集成电路设计基础复习
1. 在P衬底硅片上设计的PMOS管可以分为n+层、SiO2层、多晶硅层、金属层和N井层。
2. 在集成电路设计中,制造厂商所给的工艺中有R□为它成为(方块电阻)。 3. MOS管元件参数中的Cox是栅极单位面积所具有的(电容值)。
4. 对于NMOS而言,工作在饱和区中,其漏电流ID等于(ID
1W
PCox(VGSVTH)2),不能使用β或K来表示。 2L
5. 对于PMOS而言,工作在饱和区中,其漏电流ID等于
1W
(IDPCox(VSG|VTH|)2),不能使用β或K来表示。
2L
6. 对于工作在饱和区的NMOS而言,其gm等于(gm驱动电压表示。
2ID
),只能有ID和过
VGSVTH
7. 对于工作在饱和区的NMOS而言,其gm
等于(gmID、W、L以及工艺参数表示。
,只能有)8. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域,可以作为MOS电阻的区域为(深度三极管区)。
9. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中,可以作为电流源的区域为(饱和区)。
10. 对于NMOS而言,导电沟道形成,但没有产生夹断的外部条件为(VDS小于VGS-VTH)。
11. 差动信号的优点,能(有效抑制共模噪声),增大输出电压摆幅,偏置电路更简单和输出线性度更高。
12. 分析MOS共栅放大电路,其电流增益约等于(1)。
13. 差动信号的优点,能有效抑制共模噪声,增大输出电压摆幅,偏置电路更简单和(输出线性度更高)。
14. 共源共栅电流镜如下图所示,当VX电压源由大变小的过程中,M2和M3管,(M3)先退出饱和区。
1. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中,可以作为电流源的区域为( B )。
A 线性区 B 饱和区 C 截止区 D 三极管区
2. 根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中,可以作为MOS电阻的区域为( A )。
A 深度三极管区 B 饱和区 C 截止区 D 放大区
3.通常要形成N型半导体需要在本征半导体中掺入( A )杂质。 A 磷
B 硼
C 碳
D 铝
4.通常要形成P型半导体需要在本征半导体中掺入( B )杂质。 A 磷
B 硼
C 碳
D 铝
5. 在P衬底工艺下,PMOS管的导电沟道是由N井中的( B )形成的。 A 自由电子 B 空穴 C 负电荷 D 正电荷
6. 在P衬底工艺下,NMOS管的导电沟道是由P衬底的( A )形成的。 A 自由电子 B 空穴 C 负电荷 D 正电荷
7. 对于NMOS而言,工作在饱和区的外部条件为( A )。 A VGS大于VTH,VDS大于VGS-VTH B VGS大于VTH,VDS小于VGS-VTH C VGS小于VTH,VDS大于VGS-VTH D VGS小于VTH,VDS小于VGS-VTH
8. 对于NMOS而言,工作在三极管区的外部条件为( B )。 A VGS大于VTH,VDS大于VGS-VTH B VGS大于VTH,VDS小于VGS-VTH C VGS小于VTH,VDS大于VGS-VTH D VGS小于VTH,VDS小于VGS-VTH
9. 在集成电路设计中,由MOS管物理特性制作的MOS电容,导电沟道形成后,其电容值等于( C )。 A WCov
B (2/3)WLCox+WCov C CoxWL
D (1/2)WLCox+WCov
10. 在集成电路设计中,无源器件扩散电阻R= R□(L/W),其中R□是由工艺( A )所决定的。 A 单位面积上的电阻
B 输出电阻
C 输入电阻
D 交流电阻
11. 下图为共模差分放大电路,M1和M2之间存在失配,下列哪种情况不会引入差模增益( D )。 A W/L失配 B VTH失配 C RD失配
D 尾电流源ISS的内阻不是无穷大
12. 电流镜如图所示,已知(W/L)1=(W/L)0,(W/L)2=2(W/L)0,(W/L)3=3(W/L)0,(W/L)4=4(W/L)0,问I1和I4的电流等于( B ) A I1=IREF,I4= 4IREF B I1=IREF,I4= 8/3IREF C I1=2IREF,I4= 4/3IREF D I1=2IREF,I4= 2IREF
1. 用流程图的表达方式说明模拟集成电路的设计流程。
2. 说明下图差分放大电路的缺点,并画出改进后的差分电路图。
1. 负载式共源放大电路如图所示,假定M1工作在饱和区,其特性参数为:W/L=50μm/1μm,μnCox=1.34×10-4A/V2,λ=0.05V-1。静态时的漏电流ID=2mA;RD=2kΩ;考虑沟道长度调制效应和体效应;求:(1)画出等效电路图;(2)计算小信号电压增益和输出电阻;
gmro
5.2103
1
10k ID
AVgmro//RD8.7 rout
1
10k ID
routro//RD1.7k
2. 电路如图所示,已知(W/L)1=40,I1=1mA,IS=0.75mA,μnCox=1.34×10-4A/V2, μpCox=3.84×10-5A/V2,VTHN=0.7V,VTHP=-0.8V, 当M1工作在饱和区和三极管区的临界上时,忽略沟道长度调制效应和体效应。求:(W/L)2。 ∵M1工作在三极管和饱和区边界,M2工作在饱和区 ∴可以得到下面四组方程式
ID1
12W
NCoxVGS1Vthn 2L1
ID2
1W
PCoxVSG2Vthp2L2
2
ID1ID2IS VoutVinV th
W
Vin1.31V,5.16
L2
1. 已知电路如下图所示,忽略沟道长度调制效应和体效应,VDD=3V,R1=R2,VTH=-0.8V,Vx从0V变到3V,画出Ix和Vx的函数曲线草图。注意临界点的Vx数值要标注。
VSGVDDVx
R11
3VxR1R22
VSDVDDVx3VxVx从03V,VSDVSG
所以,只要VSGVth,PMOS就工作在饱和区VSG0.81.5-0.5Vx0.8
0Vx1.4,PMOS饱和区,Ix
1WPCox2L
R1
V-V+Vth;DDx
R1+R2
2
Vx1.4,PMOS截止区,Vx=0;
x
2. 已知电路如下图所示,忽略沟道长度调制效应和体效应,VDD=3V,R1=R2,VTH=0.7V,Vx从0V变到3V,画出Ix和Vx的函数曲线草图。注意临界点的Vx数值要标注。
VGSVDDVx
R21
3VxR1R22
VDSVDDVx3VxVx从03V,VDSVGS
所以,只要VGSVth,NMOS就工作在饱和区VGS0.71.5-0.5Vx0.7
0Vx1.6,NMOS饱和区,Ix
1WNCox2L
R2
V-V-Vth;DDxR1+R2
2
Vx1.6,PMOS截止区,Vx=0;
x
3. 集成电路版图题