多晶电池扩散工序工艺标准
1 范围
本标准制定了Tempress/Centrotherm/捷佳创DS-300A 扩散炉的扩散参数、加工步骤、过程控制要点以及检测项目等内容。
本标准适用于作为多晶电池扩散工序作业指导书、检验规范编制的依据。
2 引用文件
C-IS-008《多晶电池生产各工序工艺技术参数》
3 产品或在制品生产环境
3.1 环境要求：级别：三千级；温度范围18℃--25℃，湿度:40%--70%.
3.2 外围要求：
3.2.1 Tempress扩散炉外围要求
排风要求：
废排压力：≤-20mmH20
3.2.2 Centrotherm扩散炉外围要求
3.2.2.1 排风要求
总排风：大于1000m ³/h
单体：大于1000m ³/h
气柜废排：大于1000m ³/h
Housing ：大于1000m ³/h
鼓泡器：大于1000m ³/h
3.2.2.2冷却水要求
进水要求：温度：15℃--25℃，最高27℃，最小流量65L/min，去除悬浮物和颗粒，最大压强8bar 绝对值
出水要求：比进水至少小4Bar ，温度最高40℃
3.2.2.3 气体要求
压缩空气：无水、无油，压力4Bar —8Bar
工艺气体的纯度至少达到99.9999%，半导体级要求
氮气压强：400kpa —1000kpa
氧气压强：400kpa —1000kpa
3.2.3捷佳创扩散炉
冷却水：软水，温度：18℃--26℃，水压：4Bar--8Bar
工艺气体的纯度至少达到99.9999%，半导体级要求
氮气压强：400kPa--1000kPa
氧气压强：400kPa--1000kPa
3.2.3捷佳创扩散炉
冷却水：软水，温度：18℃--26℃，水压：0.2MPa--0.4MPa
氮气：0.3MPa--0.6MPa
压缩空气:0.4MPa--0.6MPa
废气排气口: 大于250㎡/h
排气口：大于300㎡/h
4 安全防护措施
着装要求：戴手套、口罩，穿净化服。
5 工艺准备及易耗品
Centrotherm 扩散炉及机械手、tempress 扩散炉、捷佳创扩散炉、方块电阻测试仪、石英舟、防热手套、橡胶手套、口罩、少子寿命测试仪、R2D 机械手。
6 工序工艺流程
硅片装载--扩散--卸载
7工艺要素
7.1工艺配方
制绒后硅片、三氯氧磷、氧气、氮气
7.2工艺参数
参考C-IS-008《多晶电池生产各工序工艺技术参数》相关内容。
8 加工过程控制要点
8.1 扩散后方块电阻控制
工艺方案TP1-70、TP2-70、CT-70、CDF43V01扩散后方块电阻平均值目标为70±3Ω/sq，平均值合格范围是65Ω/sq--80Ω/sq，单点合格范围50Ω/sq--90Ω/sq。在全部45个点中允许有不多于4个点超出范围（＞90Ω/sq或＜50Ω/sq）.
工艺方案90FANGZU(TP2-90)扩散后方块阻平均值目标为90±3Ω/Sq，平均值合格范围是80Ω/Sq--100Ω/sq，单点合格范围70Ω/sq--105Ω/sq。在全部45个点中允许有不多于4个点超出范围（＞105Ω/sq或＜70Ω/sq）
工艺方案TP1-80、TP2-80、CT-80扩散后方块电阻平均值目标为80±3Ω/sq，平均值合格范围是70Ω/sq--95Ω/sq，单点合格范围60Ω/sq--100Ω/sq。在全部45个点中允许有不多于4个点超出范围（＞100Ω/sq或＜60Ω/sq）。
8.2 控制扩散温度在规定范围内，详见C-IS-008《多晶电池生产各工序工艺技术参数》 9 工序在制品标准
扩散表面无斑点和沾污且扩散方阻符合8.1要求
10 产品包装、储存、周转运输要求
若不立即进行湿法刻蚀工艺，应用包装膜包好保存和运输。