存储器的比较
第一节、 各个存储器的比较
1. ROM（Read-Only Memory，Mask ROM）
A. 定义：是一种只能读出事先锁存数据的固态半导体存储器；
B. 特性：一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且
资料不会因为电源关闭而消失。
2. PROM或 FPROM (Programmable Read-Only Memory)
A. 定义：PROM或 FPROM指的是“可编程只读存储器”；
B. 特性：
(1). 只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Programming ROM，OTP-
ROM)。
(2). PROM在出厂时，存储的内容全为1，或者全为0；
3. EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)
A. 定义：电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专
用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用（Plug & Play）。
B. 用途：
(1). 常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据；
(2). 常用在防止软件非法拷贝的“硬件锁”上面;
C. 优点：
(1). EEPROM的擦除不需要借助其他设备，它是以电子信号来修改其内容，而且是以Byte为最小单位，
不必将资料全部洗掉；
(2). EEPROM在写入数据是，只需要利用一定的编程电压，只需要厂家提供专用刷新程序就可以轻而易
举的改写内容；
4. EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)
A. 定义：一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）；
B. 特性：
(1). 一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除；
(2). 封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM；
(3). EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压
（VPP=12~24V，随不同的芯片型号而定）；
(4). 擦除窗口必须使用黑色不干胶纸保持覆盖，以免受到周围紫外线照射，而使资料受损； 可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。
5. Flash Rom
A. 定义：闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的
存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位（注意：NOR Flash 为字节存储。），区块大小一般为256KB到20MB。
B. 特性：长寿命的非易失性存储器；
C. 用途：保存设置信息；
D. 分类：
(1). NOR: 更像是内存型的闪存，主要用来存储运行程序代码等，需反复的擦写和修改代码，成本高，容
量小，手机上面的内存主要是NOR型的闪存，因此手机上面的内存容量一般不大；
(2). NAND: 更像硬盘型的闪存，主要用来存储数据资料，成本低，容量大；
6. RAM (Random Access Memory)
A. 定义：随机存取存储器，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)；
B. 特性：
(1). 随意取出或存入数据；
(2). 断电数据消失；
(3). 对静电很敏感；
(4). 访问速度很快；
(5). 需要刷新，刷新是对电容充电的一个过程；
C. 分类：
(1). 静态随机存储器（SRAM）：静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此，它
是靠触发器的自保功能存储数据的。
(2). 动态随机存储器（DRAM）：动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单
元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。