前后清洗总结

前后清洗总结

前清洗【清洗制绒】

一、制绒流程

单晶：预处理——制绒（NaOH ）——酸洗（HF ，HCL ）——热水慢提拉——热水烘干 多晶：制绒——漂洗——碱洗——漂洗——酸洗——漂洗——烘干

二、原理

单晶：利用碱（NaOH) 、异丙醇（IPA ）与睡的混合液对单晶硅片的各项异性腐蚀，在表面形成类似“金字塔”状的绒面，有效增加硅片对入射太阳光的吸收，从而提高光生电流密度。 多晶：由于多晶晶体排列杂乱，无法利用碱液对硅晶体的各项异性腐蚀进行制绒，所以要用酸溶液对硅晶体进行各项同性腐蚀。即通过硝酸与氢氟酸的混合溶液对硅片表面腐蚀进行制绒。

三、影响制绒面质量的关键因素

单晶：碱的浓度、反应温度、添加剂浓度、IPA 浓度、NaSiO3浓度、体系流动性、硅片表面原始状态。

多晶：HF 浓度、制绒温度、腐蚀时间、制绒液寿命、反应连续性、HNO3浓度、溶液流动性、原硅片表面损伤层状态。

四、监控手段

单晶：减薄量、反射率、绒面尺寸、颜色一致性、扩散后外观

多晶：减薄量、反射率、网纹等级、扩散后外观

五、用到的化学品

单晶：NaOH 、HF ，HCL （酸洗）、IPA （异丙醇）

多晶：NaOH （碱洗）、HCL+HF（酸洗）、HNO3（硝酸）

六、硅片表面处理的目的

1、去除硅片表面的机械损伤层（来自硅棒切割的物理损伤）

2、清楚表面油污和金属杂质

3、形成起伏不平的绒面，增加对太阳光的吸收，增加PN 结面积，提高短路电流（ISC), 最终提高电池转换效率。

七、预处理

目的：去除硅片表面的机械损伤层，油污等，减少白斑、白点的产生，为制绒创造一个良好的反应环境。

漂洗：利用去离子水将硅片表面的残留化学品漂洗干净。

八、单晶碱制绒会出现哪些不良及相应处理

色差：由于反应速率不一致引起的绒面大小不一。

发白：表面清洗剂残留阻碍反应，而发白部分绒面极小。

划痕：切片损伤

指纹印：主要为操作问题及所使用的手套问题。

雨点：反应较快，产生的氢气泡不能及时排出。

九、前后清洗有哪些槽

制绒槽、碱洗槽、酸洗槽。

十、影响腐蚀量的因素

溶液温度、反应时间、溶液浓度。

后清洗【刻蚀】

一、刻蚀目的

去除扩散后硅片四周的N 型硅，防止漏电。

二、原理：SiO2+6HF→H2[SiF6]+2H2O

在扩散工艺中，在硅片表面形成一种含有磷元素的二氧化硅——磷硅玻璃，利用HF 能够溶解二氧化硅的特性，溶解表面的二氧化硅和磷的混合物，使得硅片表面上下绝缘，防止漏电。

三、工艺流程

上料—刻蚀—水洗—碱洗—水洗—酸洗—水洗—风干—下料

四、刻蚀所用的化学品

硝酸（HNO3）、氢氟酸（HF ）、硫酸（H2SO4）、氢氧化钠（NaOH ）

五、各槽的作用

①刻蚀槽：硝酸将硅氧化生成二氧化硅，氢氟酸与二氧化硅的反应生成物进入溶液，硫酸不参加反应，增大溶液的粘度，增大溶液与PSG 薄层间的张力和溶液的密度。

②碱槽：中和硅片残留的酸液，去除多孔硅。

③HF 槽：去磷硅玻璃、中和硅片表面残留的碱液。

④水洗槽：洗去硅片表明残留液。

六、去磷硅玻璃（P 、P2O5、SiO2）

目的：①磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。 ②：死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了VOC 和ISC 。

③磷硅玻璃的存在使得PECVD 后产生色差。

七、质量控制点

1、减薄量（一天测一次）

a 、前清洗（制绒前-制绒后）

单：0.45~0.78g

多：0.36~0.42g

b 、后清洗（刻蚀前-刻蚀后）

单：0.05~0.07g

多：0.06~0.08g

2、反射率（一天测多次）

单：10.35~11.65（一天测三次，一次拿三片）（4、5、7、8、10）

多：24.5~26.5（一天测五次，一次拿五片）

3、边阻（一次）

＞1.5K Ω 正常

0.8K Ω~1.5KΩ调整 ＜0.8K Ω停产

注：前清洗要测减薄和反射率

后清洗要测减薄和边阻值

扩散学习报告

一、扩散的目的：形成PN 结

PN 结的制造：①不是两块P 型和N 型的半导体接触

②必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P 型区域，一部分是N 型区域

③在晶体内部实现P 型和N 型半导体的接触

二、影响扩散的因素

(1)POCl3浓度 （2）扩散温度 （3）扩散时间

N 型区域磷浓度和扩散结深共同决定着方块电阻的大小

方块电阻：表面为正方形的半导体薄层在电流方向所呈现的电阻。

—即是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。

—标志扩散到半导体中的杂质总量的一个重要指数。

三、扩散的原理（三氯氧磷在600℃高温下分解生成五氯化磷和五氧化二磷）

化学反应：POCl3在高温下（＞600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5)

四、扩散的操作流程

上料→插片→进舟→扩散→推舟→在线测方块电阻→卸片。

注：测试如有偏差，按工艺规定在四探针测试仪上进行离线测试，如离线测试确认偏差应及时反馈技术进行调整。

五、测量方块电阻方法：①在线测试仪器—Semilab

②离线测试仪器—四探针测试仪

如果发现方阻不正常的片子该怎么做？

超OOC （控制限）反馈技术调整

超OOS(规范限）反馈技术

六、扩散的工艺

多晶UNIF —90A 中心值90±5

警戒线80和100

单晶MONO —70B 中心值80±5

警戒线70和90

超OOC ，反馈技术调整，并跟踪调整的结果。

超OOS ，反馈技术若需换源手动则可流入下道工序，若其他原因则返工。

七、单多晶扩散返工挑选标准

单晶：方阻异常和严重烧焦、石英舟舟印、卡齿印

多晶：方阻超范围、扩散不完全或烧焦。

注：常用的扩散方法有三种

我公司采用三氯氧磷（P0Cl3）液态源扩散方式。

巡检在扩散过程中抽测时应注意单晶和多晶、一二线、三四线、五六线的抽片顺序。

PECVD 学习报告

一、PECVD ：全称为“Plasma Enhanced Chemical Vapor Depositien ”即等离子增强型化学气相沉积。

解释：PECVD 是借助微波反射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

二、目的：（一）镀减反射薄膜→可以有效降低光的反射率。

（二）表面钝化作用→增加少子寿命，进而增加3ISC 和VOC 。

↓

即在表面形成一道膜，有助于在烧结中保护PN 结。

三、原理：3SiH4+4HN3→Si3N4+12H2↑

沉积工艺中产生的H 和氢离子使得晶片的氢钝化性良好，根据改变硅烷（SiH4）对氨的比率，来得到不同的折射指标。

四、工艺及折射率

单晶L3、L4 SN —2 2.07±0.04/0.05

多晶L1、L2、L5、L6 N6 2.23±0.04/0.05

五、PECVD 异常案例分析

1、镀膜后整舟色差片

原因：舟使用次数超过工艺规定的使用次数

措施：按工艺要求舟使用的次数或镀膜出现差片时进行清洗

巡检：①关注舟使用次数，镀膜后是否出现批量色差片

②查看舟使用记录，填写是否规范

③查看洗舟房《石墨舟清洗记录表》记录是否完善，清洗烘干时间是否按照工艺要求执行，清洗吹干后是否进行拆洗。

2、镀膜出现整舟金黄片

原因：返工片重新镀膜，工艺时间输入出错，造成二次镀膜。

措施：由于技术员输入返工片的镀膜时间

巡检：巡查时关注返工片的类型和数量，是否有批量同类返工片。是否有批量黄金片，及时反馈技术确认原因。

六、PE 需要点检的项目

（1）返工片情况 色差 红片 白片 白斑白点 过刻 脏污 花片

（2）石墨舟使用情况①使用100次成出现批量色差片，记录表单 ②石墨舟破损→统计播报

（3）设备维修挂牌，运行状况

（4）测试折射率

七、PE 改数据