可控硅参数说明
符号说明：
VRRM--反向重复峰值电压：在控制极断路和额定结温的条件下，可以重复加在可控硅上的交流电压。此电压小于反向最高测试电压100V 。反向最高测试电压，规定为反向漏电流急速增加，反向特性曲线开始弯曲时的电压。
V RSM--反向不重复峰值电压；在控制极断路和额定结温的条件下，不允许加在可控硅上的交流电压。
V DRM ――断态重复峰值电压；断态重复峰值电压是在门极断路而结温为额定
值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压. 国标规定重复频率为50H ，每次持续时间不超高10ms 。规定断态重复峰值电压V DRM 为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）UDSM 的90%.断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo 。
IT(AV)/ IF(AV)--通态/正向平均电流；在环境温度+40℃和额定结温下，导通角不小于170°阻性负载电路中，允许通过的50Hz 正弦半波电流的平均值。 I T(RMS), IF(RMS)――通态/正向方均根电流；是指在额定结温, 允许流过器件的最大有
效电流值，用户在使用中须保证，在任何条件下流过器件的电流有效值，不超过对应壳温下的方均根电流值
I TSM, I FSM--通态/正向浪涌电流；指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定
结温的不重复性最大正向过载电流（半个正弦波t=10ms, 50Hz）
I 2t--表示可控硅所通过的电流产生的能量，是电流的平方乘以时间，表示可控硅的发热特性。
P GM--门极峰值功率；门极触发电压与最大触发电流的乘积；
P G(AV) --门极平均功率；门极触发电压与正常触发电流的乘积；
di/dt--通态电流临界上升率；指在额定结温下，可控硅能承受的最大通态电流上升率（如果电流上升太快，可能造成局部过热而使可控硅损坏） V ISO--绝缘电压；芯片与可控硅的底板之间的绝缘电压。
Tj--工作结温；可控硅在正常工作条件下允许的PN 结温度。
Tjm--额定结温；可控硅在正常工作条件下允许的最高PN 结温度。 Tstg--储存温度；能保证可控硅正常工作的储存温度。
Md--安装力矩/电极连接力矩 ；在安装过程中超过此规定，将造成可控硅的损坏。
IDRM--断态重复峰值电流；为晶闸管在阻断状态下，承受断态重复峰值电压VDRM 和反向重复峰值电压VRRM 时，流过元件的正反向峰值漏电流，该参数在器件允许工作的最高结温Tjm 下测出。
I RRM --反向重复峰值漏电流；为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压
V DRM 和反向重复峰值电压V RRM 时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件
允许工作的最高结温Tjm 下测出
V TM / VFM ――通态/正向峰值电压；指器件通过规定正向峰值电流I FM 或通态峰值
电流I TM 时的峰值电压也称峰值压降，该参数直接反映了器件的通态损耗特
性影响着器件的通态电流额定能力。
VGT--门极触发电压；在额定结温、在阳极和阴极加上正向电压（一般为6V ）时，使元件从阻断状态转为导通状态，控制极所需要的最大的直流电压。也就
是说当触发电路输出的的直流触发电压不小于Vg 就能保证该型号的元件均能可靠的触发而导通。
V G D 门极不触发电压； 在额定结温、在阳极和阴极加上正向阻断峰值电压时，
保证元件处于阻断状态所能加在门极上的最大直流电压。
I GD--不触发电流；在额定结温、在阳极和阴极加上正向阻断峰值电压时，保证元件处于阻断状态所能允许的，加在门极上的最大触发电流。
IGT--门极触发电流；在额定结温、在阳极和阴极加上一定正向电压（一般为6V ）时，保证元件从阻断状态到导通状态，加在门极上的最大触发电流。
dv/dt--断态电压临界上升率；指在额定结温的门极断路的情况下，不导至可控硅从断态到通态转换的外加电压最大上升率
IH--维持电流；在门极断路时。规定环境温度和元件导通条件下，要保持元件能处于导通状态所必须的最小正向电流。
I L------擎住电流；擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态，并移除了触发信号
后，能维持通态所必需的最小主电流。 擎住电流约为维持电流的2到4倍