关于开关管RC吸收回路
考虑初始状态I1（0）=Io，I1’（0）=(Vin-Vo)/L，其中Io 为开关管关闭时电流的最大值， 应用拉普拉斯变换得到变换后的方程：
G :=
(R Io + L S Io + Vin − Vo ) C
2
R C S + 1 + L C S
这是个2阶系统，应当让其工作在过阻尼状态防止振荡，因此要保证极点有2个相异实
L
应用拉普拉斯逆变换可以得到电流I1(t)的解：
根，得到2
1(R C Io + R 2C 2 − 4L C Io + 2C (Vin − Vo ) ) e
I1(t ) =
2R 2C 2 − 4L C
1(R C Io − R 2C 2 − 4L C Io + 2C (Vin − Vo ) ) e − 2R 2C 2 − 4L C
22⎛(R C − R C − 4L C ) t ⎞⎜⎟
⎜⎟−1/2⎜⎟L C ⎝⎠
22⎛(R C + R C − 4L C ) t ⎞⎜⎟⎜⎟⎜−1/2⎟L C ⎝⎠
电感L 上的电压：
⎛⎜1⎜2222
VL := L ⎜−R C − 4L C Io 2C (Vin − Vo ) (R C
− R C − 4L C ) (R C Io + + ) ⎜4
⎝
e
⎛(R C − R 2C 2 − 4L C ) t ⎞⎜⎟⎜⎟⎜−1/2⎟L C ⎝⎠
(R 2C 2 − 4L C L C ) +
1
4
(R C Io − R 2C 2 − 4L C Io + 2C (Vin −
Vo ) ) (R C + R 2C 2 − 4L C )
22⎛(R C + R C − 4L C ) t ⎞⎜⎟
⎜⎟−1/2⎜⎟L C ⎝⎠
e
⎞
⎟⎟
(R 2C 2 − 4L C L C ) ⎟⎟
⎠
二极管D 上的电压：
⎛⎜1⎜22
Vd := Vin − L ⎜−R C − 4L C Io + 2C (Vin − Vo ) ) (R C Io + ⎜
4
⎝
(R C − R 2C 2 − 4L C ) e
⎛(R C − R 2C 2 − 4L C ) t ⎞⎜⎟⎜⎟⎜−1/2⎟L C ⎝⎠
(R 2C 2 − 4L C L C ) +
1
4
(R C Io − R 2C 2 − 4L C Io + 2C (Vin −
Vo ) ) (R C + R 2C 2 − 4L C )
22⎛⎞(R C + R C − 4L C ) t ⎟⎞⎜
⎜⎟⎟⎜−1/2⎟L C ⎟⎝⎠e (R 2C 2 − 4L C L C ) ⎟⎟ − Vo
⎠
假定L=0.1uH，C=220pF，V o=12V，Vin= -60V（此时MOSFET ON，变压器次级电压反向，Vin 由12V 跳变为-60V ），R=2*sqrt（L/C）=42.6ohm。 DCM状态下Io=0，考虑不同的R 值对波形的影响：
电流I1(t)波形
电感L 上的电压波形
二极管D 电压波形
吸收电容C 电压波形
可以看到阻值越小，电压电流的波形振荡越多，峰值越高，越容易对回路产生不利影响，因此要保证工作在过阻尼状态，电阻R 不能取小。
考虑R=47ohm时不同电容C 对波形的影响：
电流I1(t)波形
电感L 上的电压波形
二极管D 电压波形
吸收电容C 电压波形
可以看到电容C 越大，电压电流变化率会减小，并且电压的过冲会减小，这样对EMI 会有好处，但是峰值电流会变大。
考虑此时电阻R 上的功率消耗，假定回路工作频率50KHz ：
可以看到正常情况下吸收电阻消耗的功率与R 值大小无关，只与C 及C 两端的电压有关，因此可以看到改善EMI 是以增加消耗功率为代价的，会降低回路的总体效率，因此C 也不能取太大，此时P=1/2*C*(Vin-Vo)^2*f 。 需要看到此时吸收回路吸收的不是漏感L 上的能量，而是电压跳变在电容C 上产生的能量。
考虑在CCM 状态下，设Io=1A和2A C=220pF时不同R 值对波形的影响：
1A 时电流I1(t)波形
2A 时电流I1(t)波形
1A时电感L 上的电压波形
1A 时二极管D 电压波形
1A 时吸收电容C 电压波形
2A 时电感L 上的电压波形
2A 时二极管D 电压波形
2A 时吸收电容C 电压波形
R=47ohm时不同C 值对波形的影响：
1A 时电流I1(t)波形
1A 时电感L 上的电压波形
1A 时二极管D 电压波形
2A 时电流I1(t)波形
2A 时电感L 上的电压波形
2A 时二极管D 电压波形
1A 时吸收电容C 电压波形
2A 时吸收电容C 电压波形
可以看到当截止电流比较大时，电阻越大电流下降越慢，吸收电容上初始电压就会越高，对电容耐压要求就会越高，此时电感L 及二极管D 两端电压变化也会更快，对回路产生不利影响的可能性会更大，因此吸收电阻R 取值也不能太大。 吸收电容上有初始电压是因为考虑二极管关断时两端电压不能突变，电感L 电流也不能突变，从而电流经吸收电阻在吸收电容上产生了初始电压。 吸收电容的增大可以减小电压电流的变化率。
考虑此时吸收电阻R 消耗的功率：
1A 时吸收电阻消耗的功率 2A 时吸收电阻消耗的功率
可以看到吸收功率始终随吸收电容C 值的增大而增大，但是不同的截止电流随吸收电阻R 值的变化会有不同的变化。 因此可以根据EMI 的情况选取合适的C 值，然后由此C 值确定R 值。
可以考虑一种确定R 、C 值的方法，在最大截止电流的情况下确定吸收电容C 上的起始电压，这时可以计算出R 值，这个R 值是最大值，然后再由R 值计算出C 值，这时的C 值是吸收电容的最小值。
考虑结二极管电容Cd 的影响，设Cd=15pF：DCM 状态：Io=0，
电感L 电流IL
吸收电容C 电流Ic
结电容Cd 电压 结电容Cd 电流Id
电感L 电压
吸收电容C 电压
以上是不同的吸收电阻R ，考虑不同的吸收电容C ：
电感L 电流IL
吸收电容C 电流Ic
结电容Cd 电压
结电容Cd 电流Id
电感L 电压
吸收电容C 电压
可以看到如果吸收电阻R 偏大，流过结电容的电流也会增加，并且震荡也比较厉害，对二极管D 会有不利影响，起不到保护二极管的作用。
吸收电容C 的加大可以减小电压电流的变化率。
考虑CCM 状态，Io 分别为1A 、2A ：
C=220pF，不同R 的影响：
1A 时电感L 的电流
1A 时结电容Cd 的电流
2A 时电感L 的电流 2A 时结电容Cd 的电流
1A 时吸收电容C 的电流
1A 时电感L 的电压
1A 时二极管D 的电压
2A 时吸收电容C 的电流 2A 时电感L 的电压 2A 时二极管D 的电压
1A 时吸收电容C 的电压
R=47ohm时不同C 的影响：
1A 时电感L 的电流
1A 时结电容Cd 的电流
2A 时吸收电容C 的电压 2A 时电感L 的电流
2A 时结电容Cd 的电流
1A 时吸收电容C 的电流
1A 时电感L 的电压
1A 时二极管D 的电压
2A 时吸收电容C 的电流 2A 时电感L 的电压 2A 时二极管D 的电压
1A 时吸收电容C 的电压
2A 时吸收电容C 的电压
可以看到截止电流越大，在二极管两端产生的尖峰电压越高，吸收电容越大，电压电流变化率越小，吸收电阻越大，电压尖峰越高。
以上的曲线是在初始状态I （0）=Io，I’（0）=（Vin-V o ）/L，I’’（0）= -Io/Cd/L的条件下求得的，不同得初始条件会得到不同得曲线。由于该初始条件并不一定正确，因此得到的曲线可能与实际观察到的波形会有较大差异，但是其变化趋势是可以参考的。