移相全桥模块损耗计算
02-09
7.4移相全桥模块损耗
由于IPOSIM 效率仿真软件中没有移相全桥拓扑的模型，所以需要通过英飞凌提供的损耗公式来计算。IGBT 及反并联二极管导通时候的损耗模型可以等效为一个电压源和一个电阻的串联：
u CE (i C )=u CE 0+r C i C u D (i D )=u D 0+r D i D
额定电流下u CE (t )=1.6V ，u D 0=1.5V ，则IGBT 和二极管导通时的瞬时功率损耗为
2
p CT =u CE (t )i C (t )=u CE 0i C (t )+r C i C (t )=58.4W
2
P W CD =u D 0i Dcav +r D I Drms =10.95
开关过程中的损耗与开关器件开通关断时间，以及此时系统工作电流相关。技术手册上可以查询得到IGBT 开通和关断的损耗曲线及其反并二极管反向恢复能量曲线，因此可以根据这两个曲线来计算得到开关损耗。查得开通损耗
E C
o f f
E Con (I nom , V nom )=0.45mJ
，关断损耗
(
I , n o V m )=n 2m J E rec (I nom , V nom )=1.5mJ ，工作电流具体o . m 20，反向恢复损耗
计算式如下所示：
P swC =
1
π
(E (I
Con
nom
, V nom )+E Coff (I nom , V nom ))f sw
i p V dc
=5.2W
I nom V nom
P swD
i ⎛⎫V
=f sw E rec (I nom , V nom ) 0.45p +0.55⎪dc =4.65W πI nom ⎝⎭V nom 1
满载下移相全桥的总损耗为
P PSFB =(P CT +P CD +P swT +P swD )=79.2W