RCD吸收电路

RCD 吸收电路

RCD 吸收电路它由电阻Rs 、电容Cs 和二极管VDs 构成。电阻Rs 也可以与二极管VDs 并联连接。RCD 吸收电路对过电压的抑制要好于RC 吸收电路，与RC 电路相比Vce 升高的幅度更小。由于可以取大阻值的吸收电阻，在一定程度上降低了损耗。

目录

RCD 吸收电路的原理

RCD 吸收电路的设计

RCD 吸收电路与RC 电路的比较

RCD 吸收电路的影响

RCD 吸收电路的原理

若开关断开，蓄积在寄生电感中能量通过开关的寄生电容充电，开关电压上升。其电压上升到吸收电容的电压时，吸收二极管导通，开关电压被吸收二极管所嵌位，约为1V 左右。寄生电感中蓄积的能量也对吸收电容充电。开关接通期间，吸收电容通过电阻放电。

RCD 吸收电路的设计

一﹑首先对MOS 管的VD 进行分段：

ⅰ，输入的直流电压VDC ；

ⅱ，次级反射初级的VOR ；

ⅲ，主MOS 管VD 余量VDS ；

ⅳ，RCD 吸收有效电压VRCD1。

二﹑对于以上主MOS 管VD 的几部分进行计算：

ⅰ，输入的直流电压VDC 。

在计算VDC 时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V ，即DC375V 。 VDC ＝VAC *√2

ⅱ，次级反射初级的VOR 。

VOR 是依在次级输出最高电压, 整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（依Vo =5.25V计算），二极管VF 为0.525V （此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF 值）．

VOR ＝(VF +Vo)*Np/Ns

ⅲ，主MOS 管VD 的余量VDS ．

VDS 是依MOS 管VD 的10%为最小值．如KA05H0165R 的VD=650应选择DC65V ． VDS ＝VD* 10%

ⅳ，RCD 吸收VRCD ．

MOS 管的VD 减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD 的最大值。实际选取的VRCD 应为最大值的90%（这里主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。 VRCD ＝(VD-VDC -VDS)*90%

注意：① VRCD 是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合． ② VRCD 必须大于VOR 的1.3倍．（如果小于1.3倍，则主MOS 管的VD 值选择就太低了）

③ MOS 管VD 应当小于VDC 的2倍．（如果大于2倍，则主MOS 管的VD 值就过大了） ④ 如果VRCD 的实测值小于VOR 的1.2倍，那么RCD 吸收回路就影响电源效率。 ⑤ VRCD 是由VRCD1和VOR 组成的

ⅴ，RC 时间常数τ确定．

τ是依开关电源工作频率而定的，一般选择10~20个开关电源周期。

三﹑试验调整VRCD 值

首先假设一个RC 参数，R=100K/RJ15, C="10nF/1KV"。再上市电，应遵循先低压后高压，再由轻载到重载的原则。在试验时应当严密注视RC 元件上的电压值，务必使VRCD 小于计算值。如发现到达计算值，就应当立即断电，待将R 值减小后，重复以上试验。（RC 元件上的电压值是用示波器观察的，示波器的地接到输入电解电容“＋”极的RC 一点上，测试点接到RC 另一点上）

一个合适的RC 值应当在最高输入电压，最重的电源负载下，VRCD 的试验值等于理论计算值。

四﹑试验中值得注意的现象

输入电网电压越低VRCD 就越高，负载越重VRCD 也越高。那么在最低输入电压，重负载时VRCD 的试验值如果大于以上理论计算的VRCD 值，是否和（三）的内容相矛盾哪？一点都不矛盾，理论值是在最高输入电压时的计算结果，而现在是低输入电压。

重负载是指开关电源可能达到的最大负载。主要是通过试验测得开关电源的极限功率。 RCD 吸收电路与RC 电路的比较

采用RC 、RCD 吸收电路也可以对变压器消磁，这时就不必另设变压器绕组与二极管组成的去磁电路。变压器的励磁能量都在吸收电阻中消耗掉。RC 与RCD 吸收电路不仅消耗变压器漏感中蓄积的能量，而且也消耗变压器励磁能量，因此降低了变换器变换效率。RCD 吸收电路是通过二极管对开关电压嵌位，效果比RC 好，它也可以采用较大电阻，能量损耗也比RC 小。

RCD 吸收电路的影响

1.RCD 电容C 偏大

电容端电压上升很慢，因此导致mos 管电压上升较慢，导致mos 管关断至次级导通的间隔时间过长，变压器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC 电路上 。

2.RCD 电容C 特别大（导致电压无法上升至次级反射电压）

电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量全部消耗在RCD 电路中的电阻上，因此次级电压下降后达成新的平衡，理论计算无效了，输出电压降低。

3.RCD 电阻电容乘积R×C偏小

电压上冲后，电容上储存的能量很小，因此电压很快下降至次级反射电压，电阻将消耗初级励磁电感能量，直至mos 管开通后，电阻才缓慢释放电容能量，由于RC 较小，因此可能出现震荡，就像没有加RCD 电路一样。

4.RCD 电阻电容乘积R×C合理，C 偏小

如果参数选择合理，mos 管开通前，电容上的电压接近次级反射电压，此时电容能量泄放完毕，缺点是此时电压尖峰比较高，电容和mos 管应力都很大

5.RCD 电阻电容乘积R×C合理，R ，C 都合适

在上面的情况下，加大电容，可以降低电压峰值，调节电阻后，使mos 管开通之前，电容始终在释放能量，与上面的最大不同，还是在于让电容始终存有一定的能量。