半导体物理学
基本资料
半导体物理学
作者: 孟宪章
出版社:
出版年: 1993年12月第1版
页数:
定价: 4.2
装帧:
ISAN:
内容简介
包括:晶体结构、半导体中的电子状态、电荷输运现象、半导体的光学性质等13章。
书 目:
举报失效目录
超星
第一章 晶体结构
1.1 晶体内部结构的周期性
1.2 晶体的对称性
1.3 倒格子
1.4 常见半导体的晶体结构
第二章 晶格振动
2.1 一维均匀线的振动
2.2 一维单原子晶格的振动
2.3 一维晶格原子振动的能量,简正坐标
2.4 一维双原子晶格的振动
2.5 三维晶格的振动
2.6 声子的统计
第三章 半导体中的电子状态
3.1 晶体中的能带
3.2 在外力作用下晶体中电子的运动
3.3 导带电子和价带空穴
3.4 硅、锗和砷化镓的能带结构
3.5 杂质和缺陷能级
第四章 电子和空穴的统计分布
4.1 状态密度
4.2 费米分布函数
4.3 能带中的电子和空穴浓度
4.4 本征半导体
4.5 杂质能级的占据几率
4.6 只含一种杂质的半导体
4.7 有杂质补偿的半导体
4.8 简并半导体
第五章 电荷输运现象
5.1 载流子的散射
5.2 电导现象
5.3 霍尔效应
5.4 玻尔兹曼方程和非平衡分布函数
5.5 电导的统计理论
5.6 霍尔效应的统计理论
5.7 磁阻效应
第六章 半导体中的热效应
6.1 热导率
6.2 热电效应
6.3 热磁效应
第七章 非平衡载流子
7.1 非平衡载流子的产生和复合
7.2 连续性方程
7.3 非本征半导体中非平衡少子的扩散和漂...
7.4 少子脉冲的扩散和漂移
7.5 近本征半导体中非平衡载流子的扩散和...
7.6 复合机理
7.7 直接辐射复合
7.8 直接俄歇复合
7.9 通过复合中心的复合
第八章 半导体中的接触现象
8.1 外电场中的半导体
8.2 热电子功函数
8.3 金属与金属接触,接触电势差
8.4 金属-半导体接触
8.5 金属-半导体接触中的整流现象
8.6 二极管整流理论
8.7 扩散整流理论
8.8 半导体P-N结
8.9 P-N结整流现象
8.10 窄P-N结理论
8.11 N+-N和P+-P结
8.12 异质结
8.13 简并半导体的P-N结,隧道二极管
8.14 欧姆接触
第九章 半导体表面
9.1 表面态及表面空间电荷区
9.2 空间电荷区的理论分析
9.3 表面场效应
9.4 表面复合速度
9.5 理想MOS的电容-电压特性
9.6 实际MOS的C-V特性
9.7 表面量子化
第十章 半导体的光学性质
10.1 半导体的光学常数
10.2 本征吸收
10.3 激子吸收和其它吸收过程
10.4 光电导
10.5 丹倍效应和光磁效应
10.6 光生伏特效应
第十一章 能带论基础
11.1 晶体的薛定格方程式
11.2 绝热近似法和原子价近似法
11.3 单电子近似法
11.4 布洛赫定律
11.5 紧束缚近似法
11.6 能带中电子的状态数
11.7 准动量
11.8 布里渊区
11.9 能带底和能带顶电子的能量和波矢关系...
11.10 外电场作用下能带的倾斜
11.11 有效质量近似法
11.12 几种半导体的能带结构
第十二章 超晶格物理基础
12.1 超晶格的定义
12.2 半导体能带结构的特征及超晶格类型
12.3 超晶格的电子状态特征参数
12.4 单一势阱中的电子状态
12.5 子能带的形成
12.6 超晶格中的电子状态
12.7 超晶格的光学性质
12.8 GaAs/AlGaAs超晶格的吸收谱
12.9 超晶格中的掺杂
第十三章 非晶态半导体
13.1 非晶态半导体的特点
13.2 非晶态物质的半导体性质
13.3 非晶态半导体的状态密度
13.4 非晶态半导体的电学性质
13.5 非晶态半导体的光学性质
13.6 可逆相转变
13.7 内部储存能及其性质变化
13.8 氢化非晶硅(a-Si∶H)
习题
附录1 物理常数
附录2 重要半导体的性质
附录3 硅、锗和砷化镓的性质(300K)
参考书目
1_xyz