四点探针原理
09-10
接触式之四点之四点探针量测原理
送I (电流) →量V (电压) →得电阻系数R
一. 测量Bulk Resisitivity 之公式：
其厚度: More than 3 mm
V 1R =2π××1111I (+−) −S 1S 2S 2+S 3S 1+S 2(Ω−cm )
当S1=S2=S3=S时, 即四根即四根针之针距相等时 R =2π×V ×S I
V =6. 28××S I
=0. 628×V
I (Ω−cm ) (Q S =1mm =0. 1cm ) (Ω−cm )
slice 层是指 t ≈ S 的待测薄层, 例如:
diffused layer (扩散层), epitaxial layer(磊晶层), ion implanted layer (离子布植层) 等
其厚度: 100~3000μm
R =0. 628×V ×Thick . Correct ×Temp . Correct ×EdgeCorrec t I (Ω−cm )
三. 测量Layer resistivity之公式:
layer 层是指t
diffused layer (扩散层), epitaxial layer(磊晶层), ion implanted layer (离子布植层) 等
其厚度: 1~99.0μm V V R =××t ×cf =4. 532××t ×cf (Ω−cm ) ln 2I I
V =4. 532××Film thick correct (cm ) ×Temp . correct ×Edge correct I π
当t
Rs =4. 532×V
I ×Edge correct
⇒ t (厚度) = R / Rs
(ΩΟcm