形
。
,
认为 钻
锰的 加增 强 了人钨 颗 粒 和 粘结
相之
间 的 合强结 度 并解 释 了原 其因 用 锰 以点后阵常 数 的 变 化
。
射线 衍 射 仪 测 定 了 钨 在卜
合 中的 溶解金度 以 及 加人
、钻
。一
、
前
一
、一
户加
铜可 降 低钨 在镍 中 的溶 解度
。
,‘娜
加
口
,
防 并止刀 的相 形 成
。
在 钨加 中入 量少镍 可 明以显 降低 钨 的
烧结温 度 并 得到 高密度 的钨 制 合品 金脆较,
钨
铜 是与 不 相 互 溶 解的
溶可
,解
,
但
熔 融镍在
是
但
一
其 溶
解 度随温度
的
,加
镍 出会现 一个 脆 性的刀相
, ,
降
户
勺
。
而减低 〔少〕
,
等 曾 出 指 卿
, 在户
,
劝目司 , 月场内口・
加户‘ , 抽
口
自
月
口
在
低氧情 况 下 不影 响 涡漩缺 陷 的 现出 否与它
只 与 生 长 条 件 关
。
有细
,
,
,
,
一
,当碳 含
量大 于错 单被晶 破 坏
为量 坏出 现多 晶。
。
’
了。
“
时 无一
,
位梁骏
吾 等 路电 与硅 料材 会议 论
,
・文
【
年第 二 届 全国大 模 集成规
。・
单
晶 构 仍结可 保 持
了
’
。
当
含碳
,
・・ ・
、
・
,,
一
时
,
熔单 晶 被 破 区
范 围内 到
“
・
找,
・
・
・
,
,
,
・
・
在
一
,〔
・・
,
・,
, 的碳固 度溶 可以用 式 〕〔代 表
,
。,
,
,
,
这
式外推到硅 熔 点 时
・
,,
・・
和
固线 相正好 衔接 求得
一
,
,
,
相 图
的硅
侧。,
,
年
弓月
号 收到
,
・,
,人
・
,
・
,
・
参
文
考,
献
,
生
,
・
・・
,
・
・
・邓
,
,
,
,
・
・
・
,
外
,
・・
,
・
七
成
・
,
・】
灿
,
,
,
,,
,
,,
,
梁
骏 吾 等 电路 硅 与料材会 议 论 文
,
・
年 第一 届 全国 大规 模集 成
。・
・・
・
・,
・
・
・,
,
迸,
,
,
而・ ・
,
・
,
一・
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